Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 104

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 98 99 100 101 102 103 < 104 > 105 106 107 108 109 110 .. 145 >> Следующая

2. Bergh A. A., Dean P. J. Light-Emitting Diodes, Clarendon, Oxford,
1976. [имеется русский перевод: Берг А., Дин П. Светодиоды, М.: "Мир",
1979.]
3. Gage S., Evans D., Hodapp М., Sorenson H. Optoelectronics
Applications Manual McGraw-Hill, N. Y., 1977,
336
Глава 12
4. Gordon J. P., Zeiger H. J., Townes С. H., Molecuhar Microwave
Oscillator and New Hyperfine Structure in the Microwave jSpectrum of NH3,
Phys. Rev., 95, 282 (1954).
5. Schawlow A. L., Townes С. H. Infrared and Optica] Masers, Phys.
Rev., 112, 1940 (1958).
6. Maiman Т. H. Stimulated Optical Radiation in Ruby Masers, Nature
(Lond.), 187, 493 (1960).
7. Aigrain P. (1958), as reported in Proc. Conf. Quantum Electron.,
Paris, 1963, p. 1762.
8. Басов H. Г., Вул Б. М., Попов Ю. М. Квантовомеханические
полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний, ЖЭТФ
(1960).
9. Nishizawa J. I., Watanabe Y. Japanese Patent (Apr. 1957).
10. Boyle W. S., Thomas D. G., U. S. Patent 3059117 (Oct. 16, 1962).
11. Bernard M. G. A., Duraffourg G. Laser Conditions in Semiconductors,
Phys. Status Solidi, 1, 699 (1961).
12. Dumke W. P. Interband Transitions and Maser Action, Phys. Rev.,
127, 1559 (1962).
13. Hall R. N., Genner G. E., Kingsley J. D., Soltys T. J.( Carslon R.
O, Coherent Light Emission from GaAs Junctions, Phys, Rev, Lett., 9, 366
(1962),
14. Nathan М. I., Dumke W. P., Burns G., Dill F, J., Jr., Lasher G. J.
Stimulated Emmision of Radiation from GaAs p - n Junction, Appl. Phys.
Lett., 1, 62 (1962).
15. Quist Т. М., Rediker R. H., Keyers R. J., Krag W. E., Lax B.,
McWhorter A. L., Zeigler H. J. Semiconductor Maser of GaAs, Appl. Phys.
Lett., 1, 91 (1962).
16. Holonyak N., Jr., Bevacqua S. F. Coherent (Visible) Light Emission
from Ga(As1_3CPx) Junction, Appl. Phys. Lett., 1, 82 (1962).
17. Hayashi I., Panish М. B., Foy P. W., Sumski S. Junction Lasers
which Operate Continuously at Room Temperature, Appl, Phys. Lett., 17,
109 (1970).
18. Kroemer H. A Proposed Class of Heterojunction Injection Lasers,
Proc, IEEE, 51, 1782 (1963).
19. Алферов Ж. И., Казаринов Р. Ф. Авторское свидетельство № 181737
(1963), Алферов Ж. И. ФТП, т. 1, стр. 436 (1967).
20. Casey Н. С., Jr., Panish М. В. Heterostructure Lasers, Academic, N.
Y., 1978. [имеется русский перевод: Кейси X., Панши М. Лазеры на
гетероструктурах, М., Мир, 1981.]
21. Kressel Н., Butler J. К. Semiconductor Lasers and Heterojunction
LEDs, Academic, N. Y., 1977.
22. Goldberg P. Ed., Luminiscence of Inorganic Solids, Academic, N. Y.,
1966,
23. ivey H. F. Electroluminescence and Semiconductor Lasers, IEEE J.
Quantum Electron., QE-2, 713 (1966).
24. Mooradian A., Fan H. Y. Recombination Emission in InSb, Phys. Rev.,
148, 873 (1S66).
25. Carr W. N. Characteristics of a GaAs Spontaneous Infrared Source
with 40 Percent Efficiency, IEEE Trans. Electron Devices, ED-12, 531
(1965),
26. Ivey H. F. Electroluminescence and Related Effects, Suppl. 1 to
Marton L.f Ed., Advances in Electronics and Electron Physics, Academic,
N. Y., 1963, p, 205.
27. Wang S. Solid-State Electronics, McGraw-Hill, N. Y., 1966.
28. Eastman P. C., Haering R. RM Barnes P. A. Injection
Electroluminescence in Metal - Semiconductor Tunnel Diodes, Solid State
Electron., 7, 879 (1964),
29. Gooch C. N. Injection Electroluminescent Devices, Wiley, N. Y.,
1973.
30. Craford M. G. Recent Development in LED Technology IEEE Trans.
Electron Devices, ED-24, 935 (1977).
31. Groves W. O., Herzog A. H., Craford M. G. The Effect of Nitrogen
Doping on GaAsP Electroluminescent Diodes, Appl. Phys. Lett., 19, 184
(1971),
С^тог'поды и поли"гоио'^ик'>шг лаг" ры
337
32. Cart W. iV{.,DUl{maii G. В. Ош Watt GaAs р - п Junction Infrared
Source, Appl. Phys. Lett., 3, 173 (1963).
33. Carr W. N. Photometric Figures ot Merit for Semiconductor
Luminescent Sources Operating in Spontaneous Mode, Infrared Phys., 6, 1
(1966).
34. Galginaitis S. V. Improving the External Efficiency of
Electroluminescent Diodes, J. Appl. Phys., 36, 460 (1965).
35. Wight D. R Greem Luminescence Efficiency in GaP, J. Phys.D, 10, 431
(1977),
36. Von Munch W. Silicon Carbide Technology for Blue Emitting Diodes,
J. Electron. Mater., 6, 449 (1977).
37. Geusic J. E., Ostermayer F. W., Marcos H. М., Van Uitert L. G., Van
Der Ziel J. P. Efficiency of Red, Green and Blue Infrared-to-Visible
Conversion Sources, J. Appl. Phys., 42, 1958 (1971).
38. Dentai A. G., Lee T. P., Burrus C. A. Small-Area High-Radiance cw
InGaAsP LEDs Emitting at 1.2 to 1.3 m, Electron Lett., 13, 484 (1977),
39. Burrus C. A., Miller В. I. Small-Area, Double Heterostructure
AlGaAs Electroluminescent Diode Source for Optical-Fiber Transmission
Lines, Opt. Com-тип., 4, 307 (1971).
40. Ettenberg М., Kressel H., Wittke J. P. Very High Radiance Edge-
Emitting LED, IEEE J. Quantum Electron., QE-12, 360 (1976).
41. Amann М. C., Proebster W. Small-Area GaAs - GaAlAs Heterostructure
LED with Improved Current Confinement, Electron. Lett,, 15, 599 (1979).
Предыдущая << 1 .. 98 99 100 101 102 103 < 104 > 105 106 107 108 109 110 .. 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed