Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 1" -> 98

Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 1 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov11984.djvu
Предыдущая << 1 .. 92 93 94 95 96 97 < 98 > 99 100 101 102 103 104 .. 142 >> Следующая

n Au-Ge-Ni " 450
n Au-Sn " 450
AlxGax.xAs 1,42-2,16 p p Au-In Au-Zn Анодирование Напыление 400-450
p A1 " 500
n Au-Ge-Ni " 500
n Au-Sn " Электролиз 450-485 450
n Au-Si Напыление
Gai-xIn^Sb 0,70-0,17 n Sn-Те Напыление
AljcGaj.jjP 2,31-2,45 n Sn формовка
Gai-xIn^As 1,47-2,35 n Sn "
InAs^Sb!^ 0,17-0,35 n In-Те "
Из анализа рис. 43 следует, что для получения малых Re нужна либо высокая
степень°легирования, либо малая высота барьера (либо то и другое вместе).
Именно из этих соображений исходят при изготовлении омических контактов
(рис. 44).
На широкозонных полупроводниках обычно очень трудно изготовить контакт с
малой высотой барьера. Кроме того, используемые металлы не всегда имеют
достаточно малую работу выхода. В таких случаях для изготовления
омических контактов создают дополнительный высоколегированный слой на
поверхности полупроводника. Создать такой слой можно различными методами:
мелкой диффузией, перекристаллизацией, диффузией одной из компонент
материала контакта, двойной эпитаксией, ионной имплантацией. Для
изготовления омических контактов к Ge и Si я-типа сначала напыляют сплав
Au-Sb (с 0,1 % Sb). Затем при соответствующей эвтектической температуре
вплавляют этот контакт в полупроводник в атмосфере инертного газа
(такого, как аргон или азот) [69]. Для изготовления омических контактов к
GaAs и другим полупроводникам типа AinBv разработаны различные методы
[70]. Они представлены в табл. 5.
ЛИТЕРАТУРА
1. Braun F. Uber die Stromleitung durch Schwefelmetalle, Ann, Phy.
Chem., 153, 556 (1874).
2. Bose J. C. U. S. Patent 775,840 (1904).
322
Глава 5
3. Wilson А. Н. The Theory of Electronic Semiconductors, Proc. R. Soc.
Lond. Ser. A, 133, 458 (1931).
4. Schottky W. Halbleitertheorie der Sperrschicht,
Naturwissenschaften, 26, 843 (1938).
5. Mott -N. F. Note on the Contact between a Metal and an Insulator or
Semiconductor, Proc. Cambr. Philos. Soc., 34, 568 (1938).
6. Henisch H. K. Rectifying Semiconductor Contacts, Clarendon, Oxford,
1957.
7. Rhoderick E. H. Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon, Oxford,
1978; Transport Processeing in Schottky Diodes, in Pepper К. М., Ed.,
Inst. Phys. Conf. Ser., No. 22, Institute of Physics, Manchester,
England, 1974, p. 3.
8. Rideout V. L. A Review of the Theory, Technology and Applications
of Metal-Semiconductor Rectifiers, Thin Solid Films, 48, 261 (1978).
9. Michaelson H. B. Relation between an Atomic Electronegativity Scale
and the Work Function, IBM J. Res. Dev., 22, 72 (1978).
10. Sze S. М., Crowell C. R., Kahng D. Photoelectric Determination of
the Image Force Dielectric Constant for Hot Electrons in Schottky
Barriers, J. Appl. Phys., 35, 2534 (1964).
11. Salzberg C. D., Villa G. G. Infrared Refractive Indexes of Silicon
Germanium and Modified Selenium Glass, J. Opt. Soc. Am., 47, 244 (1975).
12. Bethe H. A. Theory of the Boundary Layer of Crystal Rectifiers, MIT
Radiat. Lab. Rep. 43-12 (1942).
13. Crowell C. R. The Richardson Constant for Thermionic Emission in
Schottky Barrier Diodes, Solid State Electron., 8, 395 (1965).
14. Crowell C. R., Sze S. M. Curent Transport in Metal - Semiconductor
Barriers, Solid State Electron., 9, 1035 (1966).
15. Crowell C. R., Sze S. M. Electron - Optical - Phonon Scattering -in
the
Emitter and Collector Barriers of Semiconductor - Metal - Semiconductor
Structures, Solid State Electron., 8, 979 (1965).
16. Kao C. W., Anderson L., Crowell C. R. Photoelectron Injection
at Metal -
Semiconductor Interface, Surface Sci., 95, 321 (1980).
17. Crowell C. R., Sze S. M. Quantum-Mechanical Reflection of Electrons
at
Metal - Semiconductor Barriers: Electron Transport in Semiconductor
-
Metal - Semiconductor Structures, J. Appl. Phys., 37, 2685 (1966).
18. Chang C. Y., Sze S. M. Carrier Transport across Metal -
Semiconductor Barriers, Solid State Electron., 13. 727 (1970).
19. Andrews J. М., Lepselter M. P. Reverce Current - Voltage
Characteristics of Metal-Silicide Schottky Diodes, Solid State Electron.,
13, 1011 (1970).
20. Crowell C. R., Beguwala M. Recombination Velocity Effects on
Current Diffusion and Inref in Schottky Barriers, Solid State Electron.,
14, 1149 (1971).
21. Padovani F. A., Stratton R. Field and Thermionic-Field Emission in
Schottky Barriers, Solid State Electron., 9, 695 (1966).
22. Yu A. Y. C., Snow E. H. Minority Carrier Injection of Metal -
Silicon Contacts, Solid State Electron., 12, 155 (1969).
23. Scharfetter D. L. Minority Carrier Injection and Charge Storage in
Epitaxial Schottky Barrier Diodes, Solid State Electron., 8, 299 (1965).
24. Cowley A. М., Sze S. M. Surface States and Barrier Height of Metal
- Semiconductor Systems, J. Appl. Phys., 36, 3212 (1965).
25. Bardeen J. Surface States and Rectification at a Metal
Semiconductor Contact, Phys. Rev., 71, 717 (1974).
26. Mead C. A., Spitzer W. G. Fermi-Level Position at Metal-
Semiconductor
Interfaces, Phys. Rev., 134, A713 (1964).
Предыдущая << 1 .. 92 93 94 95 96 97 < 98 > 99 100 101 102 103 104 .. 142 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed