Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
138
Глава 2
т
'МОЛ
_1,42эЛ_____IJZsB _
(Oa/fs) (/41х 6af.x /Is)
Л-Г-г!
?Г
Донорные
примеси
Нелегиродан-~ный Gads
Рис. 47. Зонные диаграммы для сверхрешетки из чередующихся слоев GaAs и
Al0>3Ga0(7As (а) и для переменно-легированной сверхрешетки (б) [64].
лах. Это приведет к существенному изменению поведения подвижности
носителей при изменении температуры и плотности в том случае, когда
рассеяние на примесях играет важную роль. Экспериментальные зависимости
подвижности носителей в многослойной структуре от температуры приведены
на рис. 48. Отметим, что в переменно-легированной сверхрешетке
подвижность существенно выше, чем в объемном материале. Если напряжение
приложено перпендикулярно многослойной структуре, может наступить
резонансное туннёлирование, приводящее к туннельному току при
напряжениях, соответствующих квазистационарным состояниям
Т%К
Рис. 48. Температурная зависимость подвижности
в GaAs и в переменно-легированной сверхрешетке
[64].
Плоскостные диоды
139
в потенциальных ямах сверхрешетки. Эти свойства открывают широкие
возможности для создания новых полезных приборов [64-66 ].
ЛИТЕРАТУРА
1. Shockley W. The Theory of p - n Junctions in Semiconductors and p -
n Junction Transistors, Bell Syst. Tech. J., 28, 435 (1949); Electrons
and Holes in Semiconductors, D. Van Nostrand, Princeton, N. J., 1950.
2. Sah С. Т., Noyce R. N.. Shockley W. Carrier Generation and
Recombination in p - n Junction and p - n Junction Characteristics, Proc.
IRE, 45, 1228 (1957).
3. Moll J. L. The Evolution of the Theory of the Current - Voltage
Characteristics of p - n Junctions, Proc. IRE, 46, 1076 (1958).
4. For example, see A. G. Grove, Physics and Technology of
Semiconductor Devices, Wiley, N. Y., 1967.
5. Hall R. N., Dunlap W. С. p - n Junctions Prepared by Impurity
Diffusion, Phijs. Rev., 80, 467 (1950).
6. Tanenbaum М., Thomas D. E. Diffused Emitter and Base Silicon
Transistors, Bell Syst; Tech. J., 35, 1 (1956).
7. Frosch C. J., Derrick L. Surface Protection and Selective Masking
during Diffusion in Silicon, J. Elecirochem. Soc., 104, 547 (1957).
8. Hoerni J. A. Planar Silicon Transistor and Diodes, IRE Electron
Devices Meet., Washington, D. C., 1960.
9. Theuerer H. C., Kleimack J. J., Loar H. H., Christenson H.
Epitaxial
Diffused Transistors, Proc. IRE, 48, 1642 (1960). . .
10. For a review, see, for example, Pickar K. A. Ion Implantation in
Silicon-Physics, Processing and Microelectronic Devices, in R. Wolfe,
ed., Applied Solid State Science, Vol. 5, Academic, N. Y., 1975.
11. Casey H. C., Jr., Panish М. B. Heterostructure Lasers, Academic, N.
Y,, 1978.
12. Cho A. Y. Recent Developments in Molecular Beam Epitaxy, J. Vac.
Sci. Technol., 16, 275 (1979).
13. Bean J. C. Growth of Doped Silicon Layers by Molecular Beam
Epitaxy, in: F. F. Y. Wang, Ed., Impurity Doping Processes in Silicon,
North-Holland, Amsterdam, 1981.
14. Atalla М. M. Semiconductor Surfaces and Films; the Silicon -
Silicon Dioxide System, in Gatos H., Ed. Properties of Elemental and
Compound Semiconductors, Vol. 5, Interscience, N. Y., I960, pp. 163-181.
15. Deal В. E., Grove A. S. General Relationship for the Thermal
Oxidation of Silicon, J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965).
16. Meindl J. P., Dutton R. W., Saraswat К. C., Plummer J. D., Kamins
Т. I., Deal В. E. Silicon Epitaxy and Oxidation, in F. Van de Wiele, W.
L. Engl, P. O. Jespers, Eds., Process and Device Modeling for Integrated
Circuit Design, Noordhoff, Leyden, 1977.
17. For a general reference, see H. S. Carslaw, J. C. Jaeger.
Conduction Heat in Solids, 2nd ed., Oxford University Press, London,
1959.
18. Fair R. B. Concentration Profiles of Diffused Dopants in Silicon,
in: F. F. Y. Wang, Ed. Impurity Doping Processes in Silicon, North-
Holland, Amsterdam, 1981.
19. Burger R. М., Donovan R. P., Eds., Fundamentals of Silicon
Integrated Device Technology, Vol. 1, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.
J., 1967.
20. Kendall D. L., DeVries D. B. Diffusion in Silicon, in Haberecht R.
R., Kern E. L., Eds., Semiconductor Silicon, Electrochemical Society., N.
Y., 1969, p. 358.
.140
Глава 2
21. Trumbore F. A. Solid Solubilities of Impurity Elements in Germanium
and Silicon, Bell Syst. Tech. J., 39, 205 (1960).
22. Khaibullin I. B. et al., VINITI dep. N2661 (1974).
23. Ferris S. D., Leamy H. J., Poate J. М., Eds. Laser - Solid
Interaction and Laser Processing, American Institute of Physics, N. Y.,
1979.
24. Lee T. P., Sze S. M. Depletion Layer Capacitance of Cylindrical and
Spherical p - n Junctions, Solid State Electron., 10, 1105 (1967).
25. Sze S. "М., Gibbons G. Effect of Junction Curvature on Breakdown
Voltages in Semiconductors, Solid State Electron., 9, 831 (1066).
26. Garett G. G. B., Brattain W. H. Physical Theory of Semiconductor
Surfaces, Phys. Rev., 99, 376 (1955); Kittel C., Kroemer H., Thermal
Physics, 2nd ed., Freeman W. H. and Co., San Francisco, 1980.
