Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, ED-19, 652 (1972).
22. Wada Т., Frey J. Physical Basis of Short-Channel MESFET Operation,
IEEE Electron Devices, ED-26, 476 (1979).
23. Reiser М., Wolf P. Computer Study of Submicrometer FET's, Electron.
Lett.
8, 254 (1972).
24. Maloney T. J., Frey J. Frequency Limits of GaAs and InP Field-
Effect Transistors at 300 К and 77 К with Typical Active Layer Doping,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 519 (1976).
25. Barrera J. S., Archer R. J. InP Schottky-Gate Field-Effect
Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, ED-22, 1023 (1975).
26. Fukui H. Drain Current Limitations and Temperature Effects in GaAs
MESFET, IEEE Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. 1978, pp. 140- 143.
27. Sevin L. J. Field Effect Transistors, McGraw-Hill, N. Y., 1965.
28. Ikoma T. Status of Microwave and High Speed Devices, Proc. 7th
Bienn. Cornell Electr. Eng. Conf. Active Microwave Semicond, Devices and
Circuits, Cornell University, Ithaca, N. Y., p. 7 (1979).
29. Fukui H. Optimal Noise Figure of Microwave GaAs MESFETs, IEEE
Trans. Electron Devices, ED-26, 1032 (1979).
30. Hewitt B. S., Сох H. М., Fukui H., DiLorenzo J. V., Schlosser W.
O.,
Iglesias D. E. Low Noise GaAs MESFETs, Electron. Lett., 12, 309
(1976).
31. Mizuishi K., Kurono H., Sato H., Kodera H. Degradation Mechanics of
GaAs MESFETs, IEEE Trans. Electron Devices, ED-26, 1008 (1979).
32. Blocker Т., Macksey H., Adams R. X-Band RF Power Performance of
GaAs FET's, IEEE Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., 1974, pp. 288-
291.
33. Macksey H. М., Shaw D. W., Wisseman W. R. GaAs Power FETs with
Semi-Insulating Gates, Electron. Lett., 12, 192 (1976).
34. Nagashima A., Umebachi S., Kano G. Calculation of Microwave
Performance of Buffer Layer Gate GaAs MESFETs, IEEE Trans. Electron
Devices, ED-25, 537 (1978).
35. Umebachi S., Ashahi K., Inoue М., Kano G. A New Heterojunction Gate
GaAs FET, IEEE Trans. Electron Devices, ED-12, 613 (1975).
36. Turner J. A., Waller A. J., Kelly E., Parker D. Dual-Gate GaAs
Microwave
Field-ETfect Transistor, Electron. Lett., 7, 661 (1971).
37. Warner R. М., Jackson W. H., Doucette E. I., Sone H.
A. A Semiconduc-
tor Current Limiter, Proc. IRE, 47, 45 (1959).
38. Lawrence H. A Diffused Field-Effect Current Limiter, IRE Trans.
Electron Devices, ED-9, 82 (1962).
39. Boll H. J., Iwersen J. E., Perry E. W. High-Speed Current Limits,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 904 (1966).
40. Salama C. A., Oakes J. G. Nonplanar Power Field-Effect
Transistors, IEEE
Trans. Electron Devices, ED-25, 1222 (1978).
41. Мок Т. K., Salama С. A. T. The Characteristics and Application of a
V-Shaped Notched Channel Field-Effect Transistor (VFET), Solid State
Electron
19, 159 (1976).
42. Teszner S., Gicquel R. Gridistor- A New Field Effect Device, Proc.
IEEE, 52, 1502 (1964).
43. Zulleg R. Multichannel Field-Effect Transistor Theory and
Experiment, Solid State Electron., 10, 559 (1967).
44. Nishizawa J. I., Terasaki Т., Shibata J. Field Effect Transistor
Versus Analog Transistor (Static Induction Transistor), IEEE Trans.
Electron Devices, ED 22, 185 (1975).
376
Глава 6
45. Lecrosnier D. R., Pelous G. P. Ion Implanted FET for Power
Applications, IEEE Trans. Electron Devices, ED-21, 113 (1974).
46. Morenza J. L., Esteve D. Entirely Diffused Vertical Channel JFET:
Theory and Experiment, Solid State Electron, 21, 739 (1978).
47. Wemple S. H., Niehaus W. C.,Cox H. М., DiLorenzo J. V., Schlosser
W. O. Control of Gate - Drain Avalanche in GaAs MESFETs, IEEE Trans.
Electron Devices, ED-27, 1013 (1980).
48. DiLorenzo J. H., Wisseman W. R. GaAs Power MESFET: Design,
Fabrication and Performance, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., MIT-27,
367 (1979).
49. Fukuta М., Syama K., Suzuki H., Nakayama K., Ishidawa H. Power GaAs
MESFET with High Drain - Source Breakdown Voltage, IEEE Trans. Microwave
Theory Tech., MTT-24, 312 (1976).
50. Narnard J., Ohno H., Wood С. E. C., Eastman L. F. Double
Heterostructure Ga0,47In0,53As MESFETs with Submicron Gates, IEEE
Electron Devices, Lett., EDL-1, 174 (1980).
Глава 7
МДП-СТРУКТУРЫ. ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ связью
7.1. ВВЕДЕНИЕ
Структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-струк-туры) имеют большое
значение при изучении свойств поверхности полупроводников. Поскольку
различные поверхностные эффекты непосредственно влияют на надежность и
стабильность работы практически всех типов полупроводниковых приборов,
изучение физики поверхности с помощью МДП-структур играет большую роль во
всей полупроводниковой технологии. В этой главе рассматриваются
преимущественно структуры металл-окисел-полупроводник (кремний) (МОП-
структуры), которые являются основным элементом конструкции большинства
современных планарных приборов и интегральных схем и наиболее хорошо
изучены в настоящее время.
МДП-структуры были предложены в качестве управляемой напряжением емкости
впервые в 1959 г. Моллом [1], Пфанном и Гарретом [2]. Затем
