Физика полупроводниковых приборов Книга 1 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
Diode, Solid State Electron., 13, 97 (1970).
59. Baker R. H. Maximum Efficiency Switching Circuit, MIT Lincoln Lab.
Rep. TR-110, Lexington, Mass., 1956.
60. Tada K., Laraya J. L. R. Reduction of the Storage Time of a
Transistor Using a Schottky-Barrier Diode, Proc. IEEE, 55, 2064 (1967).
61. Saltich J. L., Clark L: E. Use of a Double Diffused Guard Ring to
Obtain Near Ideal I-V Characteristics in Schottky-Barrier Diodes, Solid
State Electron., 13, 857 (1970).
62. Linden K. J. GaAs Schottky Mixer Diode with Integral Guard Layer
Structure, IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 363 (1976).
63. Rhee C., Saltich J. K-, Zwernemann R. Moat-Etched Schottky Barrier
Diode Displaying Near Ideal I-V Characteristics, Solid State Electron.,
15, 1181 (1972).
64. Anantha N. G., Ashar K. G., IBM. J. Res. Dev., 15, 442 (1971).
65. &usu A., Bulucea C., Postolache C. The Metal-Ovsrlap-Laterally-
Diffused (MOLD) Schottky Diode, Solid State Electron., 20, 499 (1977).
66. Colemann D. J., Jr., Irvin J. C., Sze S. M. GaAs Schottky Diodes
with Near-Ideal Characteristics, Proc. IEEE, 89, 1121 (1971).
67. Chang C. Y., Fang Y. K., Sze S. M. Specific Contact Resistance of
Metal - Semiconductor Barriers, Solid State Electron., 14, 541 (1971).
68. Yu A. Y. C. Electron Tunneling and Contact Resistance of Metal -•
Silicon Contact Barriers, Solid State Electron., 13, 239 (1970).
69. Lepselter M. P., Andrews J. M. Ohmic Contacts to Silicon, in
Schwartz B., Ed., Ohmic Contacts to Semiconductors, The Electrochemical
Society Sympo*
SpfiAC M Y IQAQ f\ IRQ
70. Rideout V. L. A Review' of the Theory and Technology for Ohmic
Contacts to Group III-V Compound Semiconductors, Solid State Electron18,
541 (1975).
71. Andrews J. M. Extended Abstracts, Electrochem. Soc. Spring Meet,
Abstr. 191 1975 p 452
72. Spicer W. E., Chye P. W., Garner С. М., Lindau I., Pianetta P. The
Surface Electronic Structure of III-V Compounds and the Mechanism of
Fermi Level Pinning by Oxygen (Passivation) and Metals (Schottky
Barriers), Surface Set., 86, 763 (1979).
73. Spicer W. E., Lindau I., Skeath P., Su C. Y., Chye P. Unified
Mechanism for Schottky-Barrier Formation and III-V Oxide Interface
States, Phys. Rev. Lett., in press (1981).
Глава 6
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С р-п-ПЕРЕХОДОМ В КАЧЕСТВЕ ЗАТВОРА И ПОЛЕВЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ ТИПА МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК1
6.1. ВВЕДЕНИЕ
Полевой транзистор с р-/г-переходом в качестве затвора впервые предложил
и проанализировал Шокли в 1952 г. [1 ]. Этот прибор выполняет функцию
резистора, управляемого напряжением. Поскольку проводимость полевого
транзистора с р-п-переходом в качестве затвора определяется главным
образом основными носителями, его также называют "униполярным" (в отличие
от биполярных транзисторов). Первый униполярный транзистор, который
работал по принципу, предложенному Шокли, продемонстрировали Дейки и Росс
[2]. Впоследствии они учли влияние полевой зависимости подвижности на
характеристики полевого транзистора с р-п-переходом [3].
Полевой транзистор типа металл-полупроводник (МП-тран-\ зистор) был
предложен в 1966 г. [4], а затем был изготовлен на GaAs, эпитаксиально
выращенном на полуизолирующей GaAs-подложке [5]. Принцип действия МП-
транзистора идентичен Принципу работы полевого транзистора с р-
/^переходом в качестве затвора. Различие состоит Лишь в том, что в
МП^тран* знсторе в качестве затвора использован выпрямляющий контак!1
ме'Галл--полупроводник (вместо р-л*перехода). МП*транзисторы обладают
технологическими и некоторыми другими достоинствами. Так, например, при
изготовлении МП-транзисторов используются сравнительно низкотемпературные
технологические процессы, в то время как для создания полевого
транзистора с p-wпереходом требуется высокотемпературная диффузия.
Отметим также малое сопротивление и малое падение напряжения вдоль канала
МП-транзистора. Кроме того, в МП*транзисторах оказываются допустимыми
более высокие уровни рассеиваемой мощности (металлический затвор является
хорошим теплоотводом). Однако полевые транзисторы с р-л-переходом
допускают применение некоторых специфических затворных структур (таких,
как гетеропереходы, затворы с буферным слоем и т. д.) для улучшения
высокочастотных характеристик.
На рис. 1 показано "генеалогическое" дерево полевых транзисторов. Кроме
рассматриваемых в настоящей главе полевых
1 В англоязычной литературе эти приборы называются - junction field-,
effect transistor (JFET) и metal - semiconductor field-effect transistor
(MESFET)-- Прим. tiepee.
326
Глава б
I
I
is
J:
0
1
l
Полевые транзис-r тары с' -p-п-переходом в качестве затвора
Полевые транзис-¦торы типа метал- полупроводник
Полевые транзисторы тина металл-окисел-поАупро -' водник
Si -
GaAs
Si
б a As InP
Г°теро -'структуры
Si
баАй
Одно каналь ный
¦ Многоканальный С V- канавкой
¦ Диффузионный Эпитаксиальный
¦ С гетеропереходом
¦ Однозатворный
¦ Авухзатворный
С чередованием многомемент -ных стока и истока
