Структурная электронография - Вайнштей Б.К.
Скачать (прямая ссылка):
определяющая высоту рефлекса на электронограмме. Заметим, что перемена
любого из знаков индексов hkl в общем случае изменяет величину z. Таким
образом, в общем случае, т. е. в случае триклинной решетки или такой
ориентировки более симметричной решетки, когда невозможно выбрать
координатные оси, перпендикулярные к оси текстуры, фактор повторяемости
для всех рефлексов равен единице, т. е. каждый узел hkl отображается в
соответствующую дужку на электронограмме, точнее - даже в две дужки ввиду
наличия вертикальной плоскости симметрии электронограммы. Координата R,
определяющая данный эллипс, вообще не зависит от индекса I. Поскольку все
рефлексы эллипса имеют постоянные h и к и переменное /, отсюда следует
вывод (применимый, впрочем, с ограничениями; см. ниже), что все рефлексы
данного эллипса имеют одинаковый фактор повторяемости, определяемый
индексами эллипса h и А.
Фактор повторяемости, не равный единице, возможен лишь при а* (или (з*) =
90°, т. е. при наличии ортогональных сеток в обратной решетке, когда
пзменение знака А (или А) в формуле (П,13в) для z не изменит высоты
рефлексов. Таким образом, два узла hk и hk сольются в одном кольце, и
тогда р = 2. Этот случай реализуется в моноклинных решетках, в которых
для всех рефлексов эллипсов ОА/, образованных прямоугольными сетками,
фактор повторяемости равен 2. Для остальных рефлексов р = 1 (ось текстуры
- с*).
Наиболее ясно роль фактора повторяемости выступает при наличии на
электронограмме слоевых линий, т. е. при эс* =(3* = 90°, причем и h и А
получают возможность изменять знак. Нулевая плоскость обратной решетки (/
= 0) может реализоваться в пяти возможных плоских сетках (см. рис. 47):
1) А =В, у'= 90° - квадратная,
2) А -В, у'= 60° - гексагональная,
3) А =У= В, у'= 90° - примитивная ромбическая,
4) А-В, у' 90° и 60° - центрированная ромбическая,
5) А=У=В, у =4= 90° - моноклинная.
При наличии слоевых линий пятый случай соответствует моноклинной решетке
с осью текстуры 6*. При этом, согласно формуле (11,146), лишь совместное
изменение знаков hk на hk не изменяет величину R. В этом случае для всех
рефлексов фактор повторяемости р = 2, и его можно не учитывать при
подсчете относительных интенсивностей.
В случае ромбической сетки (третий и четвертый случаи) для эллипсов АО/,
0А/ фактор повторяемости р = 2, для эллипсов hkl он равен /1 = 4.
При нахождении величины фактора повторяемости р для решеток, обладающих
осями высшего порядка, следует иметь в виду, что в геми-эдрических
лауэвских классах узлы могут иметь разное значение | Ф |2 при
перестановке знаков индексов; таким образом, в одном рефлексе возможно
слияние узлов двух неравнозначных сортов, что усложняет правило о
постоянстве р данного эллипса (хотя общее число узлов
151
остается равным р). Возможны случаи, когда один из сортов отражений
вообще погашается, и р практически уменьшается вдвое. В то же время для
голоэдрических классов Д1Л, D&1 и Oh вес узла не зависит от перестановки
знаков и индексов А, к, и для них фактор повторяемости удобно определять
по нулевой сетке, причем соблюдается постоянство значения р для эллипса.
В случае квадратной сетки р = 4 для эллипсов АОI и hhl и р = Н для
эллипсов hkl. В случае гексагональной сетки р - 6 для эллипсов АОА/ и
АА2А/ и р = 12 для эллипсов hkil.
В случае кубической системы важно различать индексы А и А, с одной
стороны, и I - с другой. Например, рефлекс 242 (он же 422) имеет р = 8,
но рефлекс 224 имеет /? = 4 (если ось текстуры - [001]).
Для гемиэдрических классов Cihl CQh, D3d, C3i, Th следует в каждом случае
учитывать, какие неравнозначные узлы сливаются в одно кольцо и дают на
электронограмме общий рефлекс со средним значением интенсивности.
Невозможность разделить отражения такого типа является недостатком
электронограмм от текстур (так же, как и рентгеновского метода вращения).
Этот недостаток можно устранить, стремясь получить электронограммы от
текстур с другой ориентацией, при которой произойдет разделение
отражений, или привлекая к рассмотрению точечные электронограммы.
§ 10. Интенсивность отражений от поликристаллических пленок
В поликристаллическом препарате кристаллики занимают любые
пространственные ориентации и нормали к любой (отражающей) плоскости
равномерно разбросаны в полном телесном угловом интервале 4 тс.
Следовательно, функция распределения кристалликов по телесным углам имеет
постоянную величину n/iiz.
Обратная решетка поликристалла представляет собой систему вложенных друг
в друга сфер, сечение которых плоскостью дает кольца. Подсчитаем
интегральную интенсивность диффракционного кольца, для чего используем
общее выражение (52а). Поскольку и в этом случае направления хх и х2 на
снимке совпадают с направлениями Ах и А2 в обратном пространстве (рис.
84), будет справедлива и формула (526):
= (526)
а\а2
При расчете величины G согласно (536) следует принять во внимание, что
для поликристалла известна плотность распределения по телесным углам
