Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Вайнштей Б.К. -> "Структурная электронография" -> 53

Структурная электронография - Вайнштей Б.К.

Вайнштей Б.К. Структурная электронография — Академия наук СССР, 1956. — 342 c.
Скачать (прямая ссылка): strukturnayaelektronografiya1956.djvu
Предыдущая << 1 .. 47 48 49 50 51 52 < 53 > 54 55 56 57 58 59 .. 137 >> Следующая

вычислялся средний размер кристаллических блоков L. В первой работе [6]
образцы алюминия имели Ь = 120-170 А, во второй [7] L = 100-120А, т. е.
меньше критического размера в 200А, определенного выше, и найдено было
хорошее согласие интенсивностей, вычисленных по формулам кинематической
теории с опытом. Удовлетворительное согласие опытных данных с
кинематическими расчетами (при незначительных отклонениях) наблюдалось и
для серебра, образцы которого имели размеры блоков L = 40-75 А [6] и L =
55-75 А [7], тогда как критический размер А3 по (46а) составляет около
100А. Отклонения интенсивностей от теоретических значений в сторону,
характерную для динамического рассеяния, т. е. в сторону
пропорциональности I не а /эл (см. § 8) были отмечены для золота, для
которого размер исследуемых кристалликов L составлял 40-45 А [6| и 45-60
А [7].
121
Эти размеры для золота как раз совпадают с критической толщиной А3"50А,
найденной по (46а) и отвечающей переходу от кинематического к
динамическому рассеянию. Надо, впрочем, также иметь в виду меньшую
справедливость приближения Борна для отдельного атома золота (ввиду
большого Z = 79), что также способствует указанным отклонениям. Тот факт,
что наблюдаемые для Аи (и в меньшей степени для Ag) интенсивности, не
будучи пропорциональными /|л, не достигают и пропорциональности / , а
имеют промежуточный тип зависимости, можно объяснить полидисперсностью
образцов. Действительно, ориентировочная оценка по полуширине линий дает
сведения лишь о среднем размере блоков, тогда как в реальном образце
весьма вероятно распределение блоков по размерам. Блоки, имеющие размер
выше критического, рассеивают динамически, ниже критического -
кинематически, и суммарная интенсивность имеет промежуточный характер
(подробнее об этом см. § 8).
Интересно отметить, что в большинстве опытов [6, 7] расчетная толщина
пленки оказывалась больше размера кристалликов и составляла величину от
100 до 400 А. Следовательно, вдоль толщи пленки размещалось несколько
блоков. Однако в электронографических исследованиях возможны и другие
случаи - когда размер разросшихся вследствие тех или иных причин
кристалликов может быть больше средней расчетной толщины пленки, причем,
естественно, часть подложки остается свободной. Например, для олова
толщина образцов в равных опытах [6] оказалась 130-350 А, а размер
кристалликов L = 220-380 А. Согласие с кинематической теорией было
найдено, хотя А'3 здесь, по (46а), равно примерно 100 А. Возможным
объяснением этого может служить тот факт, что решетка олова не простая, а
обладает параметрами. В этом случае формула для оценки критической
толщины кристаллов должна быть модифицирована.
Динамическое рассеяние, характеризуемое очень сильными диффра-гированными
пучками, нередко наблюдается и на металлических препаратах типа
мозаичного монокристалла, блоки которых имеют намного большую величину,
чем в поликристаллических пленках. При этом может возникнуть явление
вторичного рассеяния пучков в той же или в другой кристаллической фазе
(см. § 8 этой главы и § 4 главы И).
Таким образом, для указанных простых структур граница перехода от
кинематического рассеяния к динамическому низка и составляет 1-2 • 10~6
см. Иначе обстоит дело для структур, характеризующихся большим числом
атомов в ячейке, в которых атомы занимают положения с параметрами.
Практика структурных исследований, проводимых на кристалликах с размерами
10-6-10-5 см, приводит в большинстве случаев к согласию наблюдаемых
интенсивностей с вычисленными на основе кинематической теории. Для
объяснения этого следует иметь в виду тот факт, что для сложных структур
Ф никогда не достигает значений 2/ ,' как в слу-
чае кубических решеток металлов, вследствие наличия фазового множи-
122
теля e2ni(r*H) tf формуле (32). Среднее квадратичное значение структурной
амплитуды определяется выражением:
[фГ2 = 2/2л,-, (47а)
ъ
поскольку \e2ni(riH)\2 = 1 [24]. Если структура состоит из п одинаковых
атомов, то среднее значение структурной амплитуды равно:
Ф = 1/"1ФГ=/ва>/"- (476)
На один атом в кристаллах приходится в среднем объем 20-30 А3, т. е.
объем ячейки 12 равен приблизительно 25-лгА3. Выражая в уравнении (46а)
все величины, в том числе и / , в 10"8 см = 1 А, и подставляя в него Ф из
уравнения (476) и 12, найдем:
A'fv 500
3 /эл
Учитывая, что наиболее сильные амплитуды Фш могут в несколько раз
превышать средние значения Ф, коэффициент 500 нужно уменьшить в 2-3 раза.
Тогда
А'3 ж 200 - , (48)
/эл
где /эд выражено просто в 10"8 см, т. е. равно значениям, приведенным в
таблицах приложения III, умноженным на 2,393. Для органических структур с
Z = 6-8 атомный фактор / в (48) составляет приблизительно (0,3-0,4) •
2,393 " 0,8; следовательно, для кристаллов с 20-25 атомами в ячейке
А3^1200А. Для таких же сложных кристаллов из атомов со средними Z
величина /эл^(0,7-1,0) • 2,393^2 и А3"500-600 А, для сложных кристаллов
из одних тяжелых атомов А3<=& 250-400 А. Напомним, что величина А3-
Предыдущая << 1 .. 47 48 49 50 51 52 < 53 > 54 55 56 57 58 59 .. 137 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed