Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Вайнштей Б.К. -> "Структурная электронография" -> 28

Структурная электронография - Вайнштей Б.К.

Вайнштей Б.К. Структурная электронография — Академия наук СССР, 1956. — 342 c.
Скачать (прямая ссылка): strukturnayaelektronografiya1956.djvu
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 137 >> Следующая

Расположение рефлексов по эллипсам на электронограммах "косых текстур"
можно использовать для нахождения - малой полуоси
эллипса, а также, если нужно, для нахождения cos 9. Исключая
соответствующие величины из пары уравнений (17), находим значения и cos9
по координатам пары рефлексов:
^4-т)2 cos2 9 = R\
или
R2 ~ R\jcos2 ф
(17)
(18).
62
В случае игольчатой ортогональной текстуры эллипсы превращаются в прямые
(электронограмма XIX). При этом cos<p = 0 и
с = Яг
Если азимутальным поворотом препарат игольчатой текстуры вывести в такое
положение, что нормаль к оси текстуры будет совпадать с осью наклона
кристаллодержателя, то, наклоняя кристаллодержа-тель под каким-либо углом
к пучку, можно вызвать появление на электронограмме эллипсов. Если
игольчатая текстура образована косоугольными кристаллами, то вследствие
несовпадения в них прямых и обратных осей (кроме осей Ъ и 6* в
моноклинных решетках) в обратной решетке текстуры не будет вертикальных
узловых прямых - обра-
Рис. 38. Образование эллипсов электронограмм "косых текстур".
Рис. 39. Образование слоевых линий электронограмм от текстур.
зующих цилиндров. Поэтому не будет и вертикальных прямых на
электронограмме,- они обратятся в гиперболы (см. ниже, стр. 67).
Слоевые линии. Рассмотрим важный случай, когда на электронограммах
образуются слоевые линии (электронограммы XV-XVII). Это бывает тогда,
когда какие-то плоскости обратной решетки располагаются перпендикулярно к
оси текстуры. В этом случае любой узел данной плоскости имеет z = zlf а
на электронограмме yj = Zj/cos <р = const (рис. 39). Величина z1 может
быть равна лишь целому числу периодов с*. Таким образом, имеем
окончательно [14]Л
/с*
откуда
V) sm 9 I
(19)
где / - номер слоевой линии. Эту формулу можно использовать для
определения периода с*, однако она не дает достаточно удовлетворительных
результатов вследствие малой точности в определении угла 9 по лимбу на
приборе и в измерении п.
Точнее определить период с* можно, измерив малую полуось R какого-либо
эллипса (в случае наличия слоевых линий она и-змеряется непосредственно,
так как имеется нулевая линия с / = 0) и Н любого рефлекса данного
эллипса (лучше с большим /). Согласно (15),
Н2 = R2 -|- z2 = R2 (/с*)2,
т. е.
В сущности, эта формула совпадает с формулой (8) для электронограмм
монокристалла, так как, хотя расположение рефлексов на электронограммах
от текстур иное, но расстояния от узла ООО в обратной решетке на них
выявляются в неискаженном виде.
Как было отмечено, при наличии слоевых линий плоскости обратной решетки
перпендикулярны к оси текстуры, а так как последняя перпендикулярна к
грани кристалла, то в этом случае плоскости атомной и обратной решеток
расположены параллельно. Симметрия обратной решетки здесь не менее 2/т (2
- ось текстуры), она обладает обязательно центром симметрии, что не
обязательно для соответствующей атомной решетки.
Следовательно, данный кристалл принадлежит к классу, обладающему
плоскостью симметрии (которой параллельна указанная грань), либо осью
симметрии (которая является осью текстуры), либо тем и другим вместе. Это
означает, что слоевые линии появляются на электронограммах текстур
кристаллов высшей и средних систем, ориентированных главными или
побочными осями перпендикулярно к подкладке, а также на электронограммах
ромбических кристаллов, расположенных координатными гранями параллельно
подкладке. Слоевые линии возможны на электронограммах от моноклинных
кристаллов, грань (010) которых перпендикулярна подкладке, т. е. ось Ь (и
Ь*) которых перпендикулярна к ней. Примеры таких снимков даны ниже (см.
главу V, электронограммы XXXII и XXXVII).
Интересно отметить здесь аналогию с рентгенограммами вращения, которые
всегда обладают слоевыми линиями, так как за оси вращения выбирают оси
прямой (атомной) решетки, а они перпендикулярны к плоскостям обратной
решетки. Но эта аналогия между рентгенограммами вращения и
электронограммами со слоевыми линиями справедлива лишь при совпадении
направления соответствующих прямых и обратных осей, и при совпадении их с
осью текстуры (осью вращения). Так как осью текстуры является ось
обратной решетки, то в общем случае триклин-ных и моноклинных кристаллов,
а также и в некоторых других случаях (например, ромбических кристаллов,
ориентированных на подкладке некоординатной гранью), слоевых линий на
электронограмме не будет.
Отметим также, что для игольчатых текстур, когда осью текстуры является
ось атомной решетки, лежащая в плоскости подложки, электронограммы всегда
будут обладать слоевыми линиями. Так как в этом случае угол сечения
обратной решетки плоскостью 0 = 90°, то все фор-
64
мулы значительно упрощаются (например, 75 = 2 =/с*). Наоборот,
параллельные прямые, которые получились бы от вырождения эллипсов при (р
= 90о, уже не будут необходимым элементом такой электронограммы и
появятся как раз при исследовании тех кристаллов, которые на
электронограммах пластинчатых текстур дают слоевые линии (см. выше, стр.
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 137 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed