Структурная электронография - Вайнштей Б.К.
Скачать (прямая ссылка):
текстуры с некоторой расстройкой.
Рефлексы снимков от текстур имеют вид дужек. Это объясняется следующим
образом. Пересечение колец обратной решетки плоскостью дает в общем
случае точку. Однако в реальных текстурах, вследствие некоторой
расстройки кристалликов в ориентации относительно оси текстуры,
кольца обратной решетки превращаются в сферические пояса
с центром в узле ООО, и сечение их дает дужки (рис. 31,6).
Сравнение
идеальной текстуры и реальной с некоторой расстройкой схематически
представлено на рис. 31, в и а. Характер расстройки можно описывать при
помощи функции распределения ориентации осей кристалликов
в текстуре по углам. Функция распределения /(а) представлена на рис. 31,
д и е. Вид ее отражается на виде дужки, т. е. на ее угловой
ширине; кроме того, угловая ширина дужки зависит также от угла наклона
препарата относительно пучка (см. главу III, § 8). В идеальном случае
/(ос) равно нулю всюду, кроме угла ос = 0, который соответствует оси
текстуры (рис. 31,5). В реальной текстуре / (а) при а = 0 имеет максимум,
причем иногда очень узкий. Иногда наряду с текстурой в препарате имеется
небольшое количество почти беспорядочно ориентированных кристалликов;
тогда дужки лежат на дебаевских кольцах малой интенсивности. В случае
поликристалла функция рас-
пределения кристалликов по телесным углам f(%) имеет вид шара. При
равномерном распределении кристаллов по азимуту /(а) всегда имеет
симметрию тела вращения. Однако иногда встречаются образцы с
преимущественной азимутальной ориентацией, что приближает соответствующий
тип препарата к монокристальным пленкам с сильной расстройкой. Такие
препараты неудобны для исследования и совершенно непригодны для оценки
интенсивностей.
В случае игольчатой текстуры второго рода обратная решетка ее может быть
получена из обратной решетки монокристалла при двойном вращении каждого
узла (рис. 32). Во-первых, вследствие наличия всевозможных положений иглы
параллельно данному направлению каждый узел, вращаясь вокруг оси атомной
решетки, образует кольцо, а затем вследствие всевозможных ориентаций
этого направления в плоскости подложки кольцо, вращаясь вокруг оси
обратной решетки, заполняет участок сферы, угловая ширина которого
зависит от диаметра первого кольца. Узлы, лежащие на первой оси вращения,
лишь при втором вращении дадут кольцо, а не участок сферы. Пересечение
полученных сферических поверхностей обратного пространства плоскостью
даст либо сплошные кольца, либо участки колец, т. е. картина будет
незначительно отличаться от дебаеграммы. Таким образом, игольчатые
текстуры второго рода практически будут мало пригодны для получения
разделенных отражений.
Рассмотрим электронограммы от пластинчатых текстур.
Рис. 32. Образование узла обратной решетки игольчатой текстуры второго
рода.
Отображение узла обратной решетки на электроно-грамме. Так как
кристаллики пластинчатой текстуры ориентированы все определенной
плоскостью параллельно подкладке, то, по свойствам обратной решетки, узлы
ее будут располагаться исключительно на прямых, перпендикулярных к
подкладке (рис. 33), независимо от син-гонии кристаллов, образующих
текстуру. Кольца обратной решетки текстуры лежат вследствие этого на
коаксиальных цилиндрах, ось которых и есть ось текстуры (рис. 34). Такое
расположение колец является важнейшим признаком, характерным для обратной
решетки пластинчатых текстур.
Установим теперь соответствие между координатами узлов обратной решетки и
координатами рефлексов электронограммы [8].
оо
плоскость тладки
Рис. 33. Расположение узлов обратной решетки пластинчатой текстуры на
прямых, параллельных оси текстуры и перпендикулярных к грани, которой
кристаллики лежат на подкладке.
Рис. 34. Расположение кольцевых узлов обратной решетки текстуры на
коаксиальных цилиндрах.
На рис. 35 декартовы оси х и у расположены в плоскости подкладки, которой
параллельна какая-то важная кристаллографическая грань кристаллов
текстуры. Ось z (нормаль грани) совпадает, как указано выше, по
направлению с одной из осей обратной решетки, которую для определенности
примем за ось с*. Рассматривая в качестве общего случая триклинную
решетку, направим ось Ь* так, чтобы она проектировалась на ось у.
Проекция оси а* не совпадает с осью х, так как угол у* =4= 90°.
Координаты узла hkl в системе координат обратной решетки будут ha*, kb*,
1с*. Декартовы координаты узла выразятся следующим
образом:
x - ha* sin (3* sin у' = /гА sin у', (13а)
y = ha* sin (3* cosy' kb* sin a* =hA cosy' -f- кВ, (136)
z = ha* cos (3* 4" kb* cos a* Ic*, (13b)
59
где
A=a*sinji* и 2? = Z>* sin а*.
(13г)
Угол у'= 180° - у и, являясь проекцией угла у*, определяется
соотношением:
cos a* cos ft* - cos у*
COS
г
sin а* sin ft*
Так как ось текстуры - ось с*, то каждый узел hkl обратной решетки,
превратившись в кольцо, характеризуется не тремя координа-
Рис. 35. Оси координат в обратной решетке. Вектор Н проведен к узлу
