Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Вавилов В.С. -> "Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках" -> 72

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках — М.: Наука, 1981. — 368 c.
Скачать (прямая ссылка): mehanizmiobrabotki1981.pdf
Предыдущая << 1 .. 66 67 68 69 70 71 < 72 > 73 74 75 76 77 78 .. 135 >> Следующая


тп о • >=3 • 107 см-2 • с-1). На облучае-

100 нзВ элем троны „

I I ; I I i мом участке Cdb генерировались

I | | | | | j радиолитические S и Cd, которые

вначале были распределены в слое, соответствующем глубине проникновения а-частиц (~6 мкм). Ми-

CdS

Флупвесценция СлойЪ или Cd грация S и Cd активировалась

—облучением CdS гамма-лучами

_ ....... ... 60Со (350 P/с) или мягкими рент-

геновскими квантами (100 Р/с).

мента6'1 ПО ^исследованию Свободные S и Cd в процессе нпз-проникновения s или cd котемпературной диффузии прони-

из поверхностного источ- ____ „,т „_

ника в cds [38]. кали через всю толщину кристал-

ла (100 мкм) и скапливались на противоположной облучаемой а-частицами стороне кристалла CdS.

При раздельном облучении гамма-квантами или рентгеновским излучением на участках а, Ъ, с и d кристалла (см. рис. 6.14) Cd скапливается аналогичным образом. В случае одновременного воздействия а-частицами и ионизирующей радиацией характер распределения Cd па поверхности существенно меняется. Происходит преимущественное декорирование участка d поверхности, противоположной облучаемой а-частицами.

Кривые рис. 6.15 иллюстрируют кинетику скопления Cd (и S) за время диффузионного эксперимента. Здесь по оси ординат отложено отношение площади S,, занятой радиационными дефектами, к полной поверхности образца S0 [43]. Оценка количества Cd проводилась методом нейтронно-активационного анализа угольных реплпк, снятых с поверхности образцов до и после облучения.

Отношение массы Cd, скопившегося па разных участках поверхности а, Ь, с и d (см. рис. 6.14) при дозе 8 • 108 Р, было примерно Ма ¦ Мь: Мс • Md — 1 : 0,1 : 1 : 5. Количество Cd, скопившегося на участке d, находилось в пределах (10~5—10-4) г/смг. Таким образом, на участке d кристалла CdS происходило скопление радиационных
i 2] СТИМУЛИРОВАННАЯ ИЗЛУЧЕНИЕМ ДИФФУЗИЯ АТОМОВ 207

ct-ттицы 2ЛР^Е=5,1МзВ

Рентген- ила у-лут

Рис. 6.14. Схема опыта по низкотемпературной диффузии радиационных

дефектов б кристаллах CdS [40].

Фх,

2 4 В 8 10 12

t, 10г ч

Рис. 6.15. Кинетические кривые скопления радиационных нарушений Cd и S на поверхности CdS при раздельном облучении кристаллов а-части-цами (1) или гамма-лучами (2) и совместном воздействии а-частицами и гамма-лучами (3, 4). Кривая 3 соответствует стороне d, 4 — стороне b

[43].
208

ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ДИФФУЗИЮ

[ГЛ. 6

дефектов структуры, генерированных а-частицамп в CdS на глубине «6 мкм. Процесс выхода Cd и S на противоположную облучаемой а-частицами сторону кристалла инициирован низкотемпературной стимулированной ионизирующим излучением (рентгеновскими квантами или гамма-лучами) миграцией свободных атомов. Отсутствие эффекта на стороне Ъ авторы объясняют радиационным отжигом собственных дефектов («залечиванием» решетки), производимым совместным облучением а-частицами и квантами.

Механизм низкотемпературной миграции S в кристаллах CdS определен на основе результатов опытов, в которых концентрацию неравновесных вакансий варьировали: 1) прогревом кристаллов в парах S (3 атм, 870 К), приводящим к «залечиванию» анионной подрешетки;

2) прогревом в парах Cd (0,5 атм, 970 К), «залечивающим» кадмиевые вакансии, и 3) предварительным облучением CdS дефектообразующим излучением (см. гл. 5).

Было установлено, что коэффициент низкотемпературной миграции существенно возрастает при внесении дополнительной (сверх термодинамически равновесной) концентрации вакансий и значительно падает при «залечивании» их прогревом в парах S. Низкотемпературная миграция S ускоряется облучением CdS гамма-квантами. Как видно из рис. 5.11, коэффициент стимулированной диффузии существенно увеличивается при внесении дополнительной концентрации вакансий, остается без изменения при прогреве образцов в атмосфере паров Cd и значительно падает после прогрева CdS в парах S. На основе этих данных предполагалось, что в поле ионизирующего излучения S (Cd) диффундирует по собственным вакансиям.

Радиационпо-стимулированная диффузия водорода и дейтерия в монокристаллах MgO описана Ченом и др. [441. Низкотемпературная миграция исследовалась методом ИК спектроскопии. В исходных кристаллах Н (или D) располагается в узлах решетки, что было определено по ИК спектру групп О—Н или О—D (рис. 6.16). Высо-котемпературный отжиг при Т0тж = 800 К и выше не вызывает изменений в спектре. При облучении MgO электронами с энергией 2 МэВ (при плотности потока частиц
Предыдущая << 1 .. 66 67 68 69 70 71 < 72 > 73 74 75 76 77 78 .. 135 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed