Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
67. Gvosdover R. S., Efremenkova V, М., Shelyakin L. B., Yuraso-va V. E.— Rad. Eff., 1976, v. 27, p. 237.
68. Ефременкова В. H. Автореф. канд. дисс,— М., 1978.
346
ЛИТЕРАТУРА
69. Komolova L. F., Efremenkova V. N., Saparin G, V.— Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 35, p. K5.
70. Еловиков С. С. Автореф. капд. дисс.— М., 1974.
71. Бабаев В. Г. Автореф. канд. дисс.— М., 1977.
72. Карлслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел.— М.: Наука. 1964, с. 227.
73. Оеп О. S.— In: Rad. Eff. in Semicond./Ed. F. L. Vook.— N. Y.: Plenum Press, 1968, p. 264.
74. Витовский II. А., Клингер М. II., Машовец Т. В. и др.— ФТП,
1979, т. 13, с. 925.
75. Ок А. М. Автореф. капд. дисс.— М., 1979.
К ГЛАВЕ G
1. Дине Дж., Дамаск А. Точечные дефекты в твердых телах,— М.: Мир, 1972.
2. Конобеевский С. Т. Действие облучения па материалы.— М.: Атомиздат, 1967.
3. Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках.— Л.: Наука, 1972.
Атомная диффузия в полупроводштках/Под ред. Д. Шоу.— М.: Мир, 1975.
4. Быстров Л. Н. Автореф. докт. дисс.— Киев, 1972.
5. Шалаев А. М. Радиациоппо-стнмулировапная диффузия в металлах.— М.: Мир, 1972.
6. Данилин А. Б.— Зарубежная электронная техника, 1974, т. 8, с. 31.
7. Дефекты структуры в полупроводнпках/Под ред. Л. С. Смирнова.— Новосибирск: Наука, СО, 1973, с. 201, 208.
8. Физические процессы в облученных полупроводпиках/Под ред. Л. С. Смирнова.— Новосибирск: Наука, СО, 1977.
Вопросы радиационной технологии полупроводников/Под ред. Л. С. Смирнова.— Новосибирск: Наука, СО, 1980.
9. Карманов В. Г.— ФТП, 1977, т. И, с. 1871.
Павлов П. В., Пашков В. И., Тетельбаум Д. П., Успенская Г. И.— В кн.: Материалы II Европейского конгресса.— Кестхей, Венгрия, 1974, с. 92.
Успенская Г. И. Автореф. канд. дисс.— Горький, 1976.
10. Peterson N. L., Ogilvie R. Е,— Trans. Met. Soc. AIME, 1959, v. 215, p. 873.
11. Baruch P., Constantin C., Pfister J. C., Saintesprit M. R.— Disc.! Faraday Soc., 1961, v. 31, p. 76.
Pfister J. C., Baruch P.— J. Phys. Soc. Jap., 1963, v. 18, p. 251; In: Proc. Rad. Damage in Semicond., Paris, 1963, p. 3, 43.
12. Baruch P., Bouvatier М., Picard C. et al.— J. Phys. (France) C5, 1973, v. 34, p. 161.
Baruch P., Monnier J., Blanchard B., Castaimg C.~ Appl. Phys. Lett., 1975, v. 26, p. 77; In: Ion Implant, in Semicond., Sci. and Tech./Ed. S. Namba.—N. Y.— L.: Plenum Press, 1975, p. 189; In: Lattice Defects in Semicond., Conf. Ser. № 23, Inst, of Phys., London — Bristol, 1975, p. 453.
13. Minear R. L., Nelson D. G., Gibbons J. F.— J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 3468.
ЛИТЕРАТУРА
347
Gibbons J. F.— Appl. Phyg. Lett., 1973, v. 23, p. 49; J. Appl. Phys., 1973, v. 8, p. 3468.
Beezhold W.— Appl. Phys. Lett., 1974, v. 24, p. 540.
14. Kleinfelder W. J., Johnson W. S., Gibbons J. F.— Canad. J. Phys., 1968, v. 46, p. 597.
15. Strack Д.— J. Appl., Phys., 1963, v. 34, p. 2405; Research on the Influence of Surface Conditions of Diffusion in Si.— Contract M DA-O4-2OO-ORD-H66 (X), 1964, p. 1.
16. Nelson D. G., Gibbons J. F., Johnson W. S.— Appl. Phys. Lett.,
1969, v. 15, p. 246.
17. Brelot A.— In: Proc. Santa Fe Conf on Rad. Eff. in Semicond./Ed. F. L. Vook.— N. Y.: Plenum Press, 1968, p. 460.
Brelot A., Newman R. C.— In: Proc. Int. Conf. of Rad. Dam. and Def. in Semicond.— N. Y.: Plenum Press, 1972, p. 170.
18. Saint Yves.— J. Microsc. and Spectrosc. Electrons, 1977, v. 2, p. 89.
19. Сгась В. Ф., Смирнов Jl. С.— ФТП, 1979, т. 13, с. 456.
20. Oh тага Y., Mimura S., Kanazawa M. et al.— Rad. Eff., 1972, v. 15, p. 167.
21. Болтакс Б. И., Савин Э. П.— ФТП, 1970, т. 4, с. 567; 1971, т. 5, с. 1331.
22. ДасМег W. A., Kikuchi Ch.— Nucl. Sci. and Engin., 1968, v. 31, p. 175.
23. Вишневский II. II., Давыдов А. В.— ФТТ, 1970, т. 12, с. 2476.
24. Gamo К., Masuda К., Namba S. et al.— Appl. Phys. Lett., 1970, v. 17, p. 391; Jap. J. Appl. Phys., 1970, v. 9, p. 333; 1971, v. 10, p. 523.
25. Doi A., Masuda K., Namba S. et al.— Rad. Eff., 1970, v. 6, p. 115; Appl. Phys. Lett., 1970, v. 17, p. 391.
26. Itoh Т., Ohomari J.— J. Appl. Phys., 1969, v. 41, p. 434.
27. Igras E., Warminski T.— Phys. Stat. Sol., 1967, v. 20, p. K5;
1968, v. 27, p. 67.
28. Igras E., Przyborski W., Warminski T.— Phys, Stat. Sol., 1969, v. 35, p. K107.
29. Аракелян В. С., Спицын В. И.—¦ ДАН СССР, 1966, т. 170, с. 1352.
Спицын В. И., Громов В. В., Аракелян В. С., Лысенко Н. Г.— ДАН СССР, 1968, т. 182, с. 390.
Аракелян В. С.— Атомная техника за рубежом, 1969, с. 29. Аракелян В. С., Спицын В. И.— ДАН СССР, 1973, т. 214, с 1035
30. Дудко Г. В., Колегаев М. А., Пантелеев В. А.— ФТТ, 1969, т. 11, с. 1356.
31. Дудко Г. В., Маринина Н. И.. Сухов Г. В., Чередниченко Д. П.— ФТТ, 1970, т. 12, с. 1292.
32. Пантелеев В. А,— ФТТ, 1965, т. 7, с. 922.
Пантелеев В. А., Барышев Р. С.— ФТТ, 1974, т. 16, с. 2670. Пантелеев В. А.— В кн.: Диффузия в металлах и сплавах.— Тула, 1968, с. 99.
