Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
31. Мордкович В. II., Темпер Э. М.— ФТП, 1909, т. 3, с. 440.
32. Вавилов В. С., У хин И. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.— М.: Атомиздат, 1909.
33. Конозенко И. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. II. Радиационные эффекты в кремнии.— Киев: Паукова думка, 1974.
34. Физические процессы в облученных иолупроводпиках/Под ред. Л. С. Смирнова.— Новосибирск: Паука. СО, 1977, с. 5.
35. Cheng L. Z., Lori Л—Phys. Rev. В, 1970, v. 1, p. 1558.
30. Коноплева P. Ф., Новиков С. Р., Рубинова Э. Э.— ФТТ, 1906, т. 8, с. 321.
37. Spear W. Е — Phys. Rev., 1958, v. 112, p. 362.
38. Овсюк В. Н., Смирнов Л. С.— ФТТ, 1964, т. 0, с. 3031.
Смирнов Л. С. Автореф. капд. дисс.— М., 1901.
ЗУ. Аброяп II. А., Цехновичер Л. А.— ФТП, 1908, т. 2, с. 1221.
40. Аброян И. А.— УФН, 1971, т. 100, с. 15.
41. Norris С. В.— .Т. Appl. Pliys., 1972, v. 43, p. 4060.
Norris С. В., Brower К. L., Vook F. L.— Rad. Eff., 1973, v. 18,
p. 65.
42. Norris С. B., EerNisse E. P.— J. Appl. Pliys., 1974, v. 45, p. 3870. Norris С. B.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 3223.
43. Joyce B. A., Neave J. H.— Surf. Sci., 1973, v. 34,. p. 401.
44. Вавилов В. С., Винтовкин С. И., Люгович А. И. и др.— ФТТ, 1965, т. 7, с. 502.
45. Боровский И. Б. Физические основы рептгеноспектральных исследований.— М.: Изд-во МГУ, 1956.
46. Pooley D.— Pi'oc. Phys. Soc., 1966, v. 87, p. 245.
47. Alvarees Rivas J. A.— J. Phys. C: Sol. State Phys., 1970, v. 3, p. 1442.
48. Stein H. J.— J. Appl. Phys., 1966, v. 77, p. 3382.
49. Макаревич А. И., Райнес А. Ю., Курилович H. Ф.— В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов.— Киев: Нау-кова думка, 1967, с. 122.
ЛИТЕРАТУРА
343
50. Ниязова О. Р., Койфмап Л. И. Обзор № 2050: ЦНИИ информации.— М., 1979.
51. Ниязова О. Р.— В кн.: Препринт КИЯИ-76-24.— Киев, 1976, с. 52.
52. Ниязова О. Р., Климкова О. А.— ФТТ, 196G, т. 8, с. 375.
Ниязова О. Р. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1960.
53. Кие А. Е., Соловьев В. II.— В кн.: Методические материалы по машинному моделированию дефектов в кристаллах.— Кривой Рог, 1978, с. 59.
54. Кие А. Е., Мельник II. Г., Скорняков С. П., Якименко Г. Ф,— ФТП. 1973, т. 7, с. 017.
55. Панов В. II., Смирнов JI. С..ФТП, 1973, т. 7, с. 212.
56. Стародубцев С. В., Романов А. М. Прохождение заряженных частиц через вещество,— Ташкент: Нзд-во АН УзССР, 1962.
57. V аг! с у /. Я. О.— Nature, 1954, v. 174, p. 886.
58. Литовский II. А., Маиювец Т. В. и др.— ФТП, 1979, т. 13, с. 925.
59. Вавилов В. С., Он А. М., Чукичев М. В.— ФТП, 1979, т. 13, с. 645.
К ГЛАВЕ 5
1. Стародубцев С. В., Ниязова О. Р., Кие А. Е. Радиационные эффекты в сульфиде кадмия.— Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1963.
2. Действие излучения на полупроводники и пзоляторы/Отв. ред. С. М. Рывкип.— М.: ИЛ, 1954.
3. Стародубцев С. В., Ниязова О. Р.— Изв. АН УзССР: Сер. физмат., 1959, № 3, с. 72; 1960, № 4, с. 92; ДАН УзССР, 1960, т. 8, с. 17.
4. Ниязова О. Р. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1960.
5. Кие А. Е.— В кн.: Некоторые вопросы прикладной физики.— Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1960, с. 89.
6. Kulp В. A., Kelley R. Н,— J. Appl. Phys., 1960, v. 31, p. 1057.
7. Kulp В. A.— Phys. Rev., 1962, v. 125, p. 1865.
8. Стародубцев С. В., Ниязова О. Р., Канеев М. А.— ФТТ, 1967, т. 9, с. 872.
9. Канеев М. А. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1969.
10. Маннанова X. X. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1972.
11. Стародубцев С. В., Ниязова О. Р., Канеев М. А., Койфмаи А. И.— В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах и яшдкостях.— Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1967, сс. 43, 57.
12. Канеев М. А., Ниязова О. Р., Стародубцев С. В.—¦ В кн.: Радиа-ционно-стимулированные процессы в твердых телах.— Ташкент: Фап, 1969, с. 86.
13. Стародубцев С. Я., Ниязова О. Р., Канеев М. А.— ФТТ, 1963. т. 5, с. 2731; В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах.— Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1963, с. 141.
14. Канеев М. А., Ниязова О. Р., Ниязов X. Р.— В кп.: Радиацион-
но-стимулировапные процессы в твердых телах.— Ташкент: Фан, 1969, с. 63.
Канеев М. А., Ниязова О. Р.— В кн.: Тез. докл. на II Всесоюз. сими, по процессам роста и синтеза кристаллов и пленок.— Новосибирск: Наука, СО, 1969, с. 122.
Стародубцев С. Я., Ниязова О. Р., Канеев М. А.— В кп.: Тез. докл. на I Всесоюз. совещ. по диффузии в полупроводниках.— JT., 1964, с. 23.
344
ЛИТЕРАТУРА
15. Маннанова X. X., Ниязов X. Р., Ниязова О. Р.— В кн.: Радиацп-онно-стимулировапные процессы в твердых тепах.— Ташкент: Фан, 1969, с. 41.
16. Маннанова X. X., Ниязов X. Р., Ниязова О. Р.— В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках.— Мипск: Изд-во БГУ, 1972, с. 189; ФТП, 1971, т. 5, с. 275.
17. Маннанова X. X., Ниязов X. Р.— В кн.: Методы радиационных воздействий в исследовании твердых тел.— Ташкент: Фан, 1971, с, 72.
