Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
В [44] исследовались радиационные дефекты в поверхностных слоях Si при облучении нейтронами, протонами, электронами, рентгеновскими лучами, ионами В+ и Р+ МОП структур. Было установлено, что уровни дефектов вблизи поверхности одни и те же при воздействии жестких и допороговых излучений.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Исследования радиационных эффектов в полупроводниках позволили глубже заглянуть в микропроцессы образования и миграции дефектов кристаллической решетки. Многие выявившиеся закономерности носят достаточно общий характер, хотя в наиболее отчетливом виде проявились они при изучении радиационных процессов. Перестройки атомных конфигураций инициируются электронными возбуждениями в подавляющем большинстве случаев. Процессы ЭВ -*¦ СА отличаются большой универсальностью.
Как было отмечено, упругие передачи энергии атомам в припороговой области приводят к возбужденным состояниям химических связей, обусловленным искажением геометрии кристалла и изменением характера гибридизации электронных состояний. Релаксация возбужденных состояний такого типа создает особые условия для образования и миграции дефектов.
Установлено, что при воздействии высокоэнергетических излучений на полупроводники всегда велик вклад низкоэнергетической компоненты, возникающей в результате последовательного размена энергии быстрой частицы в кристалле. Поэтому особый интерес представляет изучение непосредственного воздействия низкоэнергетических излучений на полупроводники. Это направление, связанное с различного типа допороговыми эффектами, получило широкое развитие. По-видимому, не исключается возможность того, что создание только допороговых дефектов приводит к специфической картине структурных нарушений, отражающей некое метастабильное состояние — промежуточный этап перед возникновением обычных точечных дефектов.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
331
Несмотря на большой экспериментальный материал, описанный в литературе и, вероятно, в большой степени представленный в настоящей книге, многие результаты требуют дальнейшего уточнения, развития и проверки. Дальнейшие исследования допороговых эффектов безусловно необходимы для углубления наших представлений о процессах возникновения и эволюции простейших структурных нарушений в полупроводниках.
Новые сведения о механизмах атомных перестроек в алмазоподобных кристаллах могут быть получены путем квантовохимического моделирования динамики атомов. Квантовохимическос моделирование, обладая ограниченной точностью, позволяет получать важную качественную информацию о характере атомных перестроек и временной эволюции примесно-дефектных комплексов. Сочетание полуэмпирических методов квантовой химии с машинным моделированием динамики атомов повысило степень достоверности расчетных данных о параметрах точечных дефектов в алмазоподобных кристаллах. Получили объяснение различные экспериментальные результаты по низкотемпературной перестройке атомных конфигураций в полупроводниках. Но много еще предстоит выяснить. И этому будут способствовать новые теоретические и экспериментальные исследования.
ЛИТЕРАТУРА
К ПРЕДИСЛОВИЮ
1. Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.— М.: Атомиздат, 1969.
2. Дине Дж., Винъярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах— М.: ИЛ, 1960.
3. Billington D. S., Crawford J. H. Radiation Damage in Solids.— Princeton: Princeton Univ. Press, 1961.
4. Конобеевский С. Т. Действие облучения на материалы.— М.: Атомиздат, 1967.
5. Varley J. Н. О.— J. Nucl. Energy, 1954, v. 1, p. 130; Nature, 1954, v. 174, p. 886.
6. Лущик Ч. В., Витол И. К., Эланго М. А.— УФН, 1977, т. 122, с. 223.
7. Радиационно-активируемые процессы в кремшш/Под ред. Ш. А. Вахидова.— Ташкент: Фан, 1977.
8. Vavilov V. S., Kiv А. Е., Niyazova О. R.— Phys. Stat. Sol. (a), 1975, v. 32, p. 11.
9. Физические процессы в облученных полупроводниках/Под ред. Л. С. Смирнова.— Новосибирск: Наука, СО, 1977.
Вопросы радиационной технологии полупроводнпков/Под ред. Л. С. Смирнова.— Новосибирск: Наука, СО, 1980.
10. Винецкий В. Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников.— Киев: Паукова думка, 1979.
И. Атомная диффузия в полупроводниках/Под ред. Д. Шоу.— М.: Мир, 1975.
К ГЛАВЕ 1
1. Френкель Я. И. Введение в теорию металлов.— М.: Физматгиз, 1958.
2. Винецкий В. Л., Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках.— Киев: Наукова думка, 1969.
3. Винецкий В. Л., Чайка Г. Е.— В кн.: Тез. докл. IX совещ. по теории полупроводников.— Тбилиси: Изд-во ТГУ, 1978, с. 84.
4. Ясковец И. И. Автореф. канд. дисс.— Киев, 1978.
5. Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры.— М.: Мир, 1969.
ЛИТЕРАТУРА
333
6. Siman J. М.— J. Phys. С: Sol. State Phys., 1971, v. 26, p. 3. Займан Дж. Принципы теории твердого тела.— М.: Мир, 1974.
7. Гурский В. А., Гурский 3. А, Препринт ИТФ-75-58Р, ИТФ-75-120Р,— Киев, 1975.
