Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Уиллардон Р. -> "Оптические свойства полупроводников" -> 6

Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.

Уиллардон Р. Оптические свойства полупроводников — Мир, 1970. — 488 c.
Скачать (прямая ссылка): opticheskiesvoystvapoluprovodnikov1970.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 165 >> Следующая


19

воровав для фосфида галлия Клейнманом и Спитцером [12], для антимоиида алюминия Тернером и Ризом 113], для арсенида галлия Ивасой и др. [14] и для фосфида бора Гайлисом и др. [15]. Частоты ©0 и (I)1 можно также независимо определить по данным об одно-фононяом инфракрасном поглощении или по измеренному спектру отражения тонких пленок. Такие измерения были проведены для арсенида галлия Ивасой и др. [ 14], а для антимонида индия — Вагнером [16J. Были также проведены исследования твердых растворов арсенида и антимонида галлия и арсенида и фосфида

Фиг. 2. Спектры решеточного отражения различных полупроводниковых

соединений типа A111Bv (из работы Хэсса и Хеивиса [11[). Сплошная кривая — экспериментальные данные; пунктирнал кривая вычислена на основе модели одного классического дисперсионного осциллятора. Образцы lnSfl, InAs, GaAs и GaSb исеяедонаны при температуре жидкого геяяя, я образцы AlSb и InP- При комнатной температуре.

галлия в инфракрасной области для определения собственных частот решетки [17—19]. В спектре поглощения фосфида бора также имеется волоса, связанная, по-видимому, с собственной частотой ш0 120]. Во всех соединениях, кроне антимопида индия, концентрация носителей была достаточно низкой, так что отражение на свободных носителях при комнатной температуре было пренебрежимо малым.

На фиг. 2—4 представлены экспериментально полученные спектры решеточного отражения. Там же построены спектры отражения, рассчитанные теоретически при оптимальном подборе параметров одного осциллятора. Сравнение тех и других показы-

2* Фиг. 3. Спектр решеточного отражения AlSb (из работы Тернера и Риза

[121).

Экспериментальные данные показаны точпами, а сплошная кривая вычислена на осполс модели одного классического дисперсионного осциллятора.

Длина волны, мк

Фиг. 4. Спектр решеточного отражения GaP (из работы Клеймана и Спит-¦ цера [12]).

Экспериментальные данные показаны точками, а сплошная кривая вычислена на основе подели одного анассического дисперсионного осциллятора. Гл. 1. Решеточное отражение

21

вает, что модель одного осциллятора удовлетворительно согласуется с экспериментальными результатами. В этом отношении соединения A111Bv резко отличаются от щелочногалоидных кристаллов, для которых модель одного осциллятора не дает согласия с экспериментом. Небольшое расхождение теоретических и экспериментальных кривых для соединений AlnBv, вероятно, связано с поверхностными эффектами. Так, в случае фосфида галлия [12] наблюдалось увеличение максимума отражательной способности При травлении поверхности.

В табл. 1 приведены значения -V0, Vi и у (v = и/2лс), которые дают наилучшее согласие с экспериментом. Приближенно эти

Таблица 1

Поперечные и продольные частоты для длинноволновых фоионов

Соединение

Литератур3

Вид измерения

Температура

vo, cj4-1

vi, ем-1 Y/ШО - (й>0 "- 2nCVo)
197,2±2 193.3 190.4 191,3 189 2 243,3+2 348,5±2 <0,01 0,007 0 016 <О!ОІ5 0,024+0 002 <0,01 ~ 0,01
345,0±0,3 -
349,5±0 3 240,3+2 297 3+2 294 2+0,5 290 5+0 5 291 jo+0,5 285 +6 <0,01 <0,01 0 007 0,007
291,9±0,3 -
296 4±0,3 401,9+0,7 403,0+0,5 0,003+0,0005
397,0+0,5 403,0+0 5 402 339 6+0 5 339,9+0,6 0,0059 ±0,0005
344,4±0,5 -
835 1340 -

InSb

InAs InP

GaSb GaAs

GaP

AlSb

BP

BP BN

[10]

[5] [51

[16] [10] [И]

[28]

]28] 1ЮІ

[10]



[14]

[14] [22]

[28J

[28 [ [12] [28]

[28] [28] [26] [13] [28]

[28] [20]

[15] [15]

Отражение

Пропускание Отражение

Рамаиовский

эффект То же

Отражение »

Пропускание »

Отражение Нейтронное рассеяние Раиаповский

эффект То жо Отражение Рамаиовский

аффект То же

Отражение Pa мало в скид

эффект То же

Пропускание Отражение

Гелиевая IOO0K 300° К 300° К 300° К Гелиевая Комнатная То же

Гелиевая

296° К 206° К 296° К

Комнатная Гелиевая 300° К Комнатная 200° С Гелиевая 20° К 300° К Комнатная Гелиевая Комнатная То же

184,7±3 183,0 179 1 180,2±0,5 180,2±0,1 218,9±3 307,2+3

303,7±0,3

308,2±0,3 230 5 ±3 273,3±3 272,4±0,5 268 2±0 5 268>+0',5 267 +3

268,6+0,3

273,1+0,3 366 3±0,7 367^3+1

359,3+1 365,6+1 366 318,8+0,5 318,9+0,5

323,4±0,5 820

820 1065 М. Xmc

величины можно оценить по виду экспериментальных графиков, но точные значения (которые и приведены в табл. 1) находятся при помощи электронно-вычислительных машин. Частоты V0 и V1 определяются с хорошей точностью, а точность определения величины у гораздо меньше, поскольку точность определения этого параметра сильно зависит от точности измерения максимума коэффициента отражения.

В идеальном кристалле относительное затухание у/со0 должно быть очень малым. В реальном кристалле главный вклад в зату-

GaAs

InP

/USb

3W 300 2S0 220

220 га зоо т

Ф и г. 5. Рамановскив спектры GaAs, InP и AlSb при комнатной температуре (из работы Мурадяна и Райта [28]). Слева — антистоксовские, справа — стоиеопские.

хание, по-видимому, связан с энгармонизмом решетки. В щелочно-галоидных кристаллах, где энгармонизм, судя по ряду других данных, должен быть больше, чем в AntBv1 относительное затухание у/ч>д также должно быть примерно на порядок больше [21], чем измеренные значения для AntBv. В полупроводниках AltlBv, кроме основной линии резонансного поглощения, которая хорошо описывается моделью простого классического осциллятора, имеются также более слабые полосы поглощения, которые не описываются этой моделью. Поскольку зти полосы значительно слабее основного резонанса, они не проявляются в спектрах отражения (если не считать некоторых особых случаев), но они хорошо видны в спектрах поглощения толстых образцов (см. гл. 2).
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 165 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed