Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Уиллардон Р. -> "Оптические свойства полупроводников" -> 41

Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.

Уиллардон Р. Оптические свойства полупроводников — Мир, 1970. — 488 c.
Скачать (прямая ссылка): opticheskiesvoystvapoluprovodnikov1970.djvu
Предыдущая << 1 .. 35 36 37 38 39 40 < 41 > 42 43 44 45 46 47 .. 165 >> Следующая

23. С а r d о n a M., Jonrn. Appl. Phys., 32, 95? (1961).

24. Cardona M., Sommers II. S., Phys. Rev., 122 1382 (1961).

25. Morrison R. E., phys. Rev., 124, 1314 (1961).

26. Greenaway D. L., Phys. Rev. Lett.. 9, 97 (1962).

27. S a s a k і Т., Ishiguru K.. Phys. Rev., 127. 1091 (1962),

28. Bode H., Network Analysis and Feedback Amplifier Design Princeton. New York, 1945, Ch. 14.

29. T o] 1 J. S.. Phys. Rev., 104, 1760 (195C).

30. K r a m e r s H. A., Atti Congr. Intern. Fis., Come 2, 515 (1927); Phys. 7.s., 30, 522 (1929).

31. De Kronig R. L., Jouni. Opt. Soc. Am., 12, 547 (1926)- Phys. Rev. 30, 521 (1929).

32. J a h о d a F. C., Phys. Kev., 107 1261 (1957).

33. Moss T. S., Optical ProperLies of SeFni-Co:uductore, London, 1959, ch. 2 (имеется и ер en од: Т. M о с с, Оптические с вой ет па полупроводников ИЛ, 1961, Гл. 2).

34. T h о m a S D. E., Roll System Tech. Journ., 26, 870 (1947). Гл. 4. Оптические свойства в области фундамент, полосы, поглощения 135

35. H і 1 S и m С.. H о S е - I л и е S А. С., Simiconductins III—V Compounds, New York, 1961 (имеется перевод: К. X и л с у м, A. P о у з - И гт с, Полупроводники типа AnlBv1 ИЛ, 1963). 3<5. IIass M., HeDvis В. W., Journ. Phys. Chem. S0I.. 23, 1099 (1962).

37. Marplc D. Т. F.. Journ. Appl. Phys., 35, 1241 (19П4).

38. SaIzberg С.. V і 11 a J., Journ. OpL. Soc. Am., 47, 2iA (1957).

39. Slern К, Phys. Rev., 133, Л1653 (1964).

40. Г hi Ii р р Н. R., E hr с п г е і с h II.. Pb\s. Rev.. 131, 2016 (1953).

41. Powell С. J., Proc. Phys. Soc., 76, 593 (I960).

42. Dimigen H.. Zs. Phyjs., 165, 53 (1961).

43. Gaffthe П., Гhys. Rev., 114, 12R5 (1959).

\'t. Philipp П. R., E h г е n г е і с h H., Joom. Appl. Phys., 35, И16 (19С4).

45. Cardona M.. G г е е ,f a w а у D. L., Phys. Rov., 133. А1685 (19(54).

46. D a S h W. С., Newman R., Phys. Rev., 99, 1151 (1955).

47. Pines D., Elementary Exitalioris in Solid«, Now York. 1963 (имеете» це ре под: Д. П а й н с, Элементарные возбуждения в твердых телах, (13Д-ВО «М"р», 1965).

4S. Ehrenroieh Il., Cohen М. H.. Phys. Rev., 115, 786 (1959).

49. Adler S. L., Pl,ys. Rev., 12(5, 413 (1962).

50. Bassaui К. Colli V., Journ. Phys. Chem. .SoI., 20, 64 (1961).

51. V а (і V 1 e с k J. H., W e і s s k о p { V. Rev. Mod. Phys., 17, 227 (1945).

52. K a r p 1 u s R., S с h w і n g e r J.. Phys. Rev., 73. 1020 (1938).

53. Hagslrum H. D., Phys. Rev., 122, 8.3 (19G1).

54. Herman F., Skillraan S., п khhf-є Proe. Intern. Conf. Semicotid. Phys., Prague, 19(11, p. 20.

55. Dunlap W. C., Walters R. L., Phys. Rov., 92, 1396 (1953).

56. Frohlteh H., Pelzer H., Proc. Phys. SifC., A68, 535 (1955).

57. Ritohio R. IT., Phys. Rev., 106, 874 (1957).

58. Ferrell R. A., Pbys. Rev.. 107, 450 (1957).

59. Ichikawa Y. II., Thys. Rev., 109. (553 (1958).

60. M u о r 0 C. E., Atomic Energy Levels, Natl. Bur. Htd. Circ. 467, Vol. 2. Washington, D.C., 1952.

61. Сорокин О. M., Опт. и спектр., 16, 139 (1964).

62. W а 1 k е г W. С., R и S t g і О. P., Woisslor G. L., Journ. Opt. Stjc. Am., 49. i71 (1959).

63. Parratt L. G., Rev. Mod. Phys., 31 6Ці (1959).

64. Marple D. Т. F.. E h r e і, r e і с h H.. Phys. Rov. Lett., 8 87 (1962). €5. Robins J. L., Proc. I'hvs. Soc., 79, 119 (1962).

?6. Lin L., Pbys. Rev., 126,' 1317 (1П62). 5

ОПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В ОБЛАСТИ ФУНДАМЕНТАЛЬНОЙ ПОЛОСЫ

М. Кардона *)

§ 1. ВВЕДЕНИЕ

Исследование полосы собственного поглощения полупроводников — это мощное средство изучения структуры их энергетических зон. Исследуя край фундаментального поглощения (край собственной полосы поглощения с низкоэнергетической стороны), мы можем определить минимальный зазор между валентной зоной и зопой проводимости, а также выяснить характер переходов, соответствующих этому краю (разрешенные, запрещенные, прямые, непрямые) [Ц. Для соединений AinBv коэффициент поглощения вблизи края фундаментального поглощения резко возрастает до значений порядка IO4 см~1, а затем продолжает плавно расти с увеличением энергии фотона. Очень скоро коэффициент поглощения становится слитком большим для того, чтобы его мояшо было измерять на образцах, получаемых механической полировкой. Чтобы можно било проводить измерения пропускания При больших значениях энергии фотона, необходимы чрезвычайно тонкие образцы (~103 А), приготовлеппые особыми методами, например путем напыления в вакууме [21. Недавно [3] шлифованием, полировкой и химическим травлением целого кристалла были получены пленки германия, достаточно большие и тонкие для того, чтобы наблюдать их поглощение до 5 эв. При таком способе изготовления в качестве исходного материала необходимы монокристаллы очень высокого качества, и поэтому применение его к соедипениям A111Bv пока не приносит большого успеха.

В качестве косвенных методов измерения коэффициента поглощения можно указать эллипсометрические измерения в поляризованном свете 14], а также измерение отражения при нормальном падении с последующей обработкой этих данных при помощи дисперсионных соотношений Крамерса — Кронига 15, 6]. Такие методы, оспованные на измерении отраженного света, обычно не совсем надежны, поскольку результаты измерений очень сильно зависят от состояния поверхности исследуемого кристалла. Но если соблюдать необходимые предосторожности при обработке поверхности, на которой проводятся измерения, то получаются
Предыдущая << 1 .. 35 36 37 38 39 40 < 41 > 42 43 44 45 46 47 .. 165 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed