Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.
Скачать (прямая ссылка):
В третьем разделе описаны исследования оптических свойств полупроводников, связанных с внутризонными переходами элект-тронов (гл. 9, X. Фэн и гл. 10. 0. Па лик и Дж. Райт).
Наконец, в четвертом разделе (гл. 11, Б. Оерафип и X. Беннетт) тп(ательно собраны нее имеющиеся в настоящее время экспериментальные данные по оптическим параметрам соединений AlllBy. которые jrovKHo рассматривать как своего рода уникальный каталог оптических коис-тант этих соединений.
IlepeBOJi был выполнеи Jl, Б. З^аткипым (г.-г. 1), М. Л. Белле (гл. 2—5, 7. 9, И) и О. В. Константиновым (гл. В, 8, 10).
В целом настоявся книга весьма полно отражает результаты современных исследований оптических свойств полупроводников, особенно типа A111B^. Ряд весьма актуальных вопросов, изложенных в пей, впервые затрагивается в непериодической литературе. Можно надеяться, что она будет полезна и интересна очень широкому кругу специалистов — физиков и HHiiveHepOB, работающих в области изучения и применения полупроводников.
Е. Ф. Гросс
і) Ij I1o сне dings of International ScooI of Physics «FtDrico Femii», Course 34. New York, 196R. ИЗ Л РЕДИС ЛОВИ}] РЕДАКТОРОВ АМЕРИКАНСКОГО ИЗДАНИЯ
Исследования физических свойств полупроводниковых и полуметаллических соединений, особенно активизировавшиеся в последнее десятилетие, Привели И более глубокому пониманию физики твердых тел вообще. Такой прогресс оказался возмогшим благодаря значительным успехам в технике приготовления материалов. Наличие большого числа соединений с весьма разнообразными н часто уникальными свойствами давало возможность исследователям не только открывать новые явления, но и подбирать материалы с оптимальными свойствами для конкретных экспериментальных п теоретических работ.
При столь интенсивном развитии возникает необходимость в серии книг, посвященной комплексному изложению экспериментальных .методик и теорий. К таким книгам предъявляется серьезное требование — они должны давать не только суть опубликованного, по и значительное количество нового материала. Ввиду узкой специализаций затрагиваемых вопросов приходится идти на то, что различные главы будут написаны разными авторами- Чтобы укомплектовать каждый том с необходимой детальностью и полнотой, издатели бралй статьи десяти-пятнадцати акторов. Значительная часть материала книг относится к сведениям фундаментальной важности по физике твердого тела и имеет непреходящую ценность. Хотя паїїіа серия носит характер обзоров по основным взаимосвязанным вопросам, книгами серии можно пользоваться как учебными пособиями.
Исследования соединений III и V групп дали особенно важный вклад в физику твердого тела, а поэтому первые тома серни посвя-щены физике подобных Соединений. В первом томе основное внимание обращено на такие фундаментальные свойства соединений A111Bv, как зонная структура, явления в магнитном иоле и плазменные эффекты. Во втором томе собраны работы по тепловым явлениям, магнитному резонансу и фотоэлектрическим эффектам, а также UO излучательпой рекомбинации и стимулированной эмиссии. Настоящий том, посвященный оптическим свойствам, охватывает аффекты, связанные с динамикой кристаллической решетки, собственное поглощение, явления, обусловленные в лик- 10
Ия предисловия редакп/оров американского издания
нием свободных носителей, и фотоэлектрические явления. Б четвертый том будут включены работы по термодинамическим свойствам. фазовым диаграммам, диффузии, твердости, свойствам твердых растворов, а также исследования влияния сильных электрических полей, гидростатического давления, радиоактивного облучения, большой концентрации примесей и неоднородности в распределении примесей на электрические и другие свойства соединений A1IiBv.
Редарторм выражают признательность авторам, а так^с другим лицам, благодаря деятельности которых оказалось возможным издание данной серии.
Май 1(167 г,
Г, Уиллардсон А, Вир I
ОПТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ, СВЯЗАННЫЕ С ДИНАМИКОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ 1
РЕШЕТОЧНОЕ ОТРАЖЕНИЕ
М. Хэсс *)
§ 1. ВВЕДЕНИЕ
Основная информация, которую может дать изучение инфракрасных спектров решеточного отражения полупроводниковых соединений III—V групп,— это частоти поперечных и продольных оптических мод длинноволновых колебаний х). Частоты поперечних и продольных колебаний представляют интерес не только сами по себе, но и с точки зрения вычисления параметров эффективного заряда, который служит количественным критерием полярности соединения. Степень ионности можно связать с подвижностью свободных носителей в определенной области температур.
В начале статьи мы кратко остановимся на вопросе о методах экспериментального исследования решеточного отражения и методах анализа экспериментальных данных. Затем дается обзор экспериментальных данных по спектрам решеточного отражения полупроводниковых соединений IIIhV групп и приводятся параметры кристаллов, вычисленные по этим данным. В заключение мы скажем несколько слов о параметре эффективного заряда и о различных его определениях.
§ 2, ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ
