Оптические свойства полупроводников - Уиллардон Р.
Скачать (прямая ссылка):
Исследование ЭКСЛТ01ШЫХ спектров привело к обнаружению в кристаллах ряда новых явлений, как, например, диамагнитного эффекта Зоемапа, эффекта магпито-оптическнх оецнлляций, эффекта инверсии магнитного поля в зее.чановском расщеплении, который не наблюдается в спектрах свободных атомов и связан с движением экситонов в кристаллах.
Можно думать, что и в будущем новая оптика кристаллов — нелинейная оптика, возникшая с открытием оптических квантовых генераторов (лазеров), позволит обнаружить новые интересные явления в физике твердого тела.
Есть основания полагать, например, что в интересном вопросе о реальном существовании в кристаллах процессов, связанных с бозе-эйнштейновской конденсацией экситонов, широко обсуждаемом теоретически в последнее время, решающую роль в изучении этого явления будут играть оптические экспериментальные исследования.
Все вышесказанное даст основание считать оправданным перевод и издание книги «Оптические свойства полупроводников», где основное внимание уделено полупроводниковым соединениям элементов III И V групп периодической СИСТЄ5Ш Менделеева (кратко A111B^7). Эти соединения получили в последние годы очеіц. Предисловие к русскому издиUivo
широкое распространение в качестве материалов для различных полупроводниковых приборов. Параллельно с развитием технологических методов, позволяющих получать все более чистые и совершенные кристаллы с заданными свойствами, интенсивно изучались физические свойства этих соединений.
Особенно важными и интересными с научной а прикладной точек зрения являются, как отмечалось выше, оптические свойства этих веществ. В этом области и настоящему времени накоплен очень обширный и богатый материал, который частично отражен в ря.че книг по полупроводникам, вышедших в последние ro:u>i ')-Данная книга в отличие от указанных не относится к монографиям, посвященным какой-либо одной стороне проблемы оптических свойств полупроводников, а представляет собой коллективную монографию энциклопедического характера, содержащую результаты последних экспериментальных и теоретических исследований оптичесъ'их свойств полупроводниковых соединений типа AlllBs и довольно полную библиографию по этим вопросам. Авторы статей-глав книги — крупные ученые, виднейшие специалисты в соответствующих областях. Книга вышла в серии коллективных монографий ((Полупроводники и полуметаллы», издаваемой в ОША под редакцией Уиллардсона и Вира, и является третьим се томом-
Настоящее издание по содержанию несколько отличается от американского оригинала. Опущены главы «Введение в теорию эксщоппых состояний в полупроводниках»2) {автор Дгк. Диммок), «Межзонные магнетооптические эффекты» {авторы Б. JTaKo и Д;к. Мавройдес) и «Фотоэлектронный анализ» {автор Р. Бьюб), в основном в связи с ограниченным объемом русского издания. Одновременно было сочтено целесообразным включить в книгу интересный обзор Дж. Филлипса «Экситоны» в качестве гл. 7, в котором хорошо изложены новые идеи, важные для проблемы экеитонов, и обзор Г. Дресоелі.хауза и М. С. Дрессельхсауз но магнетооптическим эффектам в качестве гл. В. Этот обзор в некоторых разделах перекрывает опущенную главу Лякса и Маоройдеса.
') О. M а д с л у г г, Физика цолуцроводнлковых соединении Ш л V групп (изд-во Шир*, 1967): К. X и л с у м и A. P о у з - Гї и с, По:іу-проводшпш типа A111B^ (ИЛ, I9G3); P. H » if с, Теория экситоисш (изд-во «Мирг>, 1966); В. М. А г р а тт о п и ч. Теории эь'ситоиов (изд-во «Наука», 1968). По фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках были изданы монографии: Р. Б ь іо б, Фотопроводимость твердых тел (ИЛ, 1962): Я. T а у и, Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (ИЛ, 19(»2); (;. M. P ы в к и H1 Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, ШЇЗ).
2) Эти вопросы значительно полнее изложены в цитированных выше книге Hoiica и монографии В. М. Аграновича. Предисловие к русскому издиUivo
Эти обзоры взяты из трудов Международной школы имени Эпри-ko Ферми, посвященной оптическим свойствам твердых тел1).
В книге четыре раздела. Первый посвящсп инфракрасным спектра.« полупроводников A111Bv, связанным с динамикой кристаллической решетки. Здесь рассмотрено рететочное отражение (гл. 1, М. Хэсс), мпогофононіюе поглощение (гл. 2. В. Спптпер) и данные но спектрам решетки, полученные с номощмо повой методики, основанной па исследовании теплового излучения кристаллов (гл. 3, Д. Стирволт и Р. Поттер).
Второй раздел, наиболее обширный, содержит сведения по оптическим свойствам кристаллов, связанным с междузонными Электронными переходами. Здесь освещены вопросы, касающиеся поглощения света как вблизи края полосы фундаментального поглощения, так и в глубине полосы. Впервые дается подробное изложение оптических свойств полупроводников AnlBv в дальней ультрафиолетовой области, связанных с плазменными колебаниями валентных электронов и с электронными переходами из d-обо-лочки катиона в зону проводимости (гл. 4, X. Филипп и X. Эрен-райх). В гл. 5 (М. Кардона) обсуждаются оптические спектры поглоі^епия германия и других полупроводников, описаны методы расчета параметров энергетических зон. Гл. О (Е. Джонсон) содержит полное описание явлений вблизи края полосы фундаментального поглощения полупроводников группы A111Bv. Эта глава необычайно богата справочным материалом.
