Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Турчина Н.В. -> "Физика в задачах для поступающих в вузы" -> 197

Физика в задачах для поступающих в вузы - Турчина Н.В.

Турчина Н.В. Физика в задачах для поступающих в вузы — М.: Оникс, 2008. — 768 c.
ISBN 978-5-94666-452-3
Скачать (прямая ссылка): fizvzadachahdlyapostvvuzi2008.pdf
Предыдущая << 1 .. 191 192 193 194 195 196 < 197 > 198 199 200 201 202 203 .. 252 >> Следующая


q1 + q2

(5)

На границах областей (при r = Ri и r = R2) значение потенциала можно найти по формулам (4), (5) при r = Ri и r = R2 соответственно:

Ф (r = Ri) =

q2 = 0,

Ф (r = R2) =

2

600 В.

Точки 1, 2 и 3 лежат в областях 0 < r < R1, R1 < r < R2, r l R2 соответственно. Поэтому для точки, удаленной от центра сфер на расстояние I1, из формулы (3) получим

qi + - ?2

Ф (г = ^) =

= 0.

В точке, соответствующей расстоянию Z2 от центра сфер, потенциал найдем по формуле (4), положив r = I2:

q2

Ф (r = I2) = —— 2

300 В.

Наконец, в точке на расстоянии Z3 от центра сфер, потенциал определим по формуле (5) при r = I3:

q1 + q2

Ф (г = У =

450 В.

ф, в
600
400
300 о
- lI R1 l2

R2 1з

„1___і_і_і___і_і__і_і_і_>

0 5 10152025303540г, см

Рис. 10.7.9

График зависимости ф(г) представлен на рис. 10.7.9.

Ответ: ф(г = I1) = 0; ф(г = I2) d d 300 B; ф(г = Z3) d 450 В; рис. 10.7.9. 3

10.8.9. Если поверхность заземлена, то ее потенциал равен нулю. При сообщении средней сфере заряда q на внутренней и внешней сферах появятся заряды q1 и q3 соответственно.

4л?о г 4 Л?о Г

4л?о г

+

4 Л?о R1

4 Л?о r2

4 п?0 Я2

570
Сфера радиусом R заземлена, и ее потенциал

ф1 = kJl + M + iJl =0; (1)

T1 R 2 R 4 R w

сфера радиусом R3 заземлена, и ее потенциал

ф3 = kJi + ^ = 0, (2)

Т3 4 R3 4R 4R w

где к — электрическая постоянная.

Из уравнений (1), (2) следует, что

4q1 + 2q + q3 = 0, (3)

q1 + q + q3 = 0. (4)

Решив систему уравнений (3), (4), получим

q1 = -1 , q2 = -І q.

Найдем теперь зависимость ф(г) во всех областях пространства:

k q 1 + k q + k q R 2 R 4 R

2) R m r m 2R, Ф = + I1 + ^ = ^ V1 -11;

' ’ ~ п ту /< D Q \ Т> ~ У ’

1) 0 m r m R, Ф = + M + ^13 =0;

; tR 2 R 4 R

2R 4R 3 VR

3) 2R m r m 4R, Ф = kgI + kI + = kI f2 - Jr r 4 R 3 V r 2 R

kqI + kg + kq3

4) r l 4R, ф = + ^ + -^3 = 0.

r r r

10.8.10. Нескомпенсированные заряды могут располагаться только на поверхности проводника.

Поверхностные плотности зарядов на внешних и внутренних

поверхностях плит равны о1 , , о2 , о2" соответственно

(рис. 10.8.7, а). Заменим плиты четырьмя бесконечными проводящими заряженными пластинами (рис. 10.8.7, б).

Пусть для определенности заряды на пластинах 1" и 2' положительны, а на пластинах 1' и 2'' отрицательны.

Напряженности электрического поля в точках 1 и 2 равны нулю, и поэтому можем записать:

/ / // // ^ о + ^ л + ^ і ^ о —

E1 = Е2 + ЕI + ЕI - Е2 = --------2?------- = 0,

2 ?0

^ О + ^ 9 + ^ 1 — ^ 1 ^

E9 = Е 9 + Е 9 + Е т - Е т = ------------- = 0.

571
, 1'

11"

I 2

I 2"


El

а)

б)

El
Е2, 'щ

2 •


1'

1"

2'

2

Рис. 10.8.7

Решив эти уравнения, получим

O2 = - о1 , (1)

O^ = O2 . (2)

Закон сохранения заряда для каждой из плит (см. рис. 10.8.7, а):

01 = о1 + O1 , (3)

02 = O2 + O2 . (4)

Решив систему уравнений (1)—(4), получим ответ:

2

¦ , O-, O2

2

10.9.1. Сила взаимодействия между точечным зарядом и большой заземленной металлической пластиной равна силе взаимодействия двух точечных зарядов q и (-q), расположенных зеркально относительно пластины. Следовательно,

F = AqL = kI2 d 2,5 ¦ 10-4 Н,

(21)2 412

где к = 9 • 109 м/Ф.

Ответ: F d 2,5 ¦ 10-4 H.

10.12.6. В плоском конденсаторе одна пластина действует на другую с силой

F = qE,

1

а, + а

а-, - а

572
? S

где q — заряд одной пластины: q = СДф = — Дф; E — напряжен-

d

ность поля другой пластины: E = -Н_ = —!L_ .

2?о 2?оS

Решив систему приведенных уравнений, получим ответ:

F = ?°SA^ d 4,4 ¦ 10-2 Н.

2d2

10.12.8. 1. Если конденсатор заряжен и отключен от источника, то заряд на его обкладках изменяться не будет. Поэтому энергия конденсатора

q2

W = -2- .

2 C

Энергия конденсатора емкостью С с диэлектриком была равна

q2

W1 = q2 ;

1 2 C

после того как диэлектрик вынули, энергия конденсатора стала равна

q2

W2 = q 2 .

2 2 C'

C

где С = - — емкость конденсатора без диэлектрика. Следовательно,

?

W2 =

Wl Є

т. е. энергия конденсатора возросла в є раз.

2. Если конденсатор подключен к источнику (разность потенциалов Дф между обкладками постоянна), то его энергия была равна

W1 = C А ф2 ;

12

после того как диэлектрик вынули, энергия конденсатора стала равна

W = -'Аф2 .

573
Следовательно,

W1

т. е. энергия конденсатора уменьшилась в є раз.

Ответ: в первом случае энергия конденсатора увеличится в є раз, во втором — уменьшится в є раз.

10.12.18. Поместим на обкладки конденсатора равные по модулю разноименные заряды ±q, как показано на рис. 10.12.6. Наличие на обкладках этих зарядов приведет к появлению в воздушном зазоре электрического поля напряженностью

E = E(q) + E(-q)

= q

2Se„

+

q = q

2Se„

Sen

Внутри диэлектрика проницаемостью є поле E будет ослаблено в є раз:

E' = E = _q_.

? S EE0

Поля между обкладками можно считать однородными, поэтому разность потенциалов
Предыдущая << 1 .. 191 192 193 194 195 196 < 197 > 198 199 200 201 202 203 .. 252 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed