Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
уравнение очень похоже на уравнение (7.196) для контакта металл -
полупроводник. Переходы такого типа между GaAs и InSb, характеристики
которых измерял Хинкли с сотрудниками [53], обнаруживают очень хорошее
выпрямление порядка 108. Найдено, что <р " 0,8 В; это сходно со
значениями, которые получаются для контактов металл - полупроводник.
Насыщения обратного тока снова не наблюдалось.
Вопрос о гетеропереходах подробно рассмотрен Тансли [54]. Он описал
различные сложные формы энергетических зон, которые могут получаться из-
за влияния различного вида состояний в переходном слое. Он исследовал
также большое число комбинаций полупроводников, чтобы выявить наилучшие с
точки зрения соответствия параметров кристаллической решетки. Несмотря на
то что для получения более совершенной структуры с возможно меньшим
влиянием "переходных" состояний такой подбор, несомненно, важен, хорошо
работают и некоторые переходы с большим рассогласованием параметров
решетки, что явилось неожиданным. Хинкли с сотрудниками использовали,
например, GaAs и InSb, которые отличаются по величине постоянной решетки
на 18%, а по ширине запрещенной зоны в 8 раз (1,4/0,18).
ЛИТЕРАТУРА
1. Smith R, A. The Wave Mechanics of Crystalline Solids, Chapman and
Hall, 1969,
2. Haynes J. R., Shockley W., Phys. Rev., 75, 691 (1949).
3. Van Roosbroeck W., Bell Syst. Techn. Journ., 29, 560 (1950); Phys.
Rev., 91, 282 (1953).
4. Gunn J. B., Journ. Electron. Control, 4, 17 (1958).
5. Rittner E. S., Proceedings of Atlantic City Photo-conductivity
Conference, Chapman and Hall, John Wiley and Sons, 1956, p. 215.
6. Herring C., Bell Syst. Techn. Journ., 28, 401 (1949).
7. Shockley W., Electrons and Holes in Semiconductors, Van Nostrand,
1950. (Имеется перевод: Шокли В. Теория электронных полупроводников.- М.:
ИЛ, 1953.)
8. Gibson А, F., Physica, 20, 1058 (1954).
7. Диффузия электронов и дырок
2G7
9. Arthur J. В., Bardsley 117., Brown М. А. С. S., Gibson А. /., Proc.
Plus. Soc., В68, 43 (1955).
10. Bray R., Phys. Rev., 100, 1047 (1955).
11. Read W. Г., Bell Syst. Techn. Journ., 35, 1239 (1956).
12. Arthur J. B., Gibson A. Gunn J. B., Proc. Phys. Soc., B69, 697
(1956).
13. Low G. G. ?., Proc. Phys. Soc., B68, 310 (1955).
14. Harriett N. J., Phvs. Rev., 101, 491 (1956); 103, 1173 (1956).
15. Давыдов Б- ЖТФ, 5, 7987 (1938).
16. Benzer S., Phys. Rev, 72, 1267 (1947).
17. Becker М., Fan H. YPhys. Rev., 75, 1631 (1949).
18. Sosnovski L., Starkiewicz J.. Simpson 0., Nature. 159, 818
(1947).
19. Shockley W., Bell Syst. Techn. Journ., 28, 435 (1949).
20. F.lliott R. J., Gibson A. F., Solid State Physics, Macmillan, 1974.
21. tlenisch H. K-, Rectifyng Semiconductor Contacts, Oxford University
Press, 1957.
22. Тамм И. ?., Zs. Phys., 76, 849 (1932).
23. Davison S. G.. Levine J. D., Solid State Physics, Academic Press,
1970, 25, p. 1.
24. Kingston R. H., Neustadter S. ?., Journ. Appl. Phys., 26, 718 (1955).
25. Brattain W. H., Garrett C. G. S., Physica, 20, 885 (1954); Bell Svst.
Techn. Journ.. 34, 129 (1955).
26. Brattain W. H.. Bardeen J., Bell Syst. Techn. Journ., 32, 1 (1953).
27. Bardeen J., Phys. Rev., 71, 717 (1947).
28. Shockley TI7., Pearson G. ?., Phys. Rev., 74, 223 (1948).
29. Low G. G. ?., Proc. Phys. Soc., B69, 1331 (1956).
30. Semiconductor Surface Physics, ed. Kingston R. H., Pensylvania
University Press, Oxford University Press, 1957.
31. Godefroy L. R., Progress in Semiconductors, Heywood, 1, 1956, p. 195.
32. Lasser М., V'у sock si C., Bernstein ?,, Phys. Rev., 105, 491 (1957).
33. Many A., Gerlich D., Phys. Rev., 107, 404 (1957).
34. The Electrochemistry of Semiconductors, ed. Holmes P. J., Academic
Press, 1973.
35. Garrett C. G. B., Brattain W. H., Journ. Appl. Phys., 27, 299 (1956).
36. Watkins Т. B., Progress in Semiconductors, Heywood, 5, 1960, p. 1.
37. Schottky W., Hartmann H., Zs. Techn. Phys., 16, 512 (1935).
38. Schottky W., Naturwiss.. 26, 843 (1938).
39. Ohmic Contacts to Semiconductors, ed. Schwarz B., Electrcchem. Soc.,
N. Y., 1969.
40. Robinson P., Wilson J. I. B., Ternary Compounds, ed. Holah G., Inst,
of Phys., London, 1977, p. 229.
41. Heine V., Phys. Rev., 138, Al, 689 (1965).
42. Metal-Semiconductors Contacts, ed. Pepper М., Inst. Phys. Conf.
Series. Lou-
don, 1974.
43. Shockley W., Pearson G. L., Haynes J. R., Bell Syst. Techn. Journ.,
28, 344 (1949).
44. Valdes S., Proc. IRE, 40. 1420 (1952).
45. Gunn J. ?., Proc. Phys. Soc., B67, 575 (1954).
46. Banbury P. C., Proc. Phys. Soc., B66, 833 (1953).
47. Hogarth C. A., Proc. Phys. Soc., B66, 845 (1953).
48. Henisch H. K.. Proc. Phys. Soc., B66, 841 (1953).
49. Lampert M. A., Mark P., Current Injection in Solids, Academic
Press, 1970.
|Имеется перевод: Ламперт М., Марк П, Инжекционные токи в твердых телах.-
М.: Мир, 1973.|
50. Anderson R. ?., Solid State Electron., 5, 341 (1962).
51. Oldham 117. 0., Milnes A. G., Solid State Electron., 7, 153
(1964).
52. Perlman S., Feucht D. ?., Solid State Electron., 7 , 911
