Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
расположены для этих кристаллов в разных точках k-пространства, так что
условия применимости сформулированной выше простейшей теории не
выполняются. Можно показать, что экситонное поглощение в этом случае
должно проявиться в виде серии полос поглощения. Такие полосы
действительно наблюдались в Si и Ge Макфарланом и др. [37]. Свойства
экситонных полос поглощения подробно рассмотрены в разд. 10.6*
Может показаться нелогичным обсуждение свойств экситоиов в главе,
посвященной примесям, поскольку экситоны характеризуют энергию кристалла
в целом, и вопрос об их возникновении не связан с наличием примесей.
Однако некоторые свойства экситонных уровней аналогичны свойствам
примесных уровней, так что сравнение этих двух случаев не лишено
интереса. В частности, как экситоны, так и примеси приводят к появлению
энергетических уровней в "запрещенной" энергетической зоне.
ЛИТЕРАТУРА
1. Moll N. F., Gurney R. W., Electronic Processes in Ionic Crystals,
Oxford University Press, Oxford, 1940. (Имеется перевод: Мотт H" Герни Р.
Электронные процессы в ионных кристаллах.- М.: ИЛ, 1950.)
2. Cottrell А. Н., Dislocations and Plastic Flow in Crystals, Oxford
University Press, Oxford, 1953.
3. Read W. Т., Dislocations in Crystals, McGraw-Hill, New York, 1953.
4. Cottrell A. H., Theory of Crystal Dislocations, Gordon and Breach, New
York, 1964.
5. Alexander H., Haasen P., в сб.: Solid State Physics, ed. Seitz F.,
Turnbull D., Academic Press, New York, 22, 27 (1968).
6. Gatos H. C., Finn М. C., Lavine М. C., Journ. Appl. Phys., 32, 1174
(1961).
7. Bardsley IF., Bell R. L., Journ. Electron. Cont., 3, 103 (1957).
8. Mitchell J. W., Phil. Mag. Ser. 7, 44, 223 (1953).
9. Born М., Huang K-, The Dynamical Theory of Crystal Lattices, Oxford
University Press, Oxford, 1954. [Имеется перевод: Борн М., Хуан Кунь.
Динамическая теория кристаллических решеток.- М.: ИЛ, 1958.J
10. Heitler W., London F., Zs. Phys., 44, 455 (1927).
11. Smith R. A., The Wave-Mechanics of Crystaline Solids, 2nd ed. Chapman
and Hall, and John Wiley and Sons, New York, 1969.
12. Evans R. C" Crystal Chemistry, 2nd ed., Cambridge University Press,
Cambridge, 1964.
13. Mooser E., Pearson W. В., в сб.:-Progress in Semiconductors, ed.
Gibson A. F., Aigrain P., Burgess R. E., New York, 5, 103 (1960).
14. Phillips J. C., Bonds and Bands in Semiconductors, Academic Press,
New York,
1973.
15. Rees A. L. G.t Chemistry of the Defect Solid State, Methuen
Monographs, London, 1954. [Имеется перевод: Риз А. Химия кристаллов с
дефектами.- М.: ИЛ, 1956.]
16. Krdger F. A., Vink Н, У., Solid State Physicsf Academic Press, New
York, 3, 307 (1956).
98
3. Примеси и несовершенства в кристаллах
17. Vink Н. J., Rendiconti della Scuola Enrico Fermi, XXII Corso,
Academic Press, New York, 1963, p. 68.
18. Smith R. A.-, Physical Principles of Thermodynamics, Chapman and
Hall, New York, 1952, p. 214.
19. Mayer J, W.-, Eriksson L., Davies J. A,, Ion Implantation in
Semiconductors, Academic Press, New York, 1970.
20. Dearnaley G. at, al.. Ion Implantation, North Holland, Amsterdam,
1973,
21. Bassani F., ladonisi G., Prezcosi B., Rept. Prog. Phys., 37, 1099
(1974).
22. Lattice Defects in Semiconductors, ed, Huntley F. A., Inst. Phys
Conf. Series.,
1974.
23. Point Defects in Solids, ed, Crawford J, N., Slifkin L. М., Plenum
Press, New York, 1975, vol. 2.
24. Stoneham A. М., Theory of Defects in Solids, Oxford University Press,
Oxford,
1975. [Имеется перевод: Стоунхэм A, M, Теория дефектов в твердых телах,-¦
М.: Мир, 1978.]
25. Radiation Effects in Semiconductors, ed, Corbett J, W., Watkins G.
D., Gordon and Breach, New York, 1971.
26. Radiation Damage and Defects in Semiconductors, ed. Whitehouse J. E.,
Inst, Phys, Conf. Series, 1973.
27. Pines D.-t Solid State Physics, Academic Press, New York, 1
(1955),
28. Frohlich H.-, Doniach S., Proc. Phys. Soc., B69, 961 (1956),
29. Френкель Я-, Phys, Rev., 37, 17, 1276 (1931),
30. Wannier G" Phys. Rev., 52, 191 (1937),
31. Peierls R., Ann. Phys., 13, 905 (1932).
32. fpocc E. Фи, Nuovo Cimento (Suppl.), 3, 672 (1956).
33. Гросс E. Ф., Каплянский А., ЖТФ, 25* 2061 (1955).
34. Apfel J. H.~, Hadley L. N., Phys. Rev., 100, 1689, (1955).
35. Гросс E. Ф" Захарченя В. P., ДАН СССР, 90, 745 (1953).
36. Nikitine S., Journ. de Phys. et le Radium, 17, 817 (1956).
37. Macfarlane G. G., McLean T. P., Quarrington J, E,, Roberts V., Phys,
Rev.j 108, 1377 (1957); 111, -1245 (1958),
4
РАВНОВЕСНЫЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
4.1. Распределение электронов по энергетическим уровням
В двух предыдущих главах были рассмотрены различные системы уровней
энергии для электронов в полупроводниковых кристаллах. При изучении
многих физических явлений в полупроводниках можно не принимать во
внимание энергетические уровни, расположенные глубже валентной зоны.
Существуют, конечно, явления, например поглощение рентгеновских лучей
кристаллом, которые нельзя описать без учета глубоких уровней, однако во
