Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
Они дают живую картину исторического развития физики полупроводников.
Появились и периодические издания, такие, как "Progress in
Semiconductors" (которое, к сожалению, прекратилось в 1967 г.),
"Semiconductors and Semimetals" и "Solid State Physics". Значение их
трудно переоценить, и мне хотелось бы выразить благодарность авторам
обзорных работ. Большую помощь оказали мне переводы некоторых советских
журналов, специально посвященных полупроводникам.
При столь обширной литературе возникла проблема библиографических ссылок.
Полная библиография заняла бы слишком большую часть книги. Поэтому я
давал ссылки только на некоторые ранние ключевые работы, а также на
важнейшие более поздние работы и выбирал их так, чтобы читатель мог при
желании почерпнуть из них значительно более полную библиографию по любой
интересующей его теме. Я включил также краткую и очень неполную
библиографию, указывающую на некоторые, на мой взгляд, наиболее полезные
публикации.
В книге затрагивается большинство основных достижений в физике и технике
полупроводников. Некоторые вопросы рассмотрены не так подробно, как мне
хотелось бы, однако недостаток места не позволил дать более полное их
изложение. Хотя почти во всей книге речь идет о кристаллических
полупроводниках, последняя глава посвящена аморфным полупроводникам.
Скорость появления публикаций по этой теме в настоящее время, может быть,
даже превышает скорость появления публикаций, посвященных кристаллическим
материалам. Поэтому, ничуть не надеясь дать адекватное изложение вопроса,
я лишь попытался сопоставить основные идеи, характерные для этой быстро
развивающейся области, с представлениями, которые позволили успешно
описать кристаллическую форму полупроводников.
Я хочу выразить искреннюю благодарность за оказанную мне помощь по
уточнению текста студентам, которым я преподавал, многим другим людям,
которые мне писали, а также коллегам из
Предислоеие
11
Массачусетского технологического института и позже из университета
Хериот-Уотта, с которыми у меня состоялось много полезных обсуждений как
по существу, так и по оформлению материала.
Наконец, мне хотелось бы поблагодарить сотрудников издательства
Кембриджского университета за их постояннпую помощь, в частности за ряд
полезных предложений по уточнению текста.
Эдинбург 1977
Р. А. Смит
ИЗ ПРЕДИСЛОВИЯ АВТОРА К ПЕРВОМУ ИЗДАНИЮ
Поразительный рост за последние десять лет масштабов исследовательской
работы, посвященной изучению полупроводников, привел к появлению
огромного числа публикаций. Как это обычно бывает в быстроразвивающейся
области науки, основную массу литературы составляют оригинальные статьи,
опубликованные в научных и технических журналах; их дополняют обзорные
статьи, в которых более детально рассмотрены отдельные аспекты проблемы.
Значительное число прекрасных обзорных работ появилось за последние пять
лет. Некоторые из них опубликованы в журналах, другие - в серии ежегодных
сборников обзорных статей по более широкому кругу вопросов физики
твердого тела, таких, как "Solid State Physics" 1). Как минимум один том
ежегодного издания "Progress in Semiconductors" 2) целиком посвящен
обзорным статьям по полупроводникам.
В основу настоящей книги положен курс лекций по физике полупроводников,
прочитанный автором весной 1955 г. на инженерном факультете Эдинбургского
университета, куда он был приглашен в качестве внештатного лектора.
Материал лекционного курса значительно расширен и дополнен современными
данными, в связи с чем изменилось и его назначение. Если лекции в
основном были рассчитаны на подготовку инженеров, то перед книгой
ставится более широкая задача - она предназначается главным образом для
физиков, поэтому автор стремился осветить основные физические свойства
полупроводников. Автор надеется, однако, что его книга окажется полезной
и для большого числа инженеров, занятых раз-
Под редакцией F. Seitz, D. Turnbull (Academic Press, New York, начиная с
1955 г.).
2) Под редакцией A. Gibson, P. Aigrain, R. Burgess (Heywood, New York,
начиная с 1956 г.).
Из предисловия автора к первому изданию
13
работкой электронных устройств на базе полупроводников, так как она
поможет им понять основные физические свойства используемых
полупроводниковых материалов. Без такого понимания невозможно успешно
применять эти вещества на практике, поскольку полупроводники, как
правило, отнюдь не простые объекты и обладают рядом весьма тонких
свойств.
В книге широко используется так называемый метод эффективной массы, тогда
как более строгая квантовая теория движения электрона в кристалле
изложена бегло и в элементарной форме. Различные виды энергетических
спектров электронов в кристаллических телах также рассмотрены кратко и
без привлечения строгой квантовомеханической трактовки вопроса. В
настоящее время разработан целый ряд общих методов построения квантовой
теории твердых тел, и автор предполагает в будущем опубликовать в
