Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
главным образом ответственны за это излучение. Как мы видели (разд.
10.14.1), колебания атомов решетки дают спектр поглощения, обладающий
характерными пиками, поэтому следует ожидать, что и излучение решетки
будет иметь подобный спектр. Установлено, что это действительно так.
Стирволд и Поттер [116] использовали это излучение для изучения спектров
колебаний решетки. Такие исследования в некоторых отношениях дополняют
исследования поглощения, которые мы обсуждали в разд. 10.8, и дают
дополнительную информацию о характерных частотах фононов. В частности, на
частоте остаточных лучей очень хорошо выделяются полосы излучения,
которые были обнаружены для ряда полупроводников типа AmBv. Вид спектра
поглощения достаточно сложен из-за влияния сильного поглощения и
соответственно высокой отражательной способности, обусловленных
взаимодействием с излучением ТО- и LO-фононов (см. разд. 8.3 и 14.3).
Однако из анализа излучения можно получить частоты этих фононов при к=0.
Найденные таким способом значения очень хорошо согласуются со значениями,
полученными с помощью комбинированных измерений поглощения и отражения
(см. разд. 10.8).
ЛИТЕРАТУРА
1. Fan Н. У., Semiconductors and Semimetals, Academic Press, 3, 1967, p.
406.
2. Bardeen J., Phys. Rev., 79, 216 (1950).
3. Fan H. Y., Rep. Progr. Phys., 19, 107 (1956).
4. Stern F., Solid State Physics, Academic Press, 15, 1963, p. 300.
5. Benedict T. S., Shockley W., Phys. Rev., 89, 1152 (1953).
6. Becker М., Fan H. Y., Semiconducting Materials, ed. Henisch H. K.,
Butter-worth, 1951, p. 132.
7. Gibson A. F., Proc. Phys. Soc., B66, 588 (1963).
8. Gibson A. F., Proc. Phys. Soc., B69, 488 (1956).
9. Briggs H. B., Fletcher R. C., Phys. Rev., 87, 1130 (1952); 91, 1342
(1953).
10. Kaiser W., Collins R. J.,FanH. Y.. Phys. Rev., 91, 230 (1953); 91,
1380(1953).
11. Kahn A. //., Phys. Rev., 97, 1647 (1955).
10. Оптические и высокочастотные явления
407
12. Fan Н. Y., Shepherd М. L., Spitzer W. G., Proceedings of Atlantic
City Photoconductivity Conference, John Wiley and Sons, Chapman and Hall,
1956, p. 184.
13. Neuringer L. J.,Milward R. C., Aggarwal R. L., Phys. Rev. Lett.,
15,664(1965); Proc. VI11 th Intern. Conf. Phys. Semicond., Journ. Phys.
Soc. Japan, 21, 582 (1966).
14. Blinovski J., Myceilski J., Phys. Rev., 136, A266 (1964); 140, A1024
(1961).
15. Смит P. A., Цвердлинг С., Дерматис С. Н., Зиро Дж. П., Труды IX
Международной конференции но физике полупроводников.- J1.: Наука, 1969,
с. 156.
16. Kaczmarek E.,Gortel Z. W., Proc. Xllth Intern. Conf. Phys. Semicond.,
Teub-ner, 1974, p. 1207.
17. Barlow H. E. М., Proc. Instn Elect. Engers., 102B, 179, 186 (1954);
104C, 35 (1957).
18. Smith S. D., Moss T. S., Taylor K- W., Phys. Chem. Solids, 11, 131
(1959).
19. Houghton.J., Smith S. D., Infra-red Physics, Oxford University Press,
1966, Ch. 4.
20. Piller H., Semiconductors and Semimetals, Academic Press, 8, 1972, p.
103.
21. Luttinger J. М., Goodman R. R., Phys. Rev. 100, 673 (1955).
22. Luttinger J. M-, Phvs. Rev., 102, 1030 (1956).
23. Gold L., Bullis W. M'., Campbell R. A., Phys. Rev., 103, 1250 (1956).
24. Zeiger H. J., Lax B., Dexter R. N.. Phys. Revr, 105, 495 (1957).
25. Lax B" Mavroides J. G., Solid State Physics, Academic Press, 11,
1960, p. 261.
26. Ландау Л., Zs. Phys., 64, 629 (1930).
27. Burstein E.. Picus G. S., Gebbie H. A., Blatt F., Phys. Rev., 103,
826 (1956).
28. Zwerdling S., Keyes R. J., Foner S., Kolm H. H., Lax B., Phys. Rev.,
104, 1805 (1956).
29. Macfarlane G. G., McLean T. P., Quarrington J. ?., Roberts V" Proc.
Phys. See., B71, 863 (1958).
30. Smith R. A., The Wave-Mechanics of Crystalline Solids, Chapman and
Hall, 1969.
31. Bardeen J., Blatt.F. J., Hall L. H., Proceedings of Atlantic City
Photo-Conductivity Conference, Chapmen and Hall, John Wiley and Sons,
1956, p. 146.
32. Roberts V., Quarrington J. E., Journ. Electron., 1, 152 (1955).
33.* Dash W. C., Newman R., Phys. Rev., 99, 1151 (1955).
34. Zwerdling S., Roth Laura М., Lax B.. Phys. Rev., 109, 2207 (1958).
35. Macfarlane G. G., Roberts V., Phys. Rev., 97, 1714 (1955); 98,
1865 (1955).
36. Macfarlane G. G., McLean T. P., Quarrington J. ?., Roberts V.,
Phvs. Rev.,
108, 1377 (1957).
37. Macfarlane G. G., McLean T. P., Quarrington J. ?., Roberts V., Phys.
Rev., Ill, 1245 (1958).
38. Hsieh Y. C., Chem. Phys., 22, 306 (1954).
39. Brockhouse B. N., Iyengar P. K-, Phys. Rev., 108, 894 (1957).
40. Elliott R. J., Phys. Rev., 108, 1384 (1957).
41. Brockhouse B. N., Journ. Phys. Chem. Solids, 8, 400 (1959).
42. Johnson F. A.. Proc. Phys. Soc., 73, 265 (1959).
43. Parkinson D. H., Electron Structure in Solids, ed. Haidemenakis E. D.
Plenum Press, 1969, p. 93, p. 102.
44. McLean T. P., Progress in Semiconductors, Heywood, 5, 1960, p. 53.
45. Bassani ?., Optical Properties of Solids, ed. Haidemenakis E. D.,
Gordon and Breach, 1970.
46. Greenaway D. ?., Harbeke G., Optical Properties and Band Structure of
