Полупроводники - Смит Р.
Скачать (прямая ссылка):
8.12. Вклад различных видов рассеяния в величину подвижности
Для любого конкретного полупроводника определение вкладов различных типов
рассеяния в разных областях температур в величину подвижности является
очень сложным процессом. Относительные' вклады различных типов рассеяния
в сильной степени изменяются от одного полупроводника к другому, так что
невозможно дать сколько-нибудь общий результат. В широком смысле, однако,
можно сказать, что колебания решетки различных типов дают основной вклад
в рассеяние в области высоких температур, а в более чистых материалах
этот вид рассеяния может преобладать и при более низких температурах. Для
полярных полупроводников очень важным будет рассеяние на оптических
колебаниях. Примесное рассеяние, конечно, в сильной степени связано с
содержанием примеси, а рассеяние на дислокациях - с деформацией
8. Рассеяние электронов и дырок
297
кристалла. Очевидно, при очень низких темг, ;ратурах доминирует
рассеяние, обусловленное несовершенствами кристалла, и очень важным будет
рассеяние на нейтральных примесях. Более подробное обсуждение конкретных
полупроводниковых материалов мы отложим до гл. 13.
ЛИТЕРАТУРА
1. Smith R. A., The Wave-Mechanics of Crystalline Solids, Chapman and
Hall, 1969.
2. Shockley W., Bardeen J., Phys. Rev., 77, 407 (1950); 80, 72 (1950).
3. Herring C., Bell Syst. Techn. Journ., 34, 237 (1955).
4. Blatt F. J., Solid State Physics, Academic Press, 4, 1957, p. 199.
(Имеется перевод: Блатт Ф. Дж. Теория подвижности электронов в твердых
телах.- М.- Л.: Фнзматгиз, 1963.]
5. Sodha М. S., Progress in Semiconductors, Heywood, 3, 1958, p. 153.
6. Moll J. L-., Physics of Semiconductors, McGraw-Hill, 1964.
7. Conwell Esther М., Solid State Physics, Academic Press, suppl. 9,
1967. (Имеется перевод: Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников
в сильных электрических полях.- М.: Мир, 1970.]
8. Fawcett W., Paige Е. G. S., Journ. Phys. С: Solid State Phys., 4, 1801
(1971): Herbert D. C., Fawcett W., Lettington A. H., Jones D., Proc. Xlth
Intern. Conf. Phys. Semicond., -Polish. Sci. Publ., 1972, p. 1221.
9. Picus G. ?., Bir G. L., Proc. Vth Intern. Conf. Phys. Semicond.,
Czechoslovak Akad. Sci., 1960, p. 89.
10. Sosnowski L., Proc. Vllth Intern. Conf. Phys. Semicond., Dunod,
1964, p. 341.
IJ. Виноградова К. И., Галаванов В. В., Нас ледов Д. И., ФТТ, 4, 1673
(1962).
12. Byszewski В., Koiodziejczak tukotynski S., Phys. Stat. Sol., 3, 1880
(1963).
13. Frdhlich H., Mott N. ?., Proc. Roy. Soc. A, 171, 496 (1939).
14. Howarth D., Sondheimer E. H., Proc. Roy. Soc. A, 219, 53 (1953).
15. Low F. ?., Pines D., Phys. Rev., 91, 193 (1953).
16. Petritz R. L" Scanlon W. ft7., Phys. Rev., 97, 1620 (1955).
17. Frdhlich H., Paranjape В. V., Proc. Phys. Soc., B69, 21 (1956).
18. Frdhlich H., Paranjape В. V., Kuper C. G., Nakajima S., Proc. Phys.
Soc., B69, 842 (1956).
19. Sodha M. S., Eastman P. C., Zs. Phys., 150, 242 (1958).
20. Mott N. ?., Messey H. S. ft7.. Theory of Atomic Collisions, Oxford
University Press, 1933, ch. 3. (Имеется перевод: Мотт H., Месси Г. Теория
атомных столкновений.- М.: Мкр, 1969.]
21. Conwell Ester М., Weisskopf V. ?., Phys. Rev., 77, 388 (1950).
22. Dingle R. ?., Phil. Mag., 46, 831 (1955).
23. Brooks H., Advances in Electronics and Electron Physics, 7, 85
(1955).
24. Mott N. ?., Proc. Camb. Phil. Soc., 32, 281 (1936).
25. Schiff L. /., Quantum Mechanics, McGraw-Hill, 1955, p. 170.
Щмеется перевод: Шифф JI. Квантовая механика.-М.: НЛ, 1959.]
26. Mansfield R., Proc. Phys. Soc., B69, 76 (1956).
27. Ham Phys. Rev., 100, 1251 (1955).
28. Glicksman М., Phys. Rev., 108, 264 (1957).
29. Bardeen J., Pearson G. L.. Phys. Rev., 75, 865 (1949).
30. Erginsoy C., Phys. Rev.. 79, 1013 (1950).
31. Massey H. S. W., Moiseiwitsch B. L., Phys. Rev., 78, 180 (1950),
298
8. Рассеяние электронов и дырок
32. McGill Т. С., Baron R., Phys. Rev., 11, 5208 (1975).
33. Baron R., Young М. Н., McGill Т. С., Proc. Xlll th Intern. Conf.
Phys. Semi-cond., Tipographia Marves, 1976, p. 1158.
34. Благосклонская Jl. ?., Гершенэон E. М., Ладыжинский Ю. П., Попова А:
П., ФТТ, 11, 2967 (1969).
35. Solomon /., Proc. XI th Intern. Conf. Phys. Semicond., Polish Sci.
Publ., 1972,
p. 1.
36. Maxwell R., Honig A., Phys. Rev. Lett., 17, 188 (1966).
37. Dexter D. L., Seitz F., Phys. Rev., 86, 964 (1952).
38. Read W. Т., Phil. Mag., 45, 775, 1119 (1954); 46, 111 (1954).
39. Pearson G. L., Read W. Г., Morin F. J., Phys. Rev., 93, 666 (1954).
40. Daga P. 0., Khokle W, S., Journ. Phys. C: Solid State Phys., 4, 190
(1971); 5, 3473 (1972).
9
РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК
9.1. Механизмы рекомбинации
В предыдущей главе были рассмотрены различные механизмы, определяющие
времена релаксации тв и ть. Теперь следует провести подробное обсуждение
процессов, посредством которых происходит рекомбинация электронов и дырок
при восстановлении нарушенного равновесного состояния. Процессы
рекомбинации можно разделить на три основных типа: а) прямая
