Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
48. Греськов И. М., Смирнов Б. В., Соловьев С. П., Стук А. А., Харченко В. А. Влияние ростовых дефектов на электрофизические свойства радиационно-легированного кремния.— Физ. и техн. полупров., 1978, т. 12, вып. 10, с. 1879—1882.
49. Харченко В. А., Соловьев С. П., Воронов II. H., Кузьмин И. И., Смирнов Б. В. Исследование методом травления дефектной структуры кромния, облученного быстрыми нейтронами.— Физ. и техн. полупров., 1971, т. 5, вып. 4, с. 730—735.
50. Logan R. A., Peters A. J. Effect of Oxygon on Etch-Pit Formation in Silicon.— J. Appl. Phys., 1957, v. 28, № 12, p. 1419—1423.
51. Pankratz J., Sprague J., Rudee M. Investigation of Neutron Irradiation Damage in Silicon by Transmission Electron Microscopy.— J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 101—106.
52. Нашельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов. М.,
Металлургия, 1972. 432 с.
53. Guldberg J. Electron Traps in Silicon Doped by Neutron Transmutation.— J. Phys. D: Appl. Phys., 1978, v. 11, p. 2043—2057.
54. Мухин К. H. Введение в ядерную физику. М., Атомиздат, 1965. 720 с.
55. Гордеев И. В., Кардашев Д. А., Малышев А. В. Ядерно-физические константы. М., Госатомиздат, 1963.
56. Нормы радиационной безопасности НРБ-76. М., Атомиздат, 1978. 55 с. . .
57. Stone В., Hines D., Gunn S., McKown D. Detection and Identification of Potential Impurities Activated by Neutron Irradiation of Czoc-chralski Silicon.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiduetors, Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London. Plenum Press, 1979, p. 11—26.
58. Мазель E. 3., Афонин Л. H. Мощные кремниевые высоковольтные транзисторы. М., 1971. 75 с.
59. Джон Г. Ф. Проблемы качества кремния как исходного материала для создания силовых приборов.— Труды Ин-та инженеров по электротехнике и радиоэлектронике, 1967, т. 55, № 8, с. 7—32.
69. Haas E., Schnollcr М. Phosphorus Doping of Silicon by Means of Neutron Irradiation.— IEEE rans. Electr. Dev., 1976, v. ED-23, № 8.
61. Пасынков В. В., Чиркни Л. K., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. М., Высшая школа, 1973. 398 с.
62. Platzoder K., Loch К. High-Voltage Thyristors and Diodes Made of Neutron-Irradiated Silicon.— IEEE Trans, Electr. Dev., 1976, v. ED-23,
63. Харченко В. A., Соловьев С. П., Новгородцев Р. Б. Измерение потока медленных нейтронов с номощью эффекта Холла в кремнии.— Атомная энергия, 1979, т, 28, вып. 3, с. 253.
179
64. Технические условия. Германий и кремний монокристаллическибк-Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления* ' ТУ 48-05-4-162-71.
65. Батавин В. В., Кузнецов Ю. H., Пережогин Г. А., Паптуев В. С.* * Попова Г. В. Применение радиационного легирования для шготов- -ления однородных эталонных образцов кремния.— Заводская лабо-Н ратория, 1972, т. 38, № 7, с. 819—820. .
66. Гундорин А. П., Кузнецов Ю. И., Шевельков М. А. Стандартные-’’/ образцы по удельному сопротивлению и по толщине эпитаксиального- ; слоя.— Электронная промышленность, 1974, вып. 9 (33), с. 32—33.
67. Ballantine D. Process Radiation Developments 1964—1965.— Isotopes and Radiat. Technol., v. 2, № 2, p. 149—157. ;
68. Paaen H. Fabrication of Semiconductor Devices and Silicon Microcir- --
cuits by Neutron-Transmutation Dopintg.— Isotopes and Radiat* Technol,, 1970, v. 8, № 1, p. 37—60. ’ -v
69. Klahr C., Cohen M. Neutron Transmutation Doped Semiconductors.— 1 Nucleonics, 1964, v. 22, p. 62—65. ;
70. Patent of USA N 3. 255. 050, 1966. Fabrication of Semiconductor De- . 1 vices by Transmutation Doping. Clahlc K.
71. Патент № 1442930 от 30.VIII.76 г., кл. BOI 17/00, Англия.
72. Патент К° 3967981 от 06.VII.76 г., кл. HOI 21/263, США.
73. Патент № 2427645 от 02.01.76 г., кл., Н01 17/34, США.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие.............................
Глава 1. Легирование полупроводников ...........................
1.1. Легирование из расплава ..............................
1.2. Диффузия примесй . . ...............................
1.3. Ионное легирование полупроводников . г . .......
1.4. Легирование полупроводников методом ядерных превращений ..................................................
Литература........................................... .
Глава 2. Физические основы ядерного легирования полупроводников .................................................
2.1. Ядерные реакции как источник примесных атомов
2.2. Ядерттые реакции иод действием заряженных частиц
2.3. Ядерные реакции под действием у-лучей................
2.4. Ядерные реакции под действием нейтронов ......
2.5. Легирующие примеси и характер их распределения в полупроводниках, легированных с помощью (п, у), реакций . ........................................
2.6. Влияние побочных факторов на ядерное лигирование
2.7. Возможность получения р — «-переходов методом ядерного легирования ...................................... .
Литература..................., ...........................
Глава 3. Радиационные дефекты в полупроводниках ......
