booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Смирнов Л.С. -> "Легирование полупроводников методом ядерных реакций" -> 73

Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.

Смирнов Л.С., Соловьев С.П., Стась В.Ф., Харченко В.А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций: Монография — Новосибирск: Наука, 1981. — 186 c.
Скачать (прямая ссылка): legir.zipПредыдущая << 1 .. 67 68 69 70 71 72 < 73 > 74 75 .. 76 >> Следующая

В заключение отметим, что задачи, решаемые в полупроводниковом приборостроении, весьма разнообразны, соответственно разнообразны и приемы, используемые для их решения. Достойное место среди них уже занял метод ядерных превращений, и можно надеяться как на дальнейший прогресс самого метода, так и на возрастание его ценности в связи с постоянным ужесточением требований, предъявляемых к свойствам исходного материала, а также к параметрам приборов, изготовляемых на основе различных полупроводниковых материалов.

ЛИТЕРАТУРА

1. Haas W., Schnoller М. Silicon Doping by Nuclear Transmutation.— J. Electr. Mat., 1976, v. 5, № 1, p. 57—68.

2. Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979. 371 p.

3. Бать Г. A., Коченов А. С., Кабанов Л. П. Исследовательские ядерные реакторы. М., Атомиздат, 1972. 272 с.

4. Bourdon J. L., Restelli G. An Automated Irradiation Facility for Neutron Doping of Large Silicon Ingots.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Colombia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 182—195.

5. Gunn S. L., Meese J. M., Alger D.M. High Precision Irradiation Techniques for NTDSilicon at the University of Missouri Research Reactor.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 157—163.

6. Krull W., Martens P. An Installation for the Irradiation of Large Silicon Monocsrystals for the Production of Power Thyristors.— Kerntechnik, 1977, № 3, p. 131—135.

7. Berliner R., Wood S. A Computer Controlled Irradiation System for the University of Missouri Research Reactor.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 215—228.
8. Харченко В. A., Соловьев С. П. Радиационное легирование кремния.— Изв. АН СССР. Неорганич, матер,, 1971, т. 7, № 12 с 2137— 2141.

9. Smith G. G. Neutron Doping of Silicon in the Harwell Research Reactors.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Colombia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 157—163.

10. Bickford N. A., Fleming R. F. Silicon Irradiation Facilities at the NBS . Reactor.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors.

Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 165—170.

11. Morrissey J. E., Tillinghast T. General Electric Test Reactor NTD Silicon Development Program.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N.Y.— London, Plenum Press, 1979 p. 171—179.

12. Jang R., Cleland W., Wood R., Abraham M. Radiation Damage in Neutron Transmutation Doped Silicon: Electrical Property Studies.— J. Appl. Phys., 1978, v. 49, № 9.

13. Messier J. Variations de resistivite Produites Dans du Silicium P de Harrte Resistivite Par des Neutrons Thermiques.— C. r. Acad. Sei., 1962, v. 255, № 17, p. 2083—2085.

-14. Sommer K., Sontag A. Application of New Technogies to H. V. D. C. Thyristors Produslion.— В кн.: Всемирный электротехя. конгресс, 1977, июль, Москва, секция 5А, докл. № 47, М., 1977.

15, Janus H., Malmros О. Application of Thermal Neutron Irradiation for Large Scale Production of Homogeneous Phosphorus Doping of Floatzone Silicon.— IEEE Trans. Electr. Dev., 1976, v. ED-23, ,№ 8 p. 797— 802. .

16. Харченко В. A., Соловьев C. II. Радиационное легирование кремния.— Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, № 8, с. 1641—1643.

17, Stein H. Atomic Displacement Effects in Neutron Transmutation Doping.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Colombia, Missouri, April 23—26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 229—247.

18. Larson В. C., Young R. T., Naragan T. Defects Annealing Studies in Neutron Transmutation Doped Silicon.—In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23 26, 1978. Ed. ,T. M. Meese, N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 281-289. ,

19., loung M, H., March О. I., Baron R. Shallow Defect Levels in Neutron Irradiated Extrinsic p-Туре Silicon.— In: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern. Conf. Columbia, Missouri, April 23 26, 19/8. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum

Press, 1979, p. 335—343.
20. Senes A., Sifze G. Stabilization of Transmutation Doped Silicon.— In: Semiconductor Silicon, 1977. Eds. H. Huff, E. Sirtl. Princeton* The Electrochem. Soc., p. 135—141.

21. Bunting B., Yerghese K., Saxe R. Effects of Thermal Neutron Irradiation in p-Type Silicon.— J. Appl. Phys., 1968, v. 39, № 1, p. 342— 343. .
Предыдущая << 1 .. 67 68 69 70 71 72 < 73 > 74 75 .. 76 >> Следующая