Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
4о6 фора в германии.— Физ. и техн. полупр., 1979, т. 13, вып. 4. 3
132. Abe Т., Ohmura Y., Konaka М. е. a. Radiation Enhanced Diffusion? and Its Application to Device Fabrication,— Proc. 2nd Conf. Solid? State Devices. Tokyo, 1970, p. 16—23.
133. Pigg J. C., Crawford J. H. Radiation Effects and Their Annealing in Co60 Gamma Irradiated Sh-Doped Germanium.— Phys. Rev.. 1964 v. 135, p. A1141—A1150. . ; : • 5
134. Витовский H. А. , Максимов М., Машовец Т. В. Кинетика накопления ; радиационных дефектов в германии высокой частоты при у-облуче* нии.— Физ. и техн. иолзшр., 1970, т. 4, вып. 12, о. 2276—2284, ' i
185, Емцев В. В., Машовец Т. В. О комплексах вакансия — донор' в ^германии.- Письма в ЖЭТФ, 1971, т. 13, вып. 12, с. 675—679.
13Ь. Абдулаев А., Емцев В. В., Корчажкина Р. Л., Машовец Т. В. Про--цесс образования у-радиационных дефектов в германии, легирован-_ ном фосфором.— Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, выи. 11, с. 2229.
137. Витовский Н. А., Емцев В. В., Котина И. М., Машовец Т. В. Об одной закономерности радиационного дефектообразрваиия в германии.—й Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, вып. 11, с. 2231. *
138. Eintsev Y. V., Korkhashkina R. L,, Mashovets Т. V. Vacancy — Donor Complexes in Irradiated Phosphorus-Doped Germanium.— Phys. St at.5 Sol. (a), 1972, v. 10, N 1, p. 43-48. "1
139. Ткачев В. Д., Уренев В. И. Взаимодействие элементарных дефектов решетки с атомами допорной примеси в германии.— Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, вып. 8, с. 1516—1521. *
140. Басман А. Р., Герасимов А. Б., Гоготишвшш М. К. и др. Влияние донорных примесей на кинетику отжига радиационных дефектов в Ge.— Физ. и техн. полупр., 1975, т. 7, вып. 7, с. 1377—1381.
141. Емцев В. В., Машовец Т. В., Рыбкин С. М. Процесс дефектообразо-вания в бескислородном германии при гамма-облучении.—В кн.:-Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, Йзд-во Бело-"' русского гос. ун-та им. В, И. Ленина, 1972, с. 122—124.
142. Машовец Т. В., Емцев В. В., Абдурахманова С, Н. Модель процессаI образования у-радиационных дефектов в Ge, легированном приме-' сями V группы.— Физ. и техн. полупр., 197.4, т. 8, вып. 1, с. 96—
143. Емцев В. В., Клингер М. И., Машовец Т.В.О возможном механизма рассеяния носителей заряда в Ge с точечными дефектами,— Письма в ЖЭТФ, 1974,.т. 19, вып. 9, с. 575—799. >
144. Смирнов Л. С., Стась В. Ф., Хайновская В. В. О л ре деление степени компепсации германия.— Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, вып. 8, с. 1849—1850. . • д
126
«С. Kb Д^кты В пдмазсподобнкт полудрлвс.д-
' Sia‘7n: Ste 4 s4iconauct..rS..N. У.. №«
Ш. *2 kI'^/'ev^: :аг ТГ Т?— NMkn о! Vaj^ancieg
Ш>-! 'М bxreeb-Пе»J№raft№
25 and 7!Н.'К in ImSiated Germanium- l'bys. Ист., 1905, ,v, 1»,
1W.; ёыЖ
. gen-Dopcd thermanium.—: J^^ppl, ly; •? f.,j :;2п;;
151,'&1г1м ATfcl^d; J 4W.. .Pra#^&S?ftlS^^uAs
- Production and A: :.,;,.::.:;"' "> Stain K4 in Я.-»i,,..-
' ' ^•/•^i^|3r\:a.:or. of Irradiation
^ * $:
c t-ъr^1 V";'' 'Й1(9К?^Йок jf'C Стань В.Ф Облучение электронами 153. Бояркина Н. И., ^ФР0ВпД-^4тповаПш)Г0 золотой.- Физ. й/техн. и отжиг 1Л!рмаш1Я р-тнпа, леп^овашн и» залогу ;
полупр., 1975, т. 9, вып. ., ?, Стась В. Ф. УмЬньшешю копдёнтра-154.. Бояркина 11. М., Сшфроп Л. С, 0 30лотрм, при, рбдуче-
¦ s -8*
Л^'ЭДёШШ Ш" 1Ш
ассоциации мелкий,, допор глубоки 5нп_д1ип
облученного нейтронами При .' Д-гт ТБеРЛ, ?ела, хх> . ?,; ,
: ' : вып. 4, с. 1,062-1095
Образование
германии.—
1597Т^сйй а: Г... Коновалоноо Б. Н. О
пир германии ; быстрыми. плектрорами— Физ. тверд. тепа, >»».
т. 6, вып. 10, е. $18? •'• ,8 - „ г. и др. Влияние света
100. Герасимов А. Щ, Д«р^Ж%ЙЖ& дефектов в германии—
на низко^емцературркЕИ.оттеиг радцацноцных д,41 к . ,-
шла ?И3, Vei?' X' Т1Тпзк^температурное облучение и отжиг
161.; Стоек В. Ф. ».Смирнов Л. С. 11нзкотешшра1 У № л 1HG9—
германия р-типа.4-.Физ, и техн. полупр., 1968, т,2, вып. У, с. цаиз
162. Tmehlood l)./ft Elecixon Вaramagnetic Кospnanee 1гг*7
: diated.. Germanium. —. Phys-, Деу,,,1907, V;J.6J, Pv ^ _
ь и at. ............ ; ,,....
166:
167.
168.
169.
170.
171.
172.
173.
174.
175.
176.
177.
178.
179.
180.
181.
182.
183.
184.
185.
186.
ted p-Type Germanium.— Rad. Elf., 1971, v. 9, N 1—2, p. 47—49J Saito H., Fukuoka N., Talsumi J. Annealing of Point Defects in pi Type Germanium After Electron Irradiation at Liquid Nitrogen Temperature.—Rad. Eff., 197.1, v. 8, N 3—4, p. 171—175. >
Lang D. V. Review of Radiation — Induced Defects in III—V Com* paunds.— In: Radiation Effects in Semiconductors. Conf. Ser. N 31J Inst, of Phys. Bristol — London, 1976, p. 70—94. : |
Маш овец Т. В. Состояние и перспективы радиационной физики по-' лупроводников группы AgBg.— В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев, Паукова думка, 1971, с. 5—27/ Галушка А. П., Конозенко И. Д. Состояние и перпспективи радиа-t ционной физики полупроводниковых соединений А3Вв.— В кн.;| Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев, Наукова думка, 1971, с. 28—41. .
