Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
401. Srouff J. R., Curtis O. L. Short-Term Annealing in Silicon Devices 1
”?g2o‘4N%e7pN?9r“ol“adiati011-- IEEB Tr8,1S- NUCl' Sci-|
402. Tanaka Т., Inuishi J. Hall Effect Messurement of Radiation Damage! and Annealing щ Si.— J. Phys. Soc. Japan, 1964, v. 19, N 2, p. 167 174.
403. ВолоГДин Э. II., Жукова Г. А., Мордкович В. Н. Облучение кремния, покрытого окисной пленкой, заряженными частицами низких энергии,— Физ. И техн. полупр., 1972, т. 6, вып. 7, с. 1306—1309.
124
1
104. Смирнов Л. С., Стась В. Ф., Хайыовекий В. В. Роль дислокаций в процессе отжига облученного германия.— Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, вып. 6, с. 1179—1184.
105. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М., Мир, 1973. „ ,* тж л
106. Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетеяьбаум Д. И. Ионное легирование
полупроводников. М., Энергия, 1975.
107. Технология ионного легирования М., Советское радио, 1J/4, с. го».
108. Gibbons J. Е. Ion Implantation in Semiconductors. Part 2. Damage Production and Annealing.— Proc. IEEE, 19/2, v. 60, N 9, p. 10b-
109. Chadderton L. Т., Eisen F. H. On the annealing of Damage Produced by B+ Ion Implantation of Si Single Crystals.— In: Ion Implantation. Ed. F. H. Eisen, L. T. Chadderton. London, Gordon and Breach. Sci.
Publ., 1971, p. 445—454. , „ ^ ,
110. Chadderton L. Т., Eisen F. H. Oa the annealing of Damage Produced by B+ Ion Implantation of Si Single Crystals.— Rad. Eff., 1971, v. 7,
111. Grilhe2J,,PSeshan K., Washburn 3. On the Possibility of Nucleating ' Loops with Burgers Vectors DC by the Clustering of Interstitials.
Rad. Eff., 1975, v. 25, N 1—2, p. 115-118.
112. Максимов С. К., Лукьянчук Т. П., Пискунов Л. И. Два механизма формирования дефектной структуры в кремнии при гюнном внедрении примеси и последующем отжиге.— Докл. АН СССР, 1У/э, т.
вып. 6, с. 1851—1354. п г я л
ИЗ. Баранов А. И., Герасименко И. Н., Двуреченскии А. В., Смирнов л. и Отжиг крупных вакапсионных кластеров.— Физ. и техн. полупр.» 1974, т. И, вып. 1, с. 92—99.
114. Баранов А. И. Отжиг сложных дефектов в облученных полупроводниках,— В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках. Новосибирск, Наука, 1979. г> «
115. Герасименко Н. Н., Двуреченскии А. В., Качурин Г. А. и др. Радиационный отжиг дефектов, образующихся при бомбардировке кристаллов ионами.— Физ. и техн. полупр., 1972, т. 6, вып. 9, с. 1оо4
116. Мордкович В, Н., Соловьев С. П., Темпер Э. М., Харченко В. А. О радиационном отжиге дефектов в облученном нейтронами кремнии. Физ. и техн. полупр., 1974, т. 8, вып. 5, с. 1024—1025.
117. Вихрев Б. Н., Герасименко Н. Н., Двуреченскии А. В., Смирнов Л. С»
Взаимодействие в кремнии атомов водорода с дефектами, введенными ионной бомбардировкой.— Физ. и техн. полупр., 1974, т. 8, вып. 7,
с. 1345—1348. , , с т . 4 , „ '
118 Stein Н. G. Bonding and Thermal Stability of Implanted Hydrogen in Silicon.- Electron. Mat., 1975, v. 4, N 1, p. 159-174,
119. Picraux S. Т., Vook F. L. Ionization, Thermal and Flux Dependences of Implantation Disorder in Silicon.— Rad., Eff., 1971, v. 11, N 2,
120. Качурин Г. А., Придании Ы. Б., Смирнов Л. С. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным излучением. Физ. и техн. полупр., 1975, т. 9, вып. 7, с. 1428—1429, ^ _
121. Антоненко А. X., Герасименко Н. Н., Двуреченскии А. В. и др. г -пределение внедренной в кремний примеси после лазерного отжига.—^ Физ. и техн. полупр., 1976, т. 10, вып. 1, с. 139—141.
122. Хайбуллин И. Б., Штырков Е. И., Зарипов М. М. и др. Отжиг ионнолегированных слоев под действием лазерного излучения. М., ВИНИТИ, леи. № 2661—74, с. 32.
123. Pfister J. С. Radiation Enhanced Diffusion in Si.—In: 7-th Internal. Conf. on the Physics of Semiconductors, Pans — Royanmaent, 19b4,
v. 3, p. 281—285. .
124. Brelot A. Enhanced Diffusion in Ge.— In: Radiation Effects in Semiconductors. N. Y., Plenum Press, 1968, p. 460—465.
. ¦ ¦ ' ' ' r-. 125
";Ч
125. Tsuchimoto Т., Токиуаща Т, Enchanced Diffusion of Boron and Phos^ phorus in Si during Hot Substrate Ion Implantation.— Rad. Eff ' 1970, v. 6, p. 121-129. ’
126. Ohm ига Y., Mimura S., Kanazawa M. e. a. Enhanced Diffusion andj Dose Rate Dependence of Sb and P in Si by Proton Irradiation.— Radd Eff., 1972, v.. 15, № 2, p. 167—174. • ; й
127. Minear B. L., Nelson D. G., Gibbons J. F. Enchanced Diffusion in Si; and Ge by Linght Ion Implantation.— J. Appl. Phys,, 1972, v. 43, d p. 3468—3480. j
128. Радиацнонно-активируемые процессы в кремнии. Ташкент, Фан, 1977. 165 с. *;!
129. Серяпин В. Г., Серяпина Н. В., Смириов JI. С. и др. Перераспреде-j ление бора в кремнии при облучении быстрыми электронами,— Физ. и техн. полупр., 1973, т. 7, вып. 1, с. 183—185. '
130. Герасименко Н. Н., Ободников В. И., Смирнов JI. С., Соколов С. А.: Диффузия фосфора в кремнии под действием облучения ионами во-? дорода при повышенной температуре.— Физ. и техн. полупр., 1975.' т. 9, вып. 11, с. 2220—2221. 1 ’
131.-Стась В. Ф., Смирнов Л. С, Радиационно-ускоренная диффузия фос-1
