Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Смирнов Л.С. -> "Легирование полупроводников методом ядерных реакций" -> 49

Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.

Смирнов Л.С., Соловьев С.П., Стась В.Ф., Харченко В.А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций: Монография — Новосибирск: Наука, 1981. — 186 c.
Скачать (прямая ссылка): legir.zip
Предыдущая << 1 .. 43 44 45 46 47 48 < 49 > 50 51 52 53 54 55 .. 76 >> Следующая


Отжиг произведенных изменений происходит в пределах одной стадии независимо от начальной концентрации носите-
1

. уО, Ог 300 п

200

100-

0

ГС

Выло исследовано поведение 1пЗЬ при облучении светом из области собственного поглощения при 78 К (лампа ДКеЩ-1000) без фильтра и с Ве-фильтром [184]. Начальная скорость изменения концентрации дырок в р -1нЭЪ составляла ~ 2*10“9 см”3 ¦ эВ“’1. В /гТпЭЬ, как и при рентгеновском облучении, никаких изменений не наблюдалось. Дефекты отжигаются при 100 К. Показано, что при облучении светом дефекты создаются в объеме тонкого приповерхностного слоя, толщина которого 30 мкм. ¦ .: ;,л :.1!‘.у’; 1 . уу - V :

При облучении кристаллов 1пЗЬ при 78 [186] и 800 К [185, 187} быстрыми нейтронами в противоположность электронному облучению образцы- р-типа претерпевают конверсию типа проводимости, а в образцах лг-типа проводимость уменьшается (рис. 3.34). Изохронный отжиг образцов ТиБЬ, облученных при 78 К, обнаруживает1 две стадии отжига: 77—150 и 150—• 260 К. После отжига до комнатной температуры концентрация носителей восстанавливается, однако удельное сопротивление и подвижность полностью не отжигаются, следовательно, остаются устойчивыми некоторые радиационные дефекты,: играющие роль рассеивающих центров. Т - у.у:Ууу:

В работе [187 ]; исследовалось влияние нейтронного облучения при 300 К на подвижность дырок в кристаллах р-1нЗЬ. Температурная зависимость подвижности до и после облучения дозой !•10*7 см~а показана на рис.- 3.35. При облучении дозой 1-1016 см“2 такая зависимость не наблюдалась (хотя подвижность уменьшалась). Авторы [187] предполагают, что дефектами, ответственными за уменьшение подвижности, являются центры типа разунорядоченных областей гс-типа с двойным электрическим. слоем- : ; о;с ?: а,: 1 с -¦1 '¦а:¦ ¦. .*

118
.! 1.)¦(¦;;я, »долиVЧ’^Ц!У1 Ш.У " ь.оашэш'з ¦/

:"' .' ;. ....< ! 5 а * •

11 ; 9 ’>1 1 У.С'.ЦГ> »/Л/ , 1.Л 1.а л. .V

¦ '¦ '> \ ,, •^шшкрл V КЛ) 1

* дьГроЙ в ’ крЙСтШак 7й8Ь

,.ЦЧ ЫН [187].1 Д И КЧЧЧЖ

(>-1 ¦ -дог', облуаеяйя^ 13 <-Ш иосае

: . } р'.и1;1 1 • 1

"ГТ



Г п / >4г? а </ У Сп:.. ь:л

гш/ Й '1' .1 О0Ш-. %?Пио< НТНЖ 1- О ¦ ; 19-.iv! >¦,’
НКчП'Я.Т. ы (уе.п
Т,< : |Ф( Г,о0 < 1ОО0- :.'ь ; С. ., ¦ ''2.1.: ) • V •
Л V 5бС- е т^г.ьл). О > , ГЛШЛ [/'’¦¦¦г,. тшоо
/ С/ 1 т ¦ 1 „ .• ’’ЮО'200
.ЦН-Л : .19/ я 9.,

ы^ии-шц н •91' ч г. О О

VI ::л 1;

В 1188] изучалось влияние нейтронного облучения на подвижность электронов в пластически деформированных кристаллах п - 1пЗЬ. В, необлученных деформированных образцах подвишдостъ при 77 К 'рсздб уменьшалась.- После облучения быстрыми нейтронами наблюдалось уменьшение подвижности (при 77:К) в образцах с малой степенью деформации, при большей степени ' Деформаций (е 7> 0,5 %) йодвижйость увеличивалась^ Плотность дислокаций после облучения; не изменялась. Предполагается ГДЗЗТ» что рассеяние в облученных кристаллах,: * ¦ содержащих большое количество дислокаций (~ 4*10гу 2-107), обусловлено возникшими в .результате ассоциации радиационных дефектов с диЬлокаццйми.; Это может быть дефект в результате взаимодействия положительного объемного заряда;• ирцмесной атмосферы; дислокаций с отрицательным внешним электрическим полем раз упорядоченных

областей,; , . ! V ’ У,У У,У ,У'< У'УУУУУ.Уг’ V УДУ •:;Ук';'У '

Авторы 11891 ; обнаружили,, что У'. при бомбардировке р-1п?>Ь протонами у поверхности образуется слой ?г-типа проводимости. Облучение проводилось протопает с энергией 100 коб при комнатной температуре, интегральная доза Ю1* см~^. При этом образуется гс-слой толщиной 1 мкм со средней концентрацией носителей в слое ~ 1017 см~3 (исходная концентрация дырок в материале р-типа примерно 5 • 1015 ем-3 при 77 К). На основе п - - /»гперехрДа, созданио го протонной бомбардировкой, авторы 11891 изготовили фотодиод. При 77 К соиротив-ление нулевого смещения диодов составляло .несколько сот тысяч ом. Максимум обнаружительной способности этих диодов при 4,9 мцм был более чем 3*1010 еМ-Гц1/2/В г с наибольшей наблюдаемой' величиной 10и.см-1’ц1/2^Вт (при фоновом окружении 300 К). Коэффициент полезного действия диодов около

35Щ\ -г.г’1 ;УУУу У:У(-ГУУ;У.:У-У /Уч ¦; г

Свойства бомбардированного слоя не изменялись но время 460-часового отжига при 80°С, После облучении при комиатной температуре наблюдаются два стадии отжига [190 ] в температурных интервалах 60-^180 й 180—330°С.' Роль иптрйСивйости при облучении электронами с энергией 7 МэВ на накопление

Й9~
дефектов, отжигающихся в указанном температурном интер! вале, исследовалась в работе [191]. Показано, что облучение электронами малой интенсивности (3,2* 1012 см-2) приводи!

к появлению дефектов, которые отжигаются при 60 180°С.

Облучение электронами большой интенсивности (16-104 см-3), вводит дефекты, которые отжигаются в два этапа: при 60+! 180 и 180 330°С. Из анализа кинетики накопления и отжига дефектов авторы [191 ] делают вывод: вводимые дефекты представляют собой ассоциации, состоящие из простейших собственных дефектов, причем комплекс, отжигающийся при 60— 180 С, включает три вакансии (или междоузельных атома), а более стабильный комплекс содержит не менее пяти вакансий!
Предыдущая << 1 .. 43 44 45 46 47 48 < 49 > 50 51 52 53 54 55 .. 76 >> Следующая
Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed