Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
11. Кертис Л. Введение в нейтронную физику/Пер. с англ. М., Атомиздат, 1965. 350 с.
12. Cullen D. E., Htevac P. I. ENDF/B Cross Sections. Brookliaven National Laboratory 1972.
13. Bruggcr R. M., Yelon W. Use of Single Cru si, a] Silicon as a Thermal " Neutron Filter.— Proc. Conf, on Neutron Scattering (ed. R. M. Moon),
1976, v. 11, p. 1117—1122,
14. Scheweinler H, C. Some Consequences of Thermal Neutron Capture in Silicon and Germanium.— 3. Appl. Phys., 1959, v. 30, № 8, p. 1125— 1126.
15. Мирианашвили III. М., Нанобашвилй Д. И., Размадзе 3. Г. О возможности трансмутационного легирования аптимонида индия.— Физ. тверд, тела, 1965, т. 7, вып. 12, с. 3566—3570.
16. Водопьянов Л. К., Курдиани Н. И. Ядерное легирование и оптиче-ческие свойства сурьмянистого индия.— Физ. тверд, тела, 1966, т. 8, вып. 1, с. 72—76. „
17. Вавилов В. С., Водопьянов Л. К., Курдиани Н. И. Оптические свойства сурьмянистого индия, облученного медленными нейтронами.— В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов, Киев, Наукова думка, 1976, с. 206—212. .
18. Мирианашвили Ш. М.. Напобашвили Д. И. О возможности трансму-тациоплого легирования арсенида галлия.— Физ. и техн. полупр., 1970, т. 4, вып. 10, с. 1879—1883.
19. Галушка А. П., Конозенко И. Д. О влиянии реакторного излучения на свойства монокристаллов CdS.— Атомная энергия, 1962, т. 13,
вып. 3, с. 277—280. . .
20. Tanenbaum М., Mills A. D, Preparation of Uniform Resistivity n. Type Silicon by Nuclear Transmutation.— J. Electrochem* Soc., 1961, v. 108, p. 171. ¦, ' ¦ .
21. Klahr C. N., Cohen M. S. Neutron Transmutation Dope Semiconductors.— Nucleonics, 1964, v. 22, p. 62—65. .
22. Арифов У. A., Михаэлян В. М., Синюков В. А., Коростелев Ю. А., Лютович А. С. ЛегированиеЧфемния с помощью облучения тепловыми
71
1970?°с.аЛ136-1В38КН': КрИСТаЛЛМЗацИЯ тонких пленок. Ташкент, Фан,
23. Харченко В. А., Соловьев С. П. Радиационное легирование кремния — Физ. и техн. полупр., 1971, т. 5, с. 1641-1642 1 Щ Я'
; нГи"®: ?ГргаенИ':
timf Wj n'rVf0i’|I10ll?rM,'t S; SU*«1“ Doping’by Nuclear Transmutation.— J. 01 Electronic Materials, v. о, № 1, p. 57 68.
wTS M.alm/os -0, Application'of Thermal Neutron Irradiation
for Large Scale Production of Homogeneous Phosphorus Doping of Float
M 8, p 797—80? “S electrone DeTiaes, 1976, v. ED-23,
21 ' M STЖТ;,“? P°pu«.-In: Semiconductor Silicon, p 106 ’ Sirtl. Princeton, Ihe Electrochemical Society,
28. Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern Conf Columbia, Missouri, April 23-26, 1978. Ed. J. M. Meese. N. Y -London, Plenum Press, 1979. 371 p. '
29. Алиев А. И., Дрыикин В. И., Лейпунская Д. И., Касаткин В. А. Ядерно-физические константы для нейтронного активационного анализа. М., Атомиздат, 4969.
30. Гордеев И. В., Кардашев Л. А., Малышев А. В. - Ядерно-фияические константы. М., Атомиздат, 1963.
31. Нормы радиационной безопасности ПРБ — 76. М., 1978.
32. Haas E W. Martin J. A. Nuclear Transmutation Doping from the Viewpoint oi Radioactivity.— In: Neutron Transmutation Doping in Semi-
197яитЙГЗт Im Conf. Columbia, Missouri, April 23-26,
19to. Ed. J. M. Meese. N. Y.— London, Plenum Press, 1979, p. 27—36.
Атомиздат повРежДение твердых тел/Пер. с англ. М.,
34. Чукичев М. В., Вавилов В. С. Средняя энергия образования пары неравновесных носителей при облучении германия у-лучами Со-60 — Физ. тверд, тела, 1961, т. 3, выл. 3, с. 935—942. '
Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М., Атомиздат, 1969. 311 с Meese J. М. The NTD Process — a New Reactor Technology.—In: Neutron Iransmutation Doping in Semiconductors. Proc. 2-th Intern Conf. Columbia, Missouri, April 23—26, 1978, Ed. J. M. Meese NY — London, Plenum Press, p. 1—10.
37. Серебряков А. К., Снегирев С. H., Тутуров Ю. Ф. Измерение потока нейтронов при радиационных испытаниях с помощью транзисторов —
В кн.: Метрология нейтронного излучения на реакторах и ускопите-лях. Г. 2. М., Изд-яо стандартов, 1972, с. 146 — 153.
38. Брикман Б. А., Крамер-Агеев Е. А. О методике проведения радиационных испытаний в реакторах.— Атомная энергия, 1977, т. 42, вып. 6. с. 461—464.
39. Raaen H. P. Fabrication of Semiconductor Devices and Silicon Microcircuits by Neutron Transmutation Doping.— Isotopes and Radiation Technology, 1970, v. 8, p. 37—60.
40. Ballantine D. Process Radiation Development Isotopes and Radiation ' Technology. V. 2, 1964—1965.
41. Tanenbaum M. Uniform N-Type Silicon. Патент США № 3076732 (19b3).
42. Патент ФРГ № 1214789 (1967).
43. Подсекин А. К., Соловьев С. П., Харченко В. А. Получение электронно-дырочных переходов методом радиационного легирования в ядерном реакторе.— Атсщная энергия, 1971, т. 31, вып. 5, с. 521—523.
Д"> Лифшиц Е. М. Статистическая физика. М., Наука, 1964. 567 с, .
35
36
72
Глава 3
РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
3.1. ГЕНЕРАЦИЯ ПРОСТЕЙШИХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ
В настоящем параграфе приведены данные теоретического* расчета числа радиационных дефектов, возникающих в кремнии под действием электронов, у-квантов, протонов, а-частнц, нейтронов.
