Легирование полупроводников методом ядерных реакций - Смирнов Л.С.
Скачать (прямая ссылка):
7. Фистул ь В. И. Сильно легированные полупроводники. М., Наука, 1967. 415 с. '
8. Палачгиик JI. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки, М., Наука, 1971.
9. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников, М., Мир, 1973, 296 с.
10. Технология ионного легирования. М., Сов. радио, 1974. 158 с.
11. Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетсльбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. М., Энергия, 1975. 128 с.
12. Физические процессы в об л у пенных полупроводниках. Новосибирск, Наука, 1977. 256 с. .
13. Чукичев М. В., Вавилов В, С. Образование дефектов решетки под действием тепловых нейтронов при облучении монокристаллов кремния в ядерном реакторе.— Физ. тверд, тела, 1961, т. 3, вып. 5,
Г л а в а 2
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЯДЕРНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
2.1. ЯДЕРНЫЕ РЕАКЦИИ КАК ИСТОЧНИК ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ
Со времени открытия ядериых реакций стада реальной мечта алхимиков о получении ценных материалов из менее ценных. Только в отличие от методов, которыми пытались решить эту задачу алхимики, это достигается путем облучения исходных материалов теми или иными частицами: элементарными (электроны,, протоны, нейтроны и др.) или сложными (дейтроны, а-частицы, многозарядпые ионы и др.). '
Если условия облучения обеспечивают протекание тех или иных ядерных реакций, то в результате соответствующих ядерных превращений части атомов облучаемого вещества возможно образование атомов других химических элементов( отличных от атомов исходного вещества. Вкрапления новых элементов можно, в принципе, отделить от исходного вещества,, и весь вопрос сводится к тому, стоит ли это делать из-за трудности получения и выделения «нового» вещества. Тем не менее в настоящее время только так искусственно получаются и изучаются изотопы трансурановых элементов, только так в промышленном масштабе получается из облученного ядерного горючего — урана — другое ядерное горючее — плутоний, а также изотопы некоторых редких элементов.
Однако в большинстве других случаев, когда известны иные способы получения нужного вещества, использование для этих целей ядерных превращений оказывается невыгодным,; так как концентрация «нового» вещества в облученном материале обычно очень мала. Поэтому ядерные превращения^* сопровож-
6, Атомная диффузия в полупроводниках. М., Мир, 1975. 684 с.
7, Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники. М., Наука, 1967. 415 с. '
8, Палатпик JI. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки, М., Наука, 1971. ¦
8. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М., Мир, 1973, 296 с.
10. Технология ионного легирования. М., Сов. радио, 1974. 158 с.
11. Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетсльбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. М., Энергия, 1975. 128 с.
12. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск, Наука, 1977. 256 с. ,
13. Чукичев М. В., Вавилов В, С. Образование дефектов решетки под действием тепловых нейтронов при облучении монокристаллов кремния в ядерном реакторе.—Физ. тверд, тела, 1961, т. 3, вып. 5,
Г л а в а 2
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЯДЕРНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
2.1. ЯДЕРНЫЕ РЕАКЦИИ КАК ИСТОЧНИК ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ
Со времени открытия ядерных реакций стала реальной мечта алхимиков о получении ценных материалов из менее ценных. Только в отличие от методов, которыми пытались решить эту задачу алхимики, это достигается путем облучения исходных материалов теми или иными частицами: элементарными (электроны* протоны, нейтроны и др.) или сложными (дейтроны* а-частицы, многозарядпые ионы и др.). '
Если условия облучения обеспечивают протекание тех или иных ядерных реакций, то в результате соответствующих ядерных превращений части атомов облучаемого вещества возможно образование атомов других химических элементов,; отличных от атомов исходного вещества. Вкрапления новых элементов можно, в принципе, отделить от исходного вещества* и весь вопрос сводится к тому* стоит ли это делать из-за трудности получения и выделения «нового» вещества. Тем не менее в настоящее время только так искусственно получаются и изучаются изотопы трансурановых элементов, только так в промышленном масштабе получается из облученного ядерного горючего — урана другое ядерное горючее — плутонии,. а также изотопы некоторых редких элементов.
Однако в большинстве других случаев, когда известны иные способы получения нужного вещества, использование для этих целей ядерных превращений оказывается невыгодным,; так как концентрация «нового» вещества в облученном материале обычно очень мала. Поэтому ядерные превращения* сопровож-
дающие большинство встречающихся на практике случаен естественного или искусственного облучения веществ, принято считать побочным, чаще всего вредным эффектом, не имеющим практической перспективы, кроме отдельных экзотических, вроде упомянутых выше,случаев. Такое мнение кажется действительно обоснованным, пока мы говорим о выделении и использовании продуктов ядерных превращений независимо от исходного материала. Но если учесть, что современная радиационная технология основана на направленном изменении свойств исходного материала в результате облучения, то необходимо рассмотреть с этой точки зрения и влияние продуктов ядерных превращений.
