Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Слэтер Дж. -> "Диэлектрики полупроводники, металлы" -> 276

Диэлектрики полупроводники, металлы - Слэтер Дж.

Слэтер Дж. Диэлектрики полупроводники, металлы — М.: Мир, 1969. — 648 c.
Скачать (прямая ссылка): diaelektrikipoluprovodnikov1969.pdf
Предыдущая << 1 .. 270 271 272 273 274 275 < 276 > 277 278 279 280 281 282 .. 313 >> Следующая

1909 (1958). (Гл. 3, § 11.)
Полупроводящие свойства монокристаллов Mg2Si.
3636. Morris R. G. (см. [4074]).
3637. Morrison S. R., Phys. Rev., 104, 619 (1956).
Рекомбинация электронов и дырок на дислокациях.
3638. Morrison S. R. (см. [1113]).
3639. Morse R. W" Phys. Rev., 97, 1716 (1955). (Гл. 3, § 9.)
Затухание ультразвука в металлах, обусловленное релаксацией электронов.
3640. Morse R. W., Bohm Н. V., G a vend a J. D., Phys. Rev., 109, 1394
(1958). (Гл. 3, § 9 и 11.)
Резонансы электронов с ультразвуковыми волнами в меди.
3641. Morse R. W., Gavenda J. D., Phys. Rev. Lett., 2, 250 (1959). (Гл.
3, § 9 и 11.)
Магнитные осцилляции затухания ультразвука в кристалле меди при низких
температурах.
3642. Morse R. W., Progr. Cryog., 1, 219 (1959). (Гл. 3, § 9.)
Затухание ультразвука в металлах при низких температурах.
3643. Morse R. W., Myers A., Walker С. Т., Phys. Rev. Lett., 4, 605
(1960). (Гл. 3, § 9 и 11.)
Поверхности Ферми золота и серебра по данным о затухании ультразвука.
3644. Morse R. W., в книге "The Fermi Surface", New York, 1960, p. 214.
(Гл. 3, § 9 и 11.)
Поверхности Ферми благородных металлов, определенные с помощью
ультразвука.
3645. Morse R. W., Myers A., Walker С. Т., Journ. Acoust. Soc. Amer., 33,
699 (1961). (Гл. 3, § 9 и 11.)
О формах поверхностей Ферми благородных металлов, определенных с помощью
ультразвука.
3646. Moskowitz A., Rev. Mod. Phys., 32, 440 (1960). (Гл. 5, § 5.) Анализ
кривых вращательной дисперсии.
3647. Moskowitz J. W" Journ. Chem. Phys., 38, 677 (1963). (Гл. 10, § 4.)
Изучение кольца Нб в приближениях молекулярных орбит и альтернантных
молекулярных орбит.
3648. М о s к о w i t z J. W., Barnett M. P., Journ. Chem. Phys., 39,
1557
(1963). (Гл. 10, § 4.)
П-электронная структура молекулы бензола.
3649. Moss Т. S., Proc. Inst. Rad. Eng., 43, 1869 (1955). (Гл. 3, § 11.)
Фотопроводники из солей свинца.
3650. Moss Т. S., Proc. Phys. Soc., B68, 697 (1955). (Гл. 3, § 11.)
Измерения на p - п-переходах в сульфиде свинца.
?8 Дж- Слэтер
582
библиография
3651. Moss Т. S., Proc. Phys. Soc., B70, 247 (1957). (Гл. 3, § 11.)
Теория спектрального распределения рекомбинационного излучения из InSb.
3652. Moss Т. S., в сборнике "Semiconductors and Phosphors", Brunswick,
Germany, 1958, p. 98.
Фотоэлектромагнитный эффект и эффект магнетозапорного слоя.
3653. Moss Т. S., Wo 1 ton А. К., Proc. Phys. Soc., 74, 131 (1959). (Пгь
3, § 8 и И.)
Определение эффективной массы электронов в GaAs с помощью эффекта Фарадея
в инфракрасной области.
3654. Moss Т. S., Walton А. К., Physica, 25, 1142 (1959). (Гл. 3, § 8 и
И.)
Измерение эффективной массы электронов в InP с помощью эффекта Фарадея в
инфракрасной области.
3655. М о s s Т. S., Proc. Phys. Soc., 74, 490 (1959). (Гл. 3, § 11.)
Степень ионной связи в теллуриде кадмия.
3656. Moss Т. S., Smith S. D., Taylor К. W., Journ. Phys. Chem. Solids,
8, 323 (1959). (Гл. 3, § 8 и И.)
Эффект Фарадея на свободных носителях, в антимониде индия в инфракрасной
области.
3657. Moss Т. S., Journ. Appl. Phys., 32 (Suppl.), 2136 (1961). (Гл. 3, §
11.)
Край оптического поглощения в GaAs и его зависимость от электрического
поля.
3658. Moss Т. S., Ellis В., Proc. Phys. Soc., 83, 217 (1964). (Гл. 3, § 8
и И.)
Эффект Фарадея в инфракрасной области в AlSb, п-GaP и в нелегированном
GaP.
3659. Moss Т. S. (см. [4381, 4796, 4797]).
3660. Motizuki К., Sparks М., Journ. Phys. Soc. Japan, 19, 486 (1964).
Глубина проникновения возбужденных электронов и дырок в металлах и
полупроводниках.
3661. Mott N. F., Trans. Faraday Soc., 43, 429 (1947).
Теория образования защитных окисных пленок на поверхностях материалов.
III.
3662. Mott N. F" Photo. Journ, В88, 119 (1948).
Замечания к теории скрытого изображения.
3663. Mott N. F, Rep. Brit. Electr. Res. Assoc, Ref. L/7216, 1949.
Замечания к вопросу о транзисторе и поверхностных состояниях в
полупроводниках.
3664. М oj t N. F, Proc. 10th Solvay Congr, Brussels, 1954. p. 67.
Дискуссия.
3665. Mott N. F, Nature, 178, 1205 (1956).
Теоретическая химия металлов.
3666. Mott N. F, T wose W. D, Adv. Phys, 10, 107 (1961).
Теория примесной проводимости.
[См. перевод: УФН, 79, вып. 4, 691 (1963).]
3667. Mott N. F, Proc. Roy. Soc, A275, 149 (1963). (Гл. 10, § 4.)
Атомная физика и прочность металлов.
3668. Mott N. F" Adv. Phys, 13, 325 (1964).
Электроны в переходных металлах.
3669. Mott N. F. (см. [3418]).
3670. Мотулевич Г. П, Шубин А. А, ЖЭТФ, 34, 757 (1958).
О роли межэлектронных соударений в металлах в инфракрасной области
спектра.
3671. Мотулевич Г. П" ЖЭТФ, 37, 1770 (1959). (Гл. 5, § 5.)
О связи оптических постоянных металлов с их микрохаракгернсти-ками.
Библиография
583
3672. Mrozowski S., Journ. Chem. Phys., 21, 492 (1953). (Гл. 3, § 11.)
Электрическое сопротивление соединений внедрения графита.
3673; Мигао Т., Journ. Phys. Soc. Japan, 17, 341 (1962).
Экранирование мультипольных взаимодействий в металлах.
3674. Murphy Е. L., Good R. Н., Phys. Rev., 102, 1464 (1956).
Предыдущая << 1 .. 270 271 272 273 274 275 < 276 > 277 278 279 280 281 282 .. 313 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed