Диэлектрики полупроводники, металлы - Слэтер Дж.
Скачать (прямая ссылка):
Исследование импульсным методом обратной ветви вольтамперной
характеристики германиевых точечных контактов.
1183. Bennet Н. S., Stem Е. A., Phys. Rev., 137, А448 (1965). (Гл. 3, §
8.)
Эффект Фарадея в твердых телах.
1184. Benoit a la Guillaume С., Cernogora J., Journ. Phys. Chenj. Solids,
24, 383 (1963). (Гл. 3, § 11.)
Примесная фотопроводимость с испусканием фононов в германии.
1185. Benoit a la Guillaume С., Trie С., Journ. Phys. Chem. Solids, 25,
837 (1964). (Гл. 5, § 5.)
Оптическое изучение полупроводников типа III-V с целью конструирования
лазеров.
1186. Benson G. С., McIntosh R., Canad. Journ. Chem., 33, 1677 (1956).
(Гл. 10, § 4; гл. 3, § 11.)
Некоторые расчеты поверхностей энергии окиси магния.
1187. Benson G. С., Schreiber Н. P., Paterson D., Canad. Journ. Phys.,
34, 265 (1956). (Гл. 10, § 4; гл. 3, § 11.)
Проверка модели Вервея для решеточной структуры свободной поверхности
щелочногалоидных кристаллов.
1188. Benson G. С., С lax ton Т. A., Journ. Phys. Chem. Solids, 25, 367
(1964). (Гл. 10, § 4.)
Оценка поверхностей энергии кристаллов инертных газов.
1189. Bent hem С. W., Appl. Sci. Res., B7, 275 (1958). (Гл. 5, § 5.)
О возможном влиянии взаимодействия электронов на отражательную
способность металлов.
1190. В е г g W. Т., Morrison J. A., Proc. Roy. Soc., А242, 467, 478
(1957). (Гл. 8, § 5.)
Тепловые свойства щелочногалоидных кристаллов. I. Теплоемкость хлористого
калия, бромистого калия, йодистого калия и йодистого
натрия между 2,8 и 270° К. II. Анализ экспериментальных
результатов.
1191. Berghuis J., Haanappel J., Potters М., Loopstra В. О.,
MacGillavry С. Н., Veenendaal A. L., Acta Cryst., 8, 478 .
(1955). (Гл. 6, § 2.)
Новые расчеты факторов атомного рассеяния.
1192 Berglund С. N., Spicer W. Е., Phys. Rev., 136, А1030
(1964).
(Гл. 3, § 10 и 11.)
Исследование меди и серебра с помощью внешнего фотоэффекта. Теория.
1193 Berglund С. N., Spicer W. Е., Phys. Rev., 136, А1044
(1964).
(Гл. 3,' § 10 и 1 (.)
Исследование меди и серебра с помощью внешнего фотоэффекта. Эксперимент.
1194 В е г g 1 u п d С. N. (см. [4437]).
1195. Berlincourt Т. G., Phys. Rev., 94, 1172 (1954). (Гл. 3,
§ 9 и 11.)
Эффект де Гааза-ван Альфена в кадмии.
1196. Berlincourt Т. G., Steele М. С., Phys. Rev., 95, 1421
(1954).
(Гл. 3, § 9 и 11.)
Зависящие от температуры параметры де Гааза-ван Альфена в цинке.
1197. Berlincourt Т. G" Steele М. С., Phys. Rev., 98, 956 (1955). (Гл. 2,
§ 4; гл. 3, § 10 и 11.)
Осцилляции эффекта Холла, магнетосопротивления и магнитной
восприимчивости в монокристалле графита.
462
Библиография
1198.
1199.
1200. 1201.
1202.
1203.
1204.
1205.
1206.
1207.
1208.
1209.
1210.
1211.
1212.
1213.
1214.
1215.
1216.
Berlin court T. G., Phys. Rev., 99, 1716 (1955). (Гл. 3, § 9 и 11.)
Эффект де Гааза-ван Альфена в мышьяке.
Berlin court Т. G., Phys. Rev., 112, 381 (1958). (Гл. 2, § 4; гл. 3, § 10
и 11.)
Эффект Холла, магнетосопротивление и размерные эффекты в меди.
BerlincourtT. G. (см. [3802, 4635]).
Berman R., Adv. Phys., 2, 103 (1953).
Теплопроводность диэлектрических твердых тел при низких температурах.
Berman R., Foster Е. L., Ziman J. М., Proc. Roy. Soc., A237, 344 (1956).
Теплопроводность диэлектрических кристаллов; влияние изотопов. Berman R.,
Nettley Р. Т., Sheard F. W., Spencer A. N.. Stevenson R. W. H., Ziman J.
М., Proc. Roy. Soc., A253, 403 (1959).
Влияние точечных дефектов на решеточную теплопроводность твердых тел.
Bernard W., Roth Н., Straub W. D., Phys. Rev., 132, 33 (1963). (Гл. 2, §
4; гл. 3, § 11.)
Гальваномагнитное исследование вырожденного германия, легированного
галлием; непараболические поверхности энергии с разной гофрировкой.
Bernard W., Roth Н., Straub W. D., Mu 1 hern J. E., Jr., Phys. Rev., 135,
A1386 (1964). (Гл. 3, § 10 и 11.)
Осцилляции де Гааза-ван Альфена магнетосопротивления сильнолегированного
германия.
Bernstein I. В., Phys. Rev., 109, 10 (1958).
Волны в плазме в магнитном поле.
Berz F., Proc. Phys. Soc., В69, 939 (1956) (Гл. 11, § 7.)
О теории плазменных волн.
Berz F., Proc. Phys. Soc., 71, 275 (1958).
К теории поверхностной рекомбинации в полупроводниках при большой
разности потенциалов между поверхностью и объемом.
Bess L., Phys. Rev., 105, 1469 (1957).
Возможный механизм беэыэлучательной рекомбинации в полупроводниках.
Best Р. Е., Proc. Phys. Soc., 79, 133 (1962). (Гл. 5, § 3.)
Характеристические спектры электронных энергетических потерь в некоторых
щелочногалоидных кристаллах.
Best Р. Е" Proc. Phys. Soc., 80, 1308 (1962). (Гл. 5, § 3).
Характеристические энергетические потери в соединениях.
Best Р. Е. (см. [4118]).
Betts D. D., Bhatia А. В., Wyman М., Phys. Rev., 104, 37 (1956). (Гл, 8,
§ 5.)
Метод Хаустона и его применение к вычислению характеристических
температур кубических кристаллов.
Betts D. D., Bhatia А. В., W у m а п М., Horton G. К-, Phys. Rev., 104,
43 (1956). (Гл. 8, § 5.)
Характеристические температуры Дебая для некоторых некубических