Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Порохов А.М. -> "Физическая энциклопедия Том 4" -> 536

Физическая энциклопедия Том 4 - Порохов А.М.

Порохов А.М. Физическая энциклопедия Том 4 — М.: Большая российская энциклопедия, 1994. — 701 c.
Скачать (прямая ссылка): fizenciklopedt41994.djvu
Предыдущая << 1 .. 530 531 532 533 534 535 < 536 > 537 538 539 540 541 542 .. 818 >> Следующая


Излучающая структура и подложка Цвет свечения ^MaKct HM Квантовый ВЫХОД, Tfcn. %, макс. значение Сила света /и 10 ¦ кд при токе 20 мА, макс. значение
ГС Gflo.it Ale, as As/GaAs красный 660 6 500
ДГ Ga0lts Al0iSj As/GaAs —»— —»— 1000
МДГ1 Ga0lIt AI0lJ0 As/GaAiAs —»— —»— 21 5000
GaAe0 ,s P0l00* N/Ga? GaAs010 P0itt: N/GaP GaP:N/GaP оранже- вый жёлтый 630±5 0,6 300
585±5 0,25 200
жёлто- зелёный 565 ±2 0,5 400
GaP/GaP зелёный 555 ? і 0,2 200
SiC/SiC—6H синий 480 0,04 12
SiC/SiC—4H фиолето- вый ИК-иалу- чение 423 0,001 1
GaAs:Si/GaAe 930±10 28 —
flrGa0)f Al0iI Aa/GaAs —»— 850±30 7
МДГ Ga0t0 Al0lt As/GaAIAs —»— —і»— 38

рис. 3. Схематическое изображение изменения ширины запрещённой зоны МДГ в системе Gra,_iAl*As.

f—Дгс-

PjaxT

Толщина

плоские кристаллы с мезаструктурои, позволяющие за счёт «внутр. фокусировки» излучения повысить вывод излучения в 2—3 раза; 4) создают диффузио-рассеиваю-щую излучающую поверхность, улучшающую условия вывода излучения для лучей, падающих на границу раздела под углом, большим критического; это позволяет повысить вывод света в 1,5—2 раза.

Быстродействие излучающих диодов пли предельная частота модуляции излучения ограничивается временем жизии неосновных носителей:

» (=U 2

Ж =-J5


с ІЛ
ы <
а. S <
л С9 сЧ
О О О

красный

ближний ИК-диапаэон

1,0 мкм

Рис. 4. Типичные спектры излучения светодиодов.

ЛЛ=[Ж*«)1Г1Л,

где Pu — мощность излучения иа частоте ш, P0 — мощность иемодулиров. излучения, T — время жизни неосновных носителей. Время нарастания и спада излучения по уровням 0,1—0,9 для С. из высокоэф-

gактивных МДГ в системе ах_JtAlacAs с красным и И K-нзлучением составляет 15— 25 ис.

Технология светодиода основана на использоваиин эпитаксиальных методов: жидностиой эпитаксии, газотранспортной эпитаксии, МОС-гидридной эпитаксии.

Обобщённые данные по характеристикам светодиодов приведены в табл., а типичные спектры излучения — на рис. 4.

Области применения: сигнальная индикация, подсветка постоянных надписей, отображение миемоиич. информации, блоки матриц бесшовной ст ві-

зо*
СВЕТОИНДУЦИРОВАННЫЙ

ковкн для создания бегущих строк и экранов большой площади, устройства дистанц. управления бытовой и промышленной радиоаппаратурой иа основе С. ИК-диапазо-на, излучатели для ВОJlC, для медицинских приборов, для газоанализа и влагометрии, линейки С. для копировальных н считывающих устройств персональных компьютеров, анализаторов изображения, оптопары и разобщённые оптроны в автоматике, устройства бесконтактного измерения углов между поверхностями, угл. перемещений и угл, скоростей, параметров вибрации, ухода гидроприборов и т. п.

Лит.: Bepr А., Дин П., Светодиоды, пер. с англ., М., 1979; Коган JI. М., Полупроводниковые светоизлучающие диоды, М., 1983; Ishinatsu S., Okuno Y., High efficiency GaAlAs1 LED, «Optoelectronics — Devices and Technol.», 1989, V. 4, M I, p. 21; Коган Л. М. и др.. Новые светоизлучающие диоды, «Электрон, промышленность», 1990, № 9, с. 22.

Л. М. Коган.

СВЕТОИНДУЦЙРОВАННЫЙ ДРЕЙФ газов и газоподобных сред — относит. движение (дрейф) компонентов газовой смеси, возникающее при резонансном взаимодействии излучения с одним из компонентов смеси. Cl. д. обусловлен селективным по скоростям возбуждением резонансно поглощающих излучение частиц и различием транспортных характеристик возбуждённых н иевозбуждённых частиц при их столкновениях с др. компонентами смеси [1].

Впервые С. д. атомов наблюдался в 1979 [2], молекул — в 1981 [3]. С. д. возможен и в средах, подобных газовым, напр, для электронов проводимости в твёрдых телах [4; 5] (экспериментально зарегистрирован в

1983 [6]).

Физ. основу С. д. легко пояснить иа примере простейшей модели двухуровневых частиц, резонансно поглощающих излучение бегущей монохроматич. волиы и находящихся в среде буферного (не взаимодействующего с излучением) газа. С учётом доплеровского ушнре-ния с излучением взаимодействуют только те частнцы поглощающего газового компонента, скорости к-рых V находятся в окрестности «резонансного» значения, определяемого соотношением:

Q = W- d)10—kv, (1)

где о) — частота излучения, (I)iu — частота резонансного перехода между основным (O) и возбуждённым (1) состояниями, к — волновой вектор излучения.

Под действием излучения происходит селективное по скорости изменение заселённостей основного (р0) и возбуждённого (P1) состояний поглощающих частиц. На рис. показано характерное распределение заселённостей P0(?.) И P1(^x) по проекции Vx скорости на волновой вектор (ось х) без учёта столкновений и в предположении, что при поглощении фотона скорость частицы ие меняется (последнее означает пренебрежение эффектом светового давлеиия, что заведомо оправдано в специфич. для С. д. условиях). В первоначально равновесном (максвелловском) распределении р0(%) излучение создаёт «провал» в окрестности резонансной скорости vx — Qfk, образуя неравновесное распределение Pi(f*) возбуждённых частиц при тех же значениях vx. Неравновесным распределениям р^*) и P0(^3c) соответствуют отличные от нуля встречные парциальные потоки частиц:
Предыдущая << 1 .. 530 531 532 533 534 535 < 536 > 537 538 539 540 541 542 .. 818 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed