Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Порохов А.М. -> "Физическая энциклопедия Том 4" -> 48

Физическая энциклопедия Том 4 - Порохов А.М.

Порохов А.М. Физическая энциклопедия Том 4 — М.: Большая российская энциклопедия, 1994. — 701 c.
Скачать (прямая ссылка): fizenciklopedt41994.djvu
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 818 >> Следующая

монокристалла совмещают с предварит, дополнит, войной очисткой. Для создания расплавленной зоны нркменяют индукционный нагрев (используется в технология Si).

Для получения монокристаллов ряда тугоплавких разлагающихся полупроводниковых соединений применяют кристаллизацию нз газовой фазы методами суб-лнмацин и хнм. трансаортных реакций (наир., CdS1 ZnS, SIC, AIN).

Бели нри выращивании не удаётся получить соединение стехнометрич. состава, кристаллы разрезают на пластины н подвергают дополнит, отжигу в парах недостающего компонента. Наиб, часто этот приём используют для получения кристаллов узкозонных соединений A Bvi н AuBvi1 где собств. точечные дефекты проявляют высокую электрич. активность (PbTe, PbxSn1.*Te, CdxHg^xTe и др.). Для выращивания профил и ров. монокристаллов П. м. (ленты, прутки, трубы и т. д.) применяют метод Степанова. Процессы получения П. м. в виде монокристаллич. плёнок на различного рода монокристаллич. подложках и as. процессами эпитаксиального наращивания (см. Эпитаксия),

Применение полупроводниковых материалов

Оси. областью применения П. м. является микро-Шктроника. П. м. составляют основу современных больших и сверхбольших интегральных схем (ИС), к-рые делаются в осн. на Si. Повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности связаны с созданием ИС на основе GaAs, InP и нх твёрдых растворов с др. соединениями A111Bv.

¦ П. м. используют для изготовления «силовых» элек-гроиных приборов (вентилей, тиристоров, мощных транзисторов). Здесь также осн. П. м. является Si, а дальвеишее продвижение в область более высоких рабочих темп-p связано с применением GaAs, SiC и др. широкозонных П. м. Расширяется применение П. м. в солнечной энергетике. Осн. П. м. для изготовления солнечных батарей являются Si, GaAs, гетероструктуры Ga3tAl1^xAs — GaAs, CuaS — CdS, a-Si(H), a-Si(H) —

O-SijrC1^(H). С применением ненрнсталлич. гидрированных П. м. связаны перспективы снижения стоимости солнечных батарей.

П. м. используются в произ-ве полупроводниковых лазеров в светоизлучающих диодов. Лазеры изготовляют на основе ряда прямозонных соединений A111Bv, A11Bvif AlvBvl н др. Важнейшими П. м. для изготовления инжещионных лазеров являются гетероструктуры: GaxAl1^xAs — GaAs; G BxIn1.* AsyP1^ — InP;

GaxInl.*, As — InP; GaxIn^xAsyP1.., — Ga As1 _х Px;

PbrSDl^xTe — PbTe (см. Гетеролазер). Для наготовленая светодиодов используют GaAs5 GaP, GaAs1^Pxt GaxIn^xAs1 GaxAl1_xAs, SiC и др. П. м- составляют основу фотоприёмных устройств широкого диапазона (Ge, Si, GaAs, GaP, InSb, InAs, GaxAl1..*.As, Hg1-JcCdxTe, Pfy-ySn*Te н др-)- Полупроводниковые лазеры и фото-пМёмникн— составляющие элементной базы воло-товно-оптич. линий связи (см. Волоконная оптика).

'Широко используются П. м. для создания разл. прн-бефов СВЧ- н раднодиапазонов (биполярные и полевые транзисторы, транзисторы на горячих электронах, Аавинопролётпные диоды), детекторов частиц (чистые

Si, GaAst CdTe и др.; см. Полупроводниковый детектор). На основе П. м. изготовляются термохолодильники, тензодатчики, высокочувствнт. термометры, дат-чпйи магн. полей, модуляторы п волноводы И К-излучения, т. и. оптические окна и др.

Лит.: Горелик С. С., Датевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Миль-идскяй М. Г., Полупроводниковые материалы в современ-¦00 электронике, М., 1986; Нашельский А. Я., Технологий полупроводниковых материалов, м., 1987; М. е й л и-го® В. 3 , JI а 8 а р е в С. Д., Электрофизические свойства Uojynpoводников, (Справочник физических величин), м., 1987.

Af. Г» Милъвидский,

г.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников — однородных (табл. 1) н неоднородных, содержащих р — п-переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрнч. н магн. полей п др.), а таиже поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник — металл, полупроводник — диэлектрик н нх сочетания).

Табл. 1. — Полупроводниковые приборы на основе однородного полупроводника
Внешнее воздействие Используемое явление (свойство) Название прибора Число элект- родов
Свет » Электрон-вый пучок Электрич. поле E » Свет частоты й) и В В и магн. поле H » Е, темп-pa Г Е, давление P Пропускание света выше определ. частоты Генерация носителей заряда под действием света Генерация носителей поп действием влек-тронов Электропроводность полупроводника о; ток 1—аЕ Ганна аффект Внутр. фотоэффект; i=o(ftta)? Магнето рев исти в ный эффект (магнето-сопрот ивление) Холла аффект; Vh=/(?,h) Зависимость электропроводности полупроводника от темп-ры; I=O(T)E Тенэореаисти вный аффект Оптич. фильтр Л о л ifnpoeodu и ковый лааер с оптич. накачкой Полупроводни ковый лазер с накачкой электронным пучком Резистор (сопротивление) Генератор Ганна Фотосопротивление (фотореэистор) Сопротивление (резистор), управляє* мое магн. полем Датчик Холла Термистор (терморезистор) Тензодатчик 0 2 2 2 4 2 2
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 818 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed