Физическая энциклопедия Том 4 - Порохов А.М.
Скачать (прямая ссылка):
- Фокусировиа электронного пучка в большинстве совр. П. э.-Л, т. осуществляется эл.-статнч. полями, отилоиееие изменяемыми во времени полями, в кинескопах й индннаторных П. э.-л. т.— ыагиитНМмн, в осциЛлогр&фичеЬких—агіектрнч. do# я ми.1 Процесс вос-нройЭведенияияформациина экране иаэ. записью. В теле» из. приёмнииах и нек-рых др. системах пучок отн-лоняется построчно, образуя растр, состоящий из большого числа линий. ПрЙ этом входной 'сигнал, несущий информацию, подаётся на Элемент П. э.-л. f., управляющий интенсивностью пучка, а ‘^ледй^ателбио и яркостью соответствующего участка изображения; Такой способ запйси иаа. рас*ро?ым. При др. способе записи^ широко применяемом длгі отображения цифро-буквен-ной и графнч. информа#** й называемой функциональным или векторным,1 вхоДныгё CiirfeaJiti управляют положением пучка по РбеиЙ иоб^ДянатаЯ зкрана. выписывая прн «отпираяри»йуЧка веоотвётствующие моменты времени ви aim, графики ,чертеЖн п т. п. В осциллографии. П. в.-л. 1T. йучок перйодически отклоняется в 6Д-иом направлении (ocff* ременя) с заранее установленной скоростью Iі ваюдиой сигнал, отражающий к^л. процесе во времени, управляет положением пучка в перпенди-кулирном оси иремени направлении,'благодаря чему процесс отображается в виде графина в прямоуг. системе координат. •
Осн. функциональные параметры' П. э.-л. т.;: раз ре*' шающая способность (выражаемая шириной светящейся линии, возбуждаемой перемещающимся' вдемтроиным пучком, или числом различимых линий, размещаемых иа высоте иадра, либо предельным объёмом отображаемой информации); яркость, свечения экрана, или излучаемый световой поток; Koerrpacvr изображения, определяемый отношением яркостей возбуждаемых и и* возбуждаемых участков экрана; чувствительность отклонения (для осциллографич. 'П. 8.-Л. т.У — отклонение пучка иа экране на1 В отклоняющего напряжения. Параметры П. э.-л. т. противоречивым образом связаны между собой, Хаи, увеличение тоиа пучка для повышения яркостн приводит к снижению разрешающей способности. Для преодоления этого противоречия создаются П. э.-л. в к-рых информации воспроизводится параллельно в разных ^местах экрана неси, пуч— как*. Дня управления интенсивностью каждого пучка необходим свой усилитель сигналов, полоса пропусиа-ипя каждого из к-рых соответственно сужается.
Лим..-Квллер В. А., Куракнп Л. А., Приемные ааемгроаиоплучевые трубк*, 2 изд., М., 1971; HIepcv> не в Л. Г., Электронная оптика ш влектронно-л учеше прибори, М., 1971. В. JI. Геруе.
ПРИЗМЫ ОПТИЧЕСКИЕ — призмы ив материалов, прозрачных для оптического излучения в ней-ром интервале' его частот. Они могут быть и могут не быть призмами в ctpdro геом. смысле (напр.; с уоечбнной вершиной).' П. о. подразделяются на три обширных и рез-¦йо различающихся по назначению класса: спект-рёмь'кме 1 призмы (пре лепилйющие или дпепероионнме прйзйн), отражательные при»,Мы и поляризационные призмы.
ПРИЛИПАНИЕ э л е к т р о и о в — образование от-ряцат/ йонов с участием свободных злентронов. Сюда относятся процессы диссоциативного П. и тройной процесоре участей трёх частиц) П. нона к атому или молекуле, Подробнее ‘’Cm. в ст. Отрицательные ионы.
і _ц_ В. М. Смирное.
ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — проводимость по-лтадоодд^риа, при К-рой о?», вклад в перенос заряда дают электроны (дырин), ^ермическн возбуждённые 8 зону проводимости (валентную зону) из локализованных в запрещённой зоие донорных (акцепторных) со-QTOftHHft1 (ирбаодимоя^ « типа н р-тнпа).П. п. орределя-е^Я крИЕ^цтраЦ^ 'донорных Ar, и акцепторных Ara ЯримеодВ; ипоЛожецием рх уровней, в запрещённой зо-При высоких тем^і-раї T1 есл H1 дол у п ров однйк невм-рожден, КояіІевтрацйп д^ носителей в собственном полупроводнике (Cm. Собственная проводимость) удовлетворяет условию П) Nt — Ууа, наличие примесей Нерачительно сказывается иа гконцеитрациих электро-^пидырчНр; ’’
{ пр}*пф±(Нж^Ні>.
Ври этом все примеси ионизованы і а уровень Ферми Stf близок « середине запрещённой зоны: При более низких темн-pax, для н»рых гц «JVn-./Va, почти все мелкие принеся остаются ещё ионизованными (область истощения). В атом случае п Na — Na-, P = пУ(Мц. — < n* т- ионцентрация оси. но-
сителей не зависит от Т. При дальнейшем понижену. T /^.принижается к уровню Sa донориой приме-си, в ,засеЛённость донорных уровней будет расти аа счёт поступления электронов ИЗ зоны проводимости, а концентрацией зонных носителей заряда соответственно уменьшаться. Цри T —» ОН концентрации зонных носителей убывают экспоненциально, в этом пределе доминирует пр исковая проводимость.
i JIum. «м, iHpvi ст. ПолупровЫЫики. И. Л. Бейнихее.
НРЙМЕСНЫЕ УРОВНИ — эиергетич. состояния (уровни) полупроводника, расположенные в запрещённой зове и обусловленные присутствием в нём примесей и структурных дефектов. В зависимости от того, малб или сравнимо с шириной запрещённой зоны Sg рас-сТояние от П. у. до Края ближайшей разрешённой зоны, различают мелкие и глубокие П. у. По спо-собноств. ярнмвеного атома отдавать электрон и зону проводимости либо принимать его из валентной зоны П. у:< подразделяют на дозорные и а и ц е и-т о р н<ы е (рис.). Мелкие П, у., соответствующие примесям замещения (замещение атома иристалла примесным атомом), проявляют-: доиорный ха раите р, если ва-лент*ости примесного атома нревышает валентность атомов оси. кристалла,; или акцепторный — при обратном соотношении. Глубокие-П. у. обычно образуются при замещении атомов матрицы атомами, отличающими* ся по валентности бодсее чем иа ±1. Такие примеси иногда способны образовывать иеск. П. у., соответствующих разл. зарядовым состояниям, иапр. атомы Cu в Ge создаю» три П. у., соответствующих ионам Cu", Cu*’, Cu8-, Глубокие П. у., отвечающие разным ионам, могут нметь равл. характер (одни —< быть допорными, другие — акцепторными). і
