Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Петров М.П. -> "Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике" -> 79

Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике - Петров М.П.

Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике — Спб.: Наука, 1992. — 320 c.
Скачать (прямая ссылка): fotoregistraciioptiki1992.djvu
Предыдущая << 1 .. 73 74 75 76 77 78 < 79 > 80 81 82 83 84 85 .. 144 >> Следующая

На рис. 8.17 показаны кривые нарастания дифракционной эффективности модулятора ПРИЗ, изготовленного из кристалла BSO, при проявлении изображения синусоидальной решетки. Точка i = О' соответствует моменту выключения записывающего света и включения напряжения. Проявление начинается с момента начала равно* мерной засветки красным светом (А. = 633 нм). Одновременно этот свет служил считывающим. Было показано, что стимулировать проявление можно не только красным, но и, например, зеленым светом (А. = 530 нм). В отдельных образцах ПВМС ПРИЗ, изготовленных также из номинально чистых кристаллов BSO, проявление скрытых изображений происходило и без проявляющего освещения, только-за счет приложения внешнего поля к кристаллу.
Вкратце механизм скрытой записи заключается в следующем [8.62]. При освещении кристалла записывающим светом электроны возбуждаются с донорных уровней в зону проводимости. После этого часть их захватывается в ловушки, которые перед записью освобождаются за счет предварительного освещения модулятора красным светом. Поскольку внешнее поле во время воздействия записывающего света не прикладывается, пространственное перераспределение электронов, находящихся в зоне проводимости, возможно только за счет диффузии. Однако диффузионный механизм формирования заряда при записи изображения с низкими пространственными частотами значительно уступает по эффективности дрейфовому.
Возникающие за счет диффузии внутренние поля оказываются малыми и не могут вызвать заметной модуляции считывающего света. Поэтому можно считать, что при воздействии записывающего света
184
Рис. 8.17. Изменение дифракционной эффективности со временем при визуализации «скрытого» изображения синусоидальной решетки в кристалле BSO [8.54].
7 — визуализация считывающим светом
'X — 633 нм; 2 — при дополнительном .импульсном воздействии светом Я, = — Г)30 им, 3 — то же при К = 1060 им.
:простраиственного перераспределения заряда не происходит.
Однако осуществляется запись скрытого изображения, представляющая собой пространственно неоднородное перераспределение электронов по энергетическим состояниям в запрещенной зоне кристалла. При проявлении электроны, находящиеся в более высоких энергетических состояниях, возбуждаются проявляющим светом и дрейфуют под действием внешнего поля. В результате в кристалле создается нескомпенсированный положительный заряд доноров, поле которого вызывает пространственную модуляцию считывающего светд.
Исследование скрытой записи изображений показало, что образцы ПВМС, изготовленные из различных образцов номинально чистых кристаллов BSO, могут иметь различные времена хранения скрытых изображений, чувствительность к проявлению красным и зеленым светом, отличающиеся на порядки, причем в некоторых образцах для проявления изображений не было необходимости в проявляющей засветке. В них проявление происходило, по-ви-димому, за счет термического возбуждения электронов. Все это свидетельствует о заметных различиях в структуре ловушечных уровней различных образцов кристалла.
Было показано, что нелинейные искажения записи изображений в ПВМС ПРИЗ определяются нелинейностью процесса формирования фотоиндуцированного заряда. В режиме записи скрытых изображений формирование заряда происходит под действием проявляющей засветки после окончания записи и может контролироваться. Это позволяет записывать, воспроизводить без нелинейных искажений изображения в большом диапазоне экспозиций. Кроме того, в некоторых образцах модуляторов наблюдалось проявление изображений через время, превышающее 10 мин после воздействия записывающего света. Это позволяет заметно увеличить время хранения и накопления информации в ПВМС ПРИЗ по сравнению с обычным режимом.
8.2.10. Фотоиндуцированная пьезоэлектрическая фазовая модуляция света
Для модуляции считывающего света в кристаллах типа BSO, как правило, используется электрооптический эффект. В то же время :наряду с электрооптическими эти кристаллы обладают и сильно
185
0.25
I 0.50
0.75
1.0
0 45 90 135 180 0 45 90 135 180
сp} град
Рис. 8.18. Зависимость дифракционной эффективности от ориентации волнового вектора синусоидальной решетки при v= 4 лин/мм (а) и 15 лин/мм (б).
I -- при экспозиции записывающим светом, соответствующей Лшах> 2 — при малой экспозиции, когда г] ОС W2 [8.57 3.
выраженными пьезоэлектрическими свойствами [8.64], которые также могут быть использованы для пространственной модуляции света. Действительно, в [8.65] было показано, что под действием внутреннего поля фотоиндуцированного заряда пластина кристалла BSO деформируется. Связанные с деформациями смещения поверхности пластины вызывают заметную фазовую модуляцию считывающего света, отраженного от поверхности кристалла.
Для исследования этого эффекта были использованы ПВМС ПРИЗ, в которых пластина кристалла имела круглую форму и срез (110). В отличие от обычного способа считывания изображений светом, проходящим через кристалл, в этом случае при записи синусоидальной решетки наблюдалась дифракция света, отраженного от поверхности. Причем дифракция была зарегистрирована только тогда, когда к электроду, нанесенному на отражающую поверхность,, прикладывается отрицательный потенциал.
Предыдущая << 1 .. 73 74 75 76 77 78 < 79 > 80 81 82 83 84 85 .. 144 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed