Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике - Петров М.П.
Скачать (прямая ссылка):
tionary" holographic recording in photorefractive crystals under an external alternating electric field//Opt. Commun. 1985. Vol. 53, N 5. P. 292—295.
4.43. С о ч а в а С. Л,, Степанов С. И. Запись динамических голограмм
в Bi]2SiO20 с помощью полупроводникового лазера (X = 0,85 мкм) //Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, № 1. С. 34—39.
4.44. Kumar J., Albanese G., Steier W. H., Ziari M. Enhanced two-beam mixing gain in photorefractive GaAs using alternating electric fi-elds//Opt. Lett. 1987. Vol. 12, N 2. P. 120—122; Walsh K-, Hall T. J. Photorefractive two-wave mixing in GaAs using a diode-pumped Nd : YLF laser at 1.31 jum//Electron. Lett. 1988. Vol. 24, N 8. P. 477— 478; Klein М. B., McCahon S. W., Boggess T. F., Valley G. C. High-accuracy high-reflectivity phase conjugation at 1.06 jum by four-wave mixing in photo
73
refracfive gallium arsenide//J. Opt. Soc. of Amer. B, 1988, Vol. 5, N 12. P. 2467—2472.
4.45. Б p ы к с и н В. В., К о р о в и н Л. И. Динамика распределения фотоин-дуцированных зарядов и электрических полей в кристаллах//ФТТ. 1982. Т. 24, вып. 7. С. 2030—2035.
4.46. Б р ы к с и н В. В., К о р о в и н Л. И., П е т р о в М. П. Линейный режим работы пространственно-временных модуляторов света ПРИЗ//ЖТФ. 1984. Т. 54, вып. 8. С. 1504—1511.
4.47. Брыксин В. В., Коровин Л. И., М ар ах о но в В. И. Влияние поглощения света на распределение электрических полей в Bi]2SiO20//}KT®. 1983. Т. 53, вып. 6. С. 1133—1138.
4.48. А с т р а т о в В. Н., И ль и не кий А. В. Прямое исследование распределения электрического поля в кристалле Bij2GeO20 с помощью поперечного электрооптического эффекта/'/ФТТ. 1982. Т. 24, вып. 1. С. 108—115.
4.49. Брыксин В. В., Коровин Л. И., Марахонов В. И., X о -м е н к о А. В. Начальный этап перераспределения фотоиндуцированных зарядов и электрических полей в Bi12SiO20//®TT. 1982. Т, 24, вып. 10. С. 2978— 2984.
4.50. Брыксин В. В., Коровий Л. И. Нелинейная теория динамики распределения электрического поля в фоторефрактивных кристаллах//ФТТ. 1983. Т. 25, вып. 1. С. 55—61.
4.51. Брыксин В. В., Коровин Л. И. Осцилляции фототока и нелинейные волны электрического поля в фоторефрактивных кристаллах//ФТТ. 1984. Т. 26, вып. 8, С. 2456—2467; Брыксин В. В., Коровин Л. И. Роль нелинейных процессов в формировании приповерхностного фотоиндуцированного заряда в диэлектриках//ФТТ. 1984. Т. 26, вып. 11. С. 3415—3425; Брыксин В. В., Коровин Л. И. Роль поглощения света в динамике формирования фотоиндуцированных зарядов//ФТТ. 1984. Т. 26, вып. 12. С. 3651—3657.
4.52. Брыксин В. В., Коровин Л. И. Роль инжекции при динамической селекции изображений в нелинейном по электрическому полю режиме//ФТТ. 1983. Т. 25, вып. 8. С. 2346—2353.
4.53. Шлягин М. Г., Хоменко А. В., Брыксин В. В. и др. Механизм нелинейных явлений в пространственно-временном модуляторе света ПРИЗ// ЖТФ. 1985. Т. 55, вып. 9. С. 119—126.
4.54. Астратов В. Н., Ильинский А. В., Киселев В. А., Мельников М. Б. Динамика распределения поля и заряда в Bi12GeO20 при термической ионизации ловушек//ФТТ. 1983. Т. 25, вып. 9. С. 2755—2758.
4.55. Астратов В. Н., Ильинский А. В., Киселев В. А. Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах//ФТТ. 1984. Т. 26, вып. 9. С. 2843—2851.
4.56. Брыксин В. В., Коровин Л. И., Марахонов В. И., Хомен к о А. В. Роль инжекции электронов в формировании оптических изображений в кристаллах В1125Ю20//Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9, вып. 7. С. 385— 390.
4.57. Брыксин В. В., Коровин Л. И., Кузьмин Ю. И. Эволюция фотоиндуцированного заряда при произвольном поглощении света с учетом захвата на ловушках//ФТТ, 1986. Т. 28, вып. 9. С. 2728—2736.
4.58. Valley G. С. Short-pulse grating formation in photorefractive materials// IEEE J. of Quantum Electron. 1983. Vol. QE-19, N41. P. 1637—1645.
4.58a. LeSaux G., BrunA. Photorefractive material response to short pulse illumination//IEEE J. of Quantum Electron. 1987. Vol. QE-23, N 10. P. 1680— 1688; Valley G. C., Smirl A. L. Theory of transient energy transfer in gallium arsenide//IEEE J. of Quantum Electron. 1988. Vol. QE-24, N 2. P. 304—310.
4.59. Степанов С. И., К У л и к о в В. В. Динамическая запись изображений в кристаллах Bi12SiO20/^T®. 1983. Т. 53, № 11. С. 2255—2257.
4.60. Kamshilin А. А., М i t е v а М. G. Effect of infrared radiation on holographic recording in bismuth silicon oxide//Opt. Commun. 1981. Vol. 36, N 3. P. 429—433.
4.61. Amodei J. J., S t a e bier D. L. Holographic pattern fixing in electrooptic crystals//Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18, N 12. P. 540—542; Staeb-
74
ler D. L., Amodei J. J, Thermally fixed holograms in LiNb03//Ferroelectrics.
1972. Vol. 3. P. 107—113.
4.62. Куликов В. В..Степанов С. И. Механизмы голографической записи и термического фиксирования в фоторефрактивном LiNb03 : Fe//<STT. 1979. Т. 21, № 11. С. 3204—3208: Куликов В. В., Петров М. П., Степанов С. И. Механизмы старения объемных голограмм в LiNb03 : Fe/'/Автометрия. 1980. №1. С. 39—45.
4.63. Johnston W. D., Ir. Optical index damage in LiNb03 and other pyroelectric insulators//J. Appl. Phys. 1970. Vol. 4, N 8. P. 3279—3285.
