Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике - Петров М.П.
Скачать (прямая ссылка):
Рассмотренные здесь процессы перераспределения поля, как отмечалось выше, играют основную роль при записи изображений в фоторефрактивных ПВМС. Кроме того, они важны при записи голограмм в кристаллах типа BSO, поскольку объясняют механизм установления тока и поля в таких кристаллах.
Отметим, что с рассмотренными здесь нелинейными процессами, такими как формирование узкого горла электрического поля, связан ряд интересных физических явлений. Так, в [4.41] было показано, что формирование внутреннего поля может сопровождаться осцилляциями фототока. В [4.54—4.57] изучалась так называемая стратификация заряда в кристаллах BSO и BGO. В определенном смысле область узкого горла эквивалентна виртуальному блокирующему контакту. Поскольку само узкое горло формируется при наличии блокирующего контакта, возможно последовательное формирование нескольких областей узкого горла. При этом в кристалле под воздействием однородной засветки образуются многократно генерирующиеся слои положительного и отрицательного зарядов, что и называют стратифицированным зарядом. Кроме того, в главе 8 70
будет показано, что нелинейные явления, связанные с контактами, играют определяющую роль в механизме эффекта динамической селекции изображений, который наблюдается в ПВМС ПРИЗ.
4.7. Заключение
I-
Выше были рассмотрены основные механизмы и наиболее важные, на наш взгляд, особенности голографической записи в ФРК. Перечислим вкратце некоторые родственные вопросы, которые оказались за пределами данной главы.
1. Импульсная голографическая запись в ФРК теоретически проанализирована в [4.58].
2. Голографическая запись в ФРК со сложной структурой примесных центров изучалась в [4.17, 4.59, 4.60].
3. Запись в кристаллах, имеющих дополнительно ионную проводимость, а также процессы термического фиксирования исследовались в [4.61, 4.62].
4. Альтернативные механизмы фоторефрактивного эффекта в сег-нетоэлектрических кристаллах, не связанные непосредственно с рассмотренными выше диффузионным, дрейфовым и фотогальваническим механизмами, рассматривались в работах [4.9, 4.63—4.67].
5. Токопротекание через образец ФРК изучалось в [4.6, 4.68— 4.70] в стационарном, а в [4.71] — в нестационарном режимах записи голограммы.
6. Голографическая запись ортогонально-поляризованными световыми пучками на основе циркулярного фотогальванического эффекта и недиагональных компонент фотогальванического тензора исследовалась в [4.72—4.77].
Литература к главе 4
»
4.1. Amodei J. J. Electron diffusion effects during hologram recording in cry-stals//Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18, N 1. P. 22—24; Amodei J. J. Analysis of transport processes during holographic recording in insulators//RCA Rev.
1971. Vol. 32, N 2. P. 185—198.
4.2. Дейген М. Ф., Одулов С. Г., С о с к н н М. С., Шанина Б. Д. Фазовые голографические решетки в неметаллических кристаллах//ФТТ. 1974. Т. 16, № 7. С. 1895—1902.
4.3. Alphonse G. A., Alig R. С., S t а е b 1 е г D. L., Phillips W. Time-dependent characteristics of photo-induced space-charge field and phase holograms in lithium niobate and other photorefractive media//RCA Rev. 1975. Vol. 36, N 2. P. 213—229.
4.4. Peltier M.,Micheron F. Volume hologram recording and charge transfer process in Bi12SiO20 and Bi12GeO20//J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48, N 9. P. 3683—3690.
4.5. Moharam M. G., Gaylord Т. K-, Magnusson R., Young L. Holographic grating formation in photorefractive crystals with arbitrary electron transport lengths//J. Appl, Phys. 1979. Vol. 50, N 9. P. 5642—5651.
4.6. К u с h t a r e v N. V., M a r k о v V. B., Od u I о v S. G. et al. Holographic storage in electrooptic crystals. I. Steady State//Ferroelectrics. 1979. Vol. 22. P. 949—960.
71
4.7. G fin ter P. Holography, coherent light amplification and optical phase
conjugation with photorefractive materials//Phys, Reports. 1982. Vol. 93, N 4.
P. 199—299.
4.8. Refregier Ph., Solymar L., Rajbenbach H., Huig-n a r d J. P. Twobeam coupling in photorefractive Bi12SiO20 crystals with moving grating: Theory and experiments//.!. Appl. Phys. 1985. Vol. 58, N 1. P. 45— 57.
4.9. Chen F. S. Optically induced change of refractive indices in LiNb03 and
LiTaty/J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40, N8. P. 3389—3396.
4.10. Cornish W. D., Moharam M. G., Young L. Effects of applied voltage on hologram writing in lithium niobate//J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, N 4. P. 1479—1484.
4.11. Камшилин А. А., Митева М. P., Петров М. П. Фотоэлектрет-ное состояние в силикате висмута//Письма в ЖТФ. 1981. Т. 7, № 4. С. 251— 255.
4.12. П е т р о в М. П., С т е п а н о в С. И., X о м е н к о А. В. Фоточувстви-тельные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. Л.: Наука. Ленингр. отд-ние, 1983. 270 с.
4.13. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Иностр. лит., 1962 . 558 с.
4.14. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физ-матгиз, 1963. 496 с.
4.15. Панков Ж, Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с.
4.16. Glass А. М., L i n d е D. von der, Negran Т. J. High-voltage bulk photovoltaic effect and the photorefractive process in LiNb03//Appl. Phys. Lett. 1974. Vol. 25, N 4. P. 233—235; Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с.; Белиничер В. И., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии//УФН. 1980. Т. 130, № 3. С. 415—458.
