Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике - Петров М.П.
Скачать (прямая ссылка):
10.314. Valley G. С., S m i г 1 A. L., К 1 е i п М. В. et al. Picosecond photo" refractive beam coupling in GaAs//Opt. Lett. 1986. Vol. 11, N 10. P. 647—649.
10.315. Smirl A. L., Valley G. C., Bohnert К- М., Boggess T. F.,
Jr. Picosecond photorefractive and free carrier transient energy transfer in GaAs at 1 >xm//IEEE J. of Quantum Electron. 1988. Vol. QE-24, N 2. P. 289— 303. m
10.316. Mao H., Liu Y., Y u W. et a I. Dynamical behaviour of two-wave coupling in undoped GaAs on a picosecond time scale//Opt. Commun. 1988. Vol. 69, N 9. P. 166—168.
10.317. Fa bre J. C., Jonathan J. М. C., Roosen G. Photorefractive beam coupling in GaAs and InP generated by nanosecond light pulses//J. Opt. Soc. of Amer. B. 1988. Vol. 5, N 8. P. 1730—1736.
10.318. King S. R.,Hartwick T. S., С h a s e A. B. Optical damage in KTN// Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 21, N 7. P. 312—314.
10.319. Linde D. von der, Glass A. М., Rodgers K. F. High-sensitivity optical recording in KTN by two-photon absorption//Appl. Phys. Lett. 1975. Vol. 26, N 1. P. 22—24.
10.320. В о a t 1 e r L. A., К r a t z i g E., Orlowski R. KTN as a holographic storage material//Ferroelectrics. 1980. Vol. 27. P. 247—250.
10.321. О r 1 о w s k i R., Boa tier L. A., Kratzig E. Photorefractive effects in the cubic phase of potassium tanta!ate-niobate//Opt. Commun.
1980. Vol. 35, N 1. P. 45—48.
309
10.322. Micheron F.,Mayeux С., Hermasin A., Nicolas J. Holographic storage in quadratic PLZT ceramics//J. Amer. Ceram. Soc. 1974. Vol. 57, N 7. P. 306—308.
10.323. Houlier B., Micheron F. Photoinduced charge transfer process in PLZT ceramics//J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, N 1. P. 343—345.
10.324. Burgess J. W. Holographic storage and photoconductivity in PLZT ceramic materials//Appl. Opt. 1976. Vol. 15, N 6. P. 1550—1557.
10.325. Бутусов М. М., Князьков А. В., К p у м и н ь А. В. и др. Усиление световых пучков динамическими голограммами в ЦТСЛ-сегнетоэлек-трике//Письма в ЖТФ. 1981. Т. 7, № 15. С. 914—917.
10.326. Butusov М. М., К п у a z к о v А. V., S a i к i n A. S. et al. Stationary energy transfer controlled by applied field of hologram formation in
PLZT ceramics//Ferroelectrics. 1982. Vol. 45. P. 63—70.
10.327. Круминь А. Э., Князьков А. В., Сайкин A. C., Cer-линьш Я. А. Исследование фотоинду дарованного переноса заряда в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ 9.2 голографическим методом//ФТТ. 1983. Т. 25, № 5. С. 1570—1572.
10.328. Алексеев-Попов А. В., Князьков А. В., Сайкин А. С. Особенности записи амплитудно-фазовых голограмм в ЦТСЛ-керамике//
f Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9, № 18. С. 1100—1112.
10.329. К п у a z к о v А. V., L о b а п о v М. N., К ru m i п s A., S е g 1 i п s J.
The influence of light scattering on energy transfer in hologram recording
in PLZT ceramics//Ferroelectrics. 1986. Vol. 69. P. 81—87.
10.330. Krumins A., Rupp R. A., Kerperin K- The mechanism of holographic recording in PLZT 10/65/35 under an applied electric field//Ferroele-ctrics. 1988. Vol. 80. P. 281—284.
СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
А, Ав — амплитуда световой волны, средняя ее величина;
В — магнитная индукция световой волны;
D — электрическая индукция световой волны;
D, De(Dh)—коэффициент диффузии электронов (дырок);
d — толщина голограммы, кристалла;
Е (х) = Е0 + Esо (х) — суммарное электрическое поле в объеме кристалла;
Еао (лт), Еsc — электрическое поле пространственного заряда, его
комплексная амплитуда;
Ео = KkftT/e — диффузионное поле;
Ей — внешнее приложенное постоянное электрическое поле;
— амплитуда внешнего знакопеременного поля;
Eq = eNе0 — максимальная амплитуда поля пространственного заряда, ограниченная истощением примесных центров;
е — заряд электрона;
F — фокусное расстояние линзы (объектива); g (*) = Ра/ (x)/h(o, — скорость генерации фотоэлектронов, ее среднее зна-
ё'о1 S’ (*)> 8о’ &е) чение и комплексная амплитуда пространственно-
временной компоненты;
§Н (*). gg, gh — аналогичные величины для фотоиндуцированных дырок;
Я — магнитное поле световой волны;
Ыо — энергия фотона;
I (х) = /0 (1 + т cos Кх) — распределение интенсивности света в интерферен цион-
ной картине;
Is, /r, ... —интенсивность сигнального, опорного и других световых пучков;
/ (*)> /о. / — плотность электрического тока, ее среднее значение и комплексная амплитуда пространственно периодической компоненты;
/о (*) — плотность фотовольтаического тока;
Ks, Кн, ..мк0ь> — волновые векторы плоских световых волн (сигналь-
ной, опорной и др.);
К, к — волновой вектор интерференционной картины, решетки (синусоидальной голограммы);
К = | К | = 2п/Л — пространственная частота интерференционной картины, решетки;
6В — постоянная Больцмана;
Lx, Ly, Lz (d) — линейные размеры объема, занимаемого голограммой (кристалла);
L0 = [itfo — средняя дрейфовая длина переноса фотоэлектрона; ?d = ~[/Dx, Leu — средняя диффузионная длина переноса фотоэлектрона;
Lq — то же для фотоиндуцированной дырки;
311
»
Lp = у ee0kBT/e2Nд — дебаевская длина экранирования;
Lq = ъг0Ей1еЫх — длина затягивания электронов полем Е0;
