Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике - Петров М.П.
Скачать (прямая ссылка):
сталлах титаносилленита//ЖТФ. 1989. Т. 59, № 1. С. 113—117.
:10.287. С о ч а в а С. JL, Степанов С. И. Эффективный энергообмен при двухволновом взаимодействии в В1'12ТЮ20//ЖТФ. 1987. Т. 57, № 9. С. 1763— 1766.
10.288. Степанов С. И., Петров М. П., К р а с и н ь к о в а М. В. Эффективное вырожденное четырехволновое взаимодействие в фоторефрактивном кристалле В1'12ТЮ20//ЖТФ. 1984. Т. 54, № 6. С. 1223—1225; Stepanov S. I., Petrov М. P. Photorefractive crystals of Bi12SiO20 type for interferometry, wavefront conjugation and processing of nonstationary ima-ges//Opt. Acta. 1984. Vol. 31, N12. P. 1335—1343.
10.289. Степанов С. И., Петров М. П. Эффективное обращение волнового фронта в фоторефрактивном кристалле Bi12TiО20//Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10, № 22. С. 1356—1360.
J0.290. С о ч а в а С. JL, Степанов С. И., Петров М. П. Кольцевой генератор на основе фоторефрактивного кристалла В112Т1О20//Письма в ЖТФ.
1987. Т. 13, № 11. С. 660—665.
10.291. Сочава С. JL, Степанов С. И. «Линейный» генератор на основе фоторефрактивного кристалла В^ТЮ^/ЖТ®. 1988. Т. 58, № 9. С. 1780— 1783.
10.292. Petrov М. P., Sochava S. L., S t е р а п о v S. I. Double phase-conjugate mirror using a photorefractive Bi12TiO20 crystal//Opt. Lett. 1989. Vol. 14, N 5. P. 284—286.
,10.293. К У x т a p e в H. В., Бродни М. С., В о л к о в В. И. Гирационный энергообмен световых волн в гиротропных кристаллах Bi12TiO20//®TT.
1988. Т. 30, № 9. С. 2757—2760.
10.294. Glass А. М., Johnson А. М., Olson D. N. et al. Four-wave mixing in semi-insulating InP and GaAs using photorefractive effect //Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44, N 10. P. 948—950.
10.295. Glass A. М., Strait J. Photorefractive four-wave mixing electro-optic semiconductors: Abstract book of VI Intern, meeting on ferroelectricity. Kobe (Japan), 1985. P. 58.
10.296. Glass A. М., Strait J. The photorefractive effect in semiconductors// Photorefractive materials and their applications. I/Ed. by P. Giinter, J. P. Huignard. Berlin etc.: Springer, 1988. P. 237—262.
10.297. Walsh K-, Hall T. J., Burge R. E. Influence of polarization state and absorption gratings on .photorefractive two-wave mixing in GaAs//Opt. Lett. 1987. Vol. 12, N 12. P. 1026—1028.
10.298. Одулов С. Г., Слюсареико С. С., Щербин К. В. Энергообмен при записи сдвиговых динамических решеток в теллуриде кадмия// Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, № 11. С. 10—14.
10.299. Cheng L. J., Yeh P. Cross-polarization beam coupling in photorefractive GaAs crystals//Opt. Lett. 1988. Vol. 13, N 1. P. 50—52.
10.300. P a r t о v i A., Qarmire E. М., Cheng L. J. Enhanced beam coupling modulation using the polarization properties of photorefractive GaAs// Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51, N 5. P. 299—301; Cheng L. J., Gheen G., Chao Т. H., et al. Spatial light modulation by beamcoupling in GaAs crystals//Opt. Lett. 1987. Vol. 12, N 9. P. 705—707.
10.301. В у 1 s m a R. B., Olson D. H., Glass A. M. Photochromic gratings in photorefractive materials//Opt. Lett. 1988. Vol. 12, N 10. P. 853—855_
:308
10.302. Klein М. В. Beam coupling in undoped GaAs at 1.06 fxm using the photorefractive effect//Opt. Lett. 1984. Vol. 9, N 18. P. 350—352.
10.303. Glass A. M-, Klein М. В., V a I I e у G. С. Photorefractive determination of the sign of photocarriers in InP and GaAs//Electron. Lett. 1985. Vol. 21, N 6. P. 220—221.
10.304. В у 1 s m a R. B., Olson D. H., Glass A. M. Photorefractive imaging of semiconductor wafers//Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 52, N 13. P. 1083—1085.
10.305. Cheng L. J., Partovi A. Index grating lifetime in photorefractive GaAs//Appl. Opt. 1988. Vol. 27, N 9. P. 1760—1763.
10.306. Liu D. Т. H., Cheng L. J., R a u M. F., Wang F. C. Photorefractive gain in GaAs under a dc electric field//Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53, N 15. P. 1369—1371.
10.307. M a i n g u e t B. Characterization of the photorefractive effect in InP : Fe by using two-wave mixing under electric field//Opt. Lett. 1988. Vol. 13, N 8. P. 657—659.
10.308. Kumar J., Albanese G.,Steier W. H. Measurement of two-wave mixing gain in GaAs with a moving grating//Opt. Commun. 1987. Vol. 63, N 3. P. 191—193.
10.309. Imbert B., Rajbenbach H., M a 1 1 i с к S. et al. High photorefractive gain in two-beam coupling with moving fringes in GaAs : Cr cry-staIs//Opt. Lett. 1988. Vol. 13, N 4. P. 327—329.
10.310. Rajbenbach H., Imbert B., Huignard J. P., M a 1 1 i с к S. Near-infrared four-wave mixing with gain and self-starting oscillators with photorefractive GaAs//Opt. Lett. 1989. Vol. 14, N 1. P. 78—80.
10.311. Kumar J., Albanese G., S t e i e r W. H., Z i a r i M. Enhanced twobeam mixing gain in photorefractive GaAs using alternating electric fields// Opt. Lett. 1987. Vol. 12, N 2. P. 120—122.
10.312. Klein М. B., McCahon S. W-, Boggess T. F., Valley G. C. High-accuracy, high-reflectivity phase conjugation at 1.06 pm by four-wave mixing in photorefractive gallium arsenide//J. Opt. Soc. of Amer. B. 1988. Vol. 5, N 12. P. 2467—2472.
10.313. Трофимов Г. С., Степанов С. И., Петров М. П., Кра" ¦с и и ь к о в а М. В. Нестационарная фотоЭДС при пространственно неоднородном поверхностном возбуждении GaAs : Сг//Письма в ЖТФ. 1987-Т. 13, № 5. С. 265—269; Соколов И. А., Степанов С. И., Трофимов Г. С. Нестационарная фотоЭДС в нелинейном режиме возбуждения//ЖТФ. 1988. Т. 58, № 2. С. 445—447.
