Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Петров М.П. -> "Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике" -> 127

Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике - Петров М.П.

Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике — Спб.: Наука, 1992. — 320 c.
Скачать (прямая ссылка): fotoregistraciioptiki1992.djvu
Предыдущая << 1 .. 121 122 123 124 125 126 < 127 > 128 129 130 131 132 133 .. 144 >> Следующая

2.2. Аналогичен BSO. Максимальная дифракционная эффективность наблюдается в образцах, вырезанных в плоскости (110) с осью [111] в плоскости падения для поляризации световых пучков Н-типа [10.238, 10.283]. В [10.284] сообщается о возможности записи в ВТО объемной фазовой решетки за счет эффекта электрогирации.
2.3. Диффузионная запись в ВТО, использовалась в [10.218, 10.238, 10.285]. В [10.286] при диффузионной записи интерференционной картины двух световых пучков, вводимых в ВТО через ортогональные грани образца, была получена дифракционная эффективность r)st да 30%. Наиболее подробно в ВТО исследован нестационарный механизм записи в знакопеременном поле (см. пункт 2.8).
2.4. Из-за увеличенного оптического поглощения в сине-зеленой области спектра основной рабочий диапазонВТО — желто-красный
290
участок спектра. S-1 да (10-f-3) 10_3 Дж-см~2 при А, — 0.63 мкм и Л = 3 мкм [10.281 ].
2.8. Двухволновое взаимодействие на смещенных решетках, записываемых во внешнем знакопеременном поле, исследовано в
[10.281, 10.282]. Максимальное значение Г да 10-ь 15 см-1 при Л-1 да да 100-f-400 мм-1; кратность усиления слабых световых пучков Т >
> 100. Режим больших сигнальных пучков исследован в [10.283, 10.287}.
2.9. Фотоиндуцированный шум в ВТО изучен в [10.288]. Типичные шумовые структуры приведены в [10.217].
2.10. Четырехволновое взаимодействие в ВТО исследовано в [10.217, 10.288, 10.289]. Рекордное значение R > 30 для слабых световых пучков было достигнуто при использовании эффективной ¦схемы 4-волнового взаимодействия с разворотом плоскости поляризации.
2.11. Пассивная схема ОВФ в кольцевой геометрии на ВТО исследовалась в [10.283] (R да 1.5%). Аналогичный коэффициент отражения наблюдался также и в схеме линейного генератора на основе этого ФРК [10.283, 10.291]. Значительная величина коэффициента преобразования световых пучков (да40%) была получена в ВТО в схеме двойного обращающего зеркала [10.283, 10.292]. Укажем, что во всех этих геометриях авторами использовался эффективный нестационарный механизм записи во внешнем знакопеременном поле.
2.12. Импульсная голографическая запись в кристаллах ВТО производилась в [10.293].
10.10. Полупроводниковые ФРК 1
В последнее время особый интерес исследователей привлекают полупроводниковые фоторефрактивные кристаллы GaAs, 1пР, CdTe, что обусловлено возможностью перехода в инфракрасный диапазон спектра и заметного убыстрения процессов формирования голограмм. Таблица основных электрооптических характеристик наиболее перспективных с этой точки зрения нецентросимметрич_ных кубических полупроводников, принадлежащих точечной группе 43т, приведена в [10.294, 10.295] (табл. 10.7). Достаточно подробная сводка других данных по этим кристаллам представлена в обзоре [10.296].
2. Голографические характеристики
2.1. Впервые фоторефрактивная голографическая запись в полупроводниковых кристаллах GaAs : Сг и InP : Fe осуществлена в [10.294] с помощью непрерывного лазера YAG : Nd (А = 1.06 мкм).
2.2. Основные голографические ориентации аналогичны используемым в экспериментах с кубическими широкозонными ФРК типа
19*
291
Т а б л и ц а 10./
Характеристики перспективных фоторефрактивных полупроводниковых кристаллов
Кристалл Рабочий, диапазон длин волн, мкм nsr, рМ- В-1 пгг/г, рМ- В-1
InP : Fe 0.85-г-1.3 52 4.1
GaAs : Сг 0.8-г-1.8 43 3.3
CdTe : In 0.9-г-1.6 152 16
Примечание. Собственное время релаксации равно 10-3 с.
BSO. Поляризационные зависимости эффективности пропускающих решеток в стандартных голографических ориентациях образцов GaAs, вырезанных в плоскости (110), исследовались в [10.297].. Аналогичные измерения для CdTe выполнены в [10.298]. Для отражательных голограмм, записываемых в образцах GaAs с ориентацией: (001), поляризационные зависимости получены в [10.299]. Дифракция с поворотом плоскости поляризации на пропускающих решетках в GaAs наблюдалась в [10.300]. В работах [10.297, 10.301]' отмечается возможный вклад амплитудной компоненты в объемную решетку, записываемую в GaAs.
2.3. К настоящему времени в полупроводниковых кристаллах экспериментально продемонстрированы практически все основные механизмы голографической записи. В частности, диффузионная запись была использована в GaAs [10.297, 10.299, 10.300, 10.302— 10.305], в InP [10.303, 10.304] и в CdTe [10.298]. Отметим, что отсутствие необходимости нанесения каких-либо контактов на образец позволило авторам [10.304] использовать запись динамических диффузионных голограмм для неконтактного неразрушающего контроля электрофизических характеристик стандартных подложек из. полуизолирующих GaAs и InP : Fe. Дрейфовая запись во внешнем постоянном электрическом поле Е0 также была использована в. GaAs [10.294, 10.296, 10.306] и в InP : Fe [10.294, 10.296, 10.307]. Для GaAs были исследованы и основные методы нестационарной; голографической записи, в частности запись движущейся интерференционной картины во внешнем постоянном поле [10.308—10.310],. а также запись неподвижной картины в знакопеременном поле [10.311, 10.312].
Предыдущая << 1 .. 121 122 123 124 125 126 < 127 > 128 129 130 131 132 133 .. 144 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed