Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Окатов М.А. -> "Справочник технолога-оптика" -> 259

Справочник технолога-оптика - Окатов М.А.

Окатов М.А. Справочник технолога-оптика — Спб.: Политехника, 2004. — 679 c.
ISBN 5-7325-0236-Х
Скачать (прямая ссылка): spravochniktehnologaoptika2004.djvu
Предыдущая << 1 .. 253 254 255 256 257 258 < 259 > 260 261 262 263 264 265 .. 270 >> Следующая

5.11. Куклева 3. А., Лодыгин Б. И. Метод определения ориентации блоков в крупногабаритных кристаллах флюорита и фтористого бария // ОМП. — 1978. — № 5. — С. 76.
5.12. Куклева 3. А., Лодыгин Б. И. Влияние анизотропии физико-механических свойств кристаллов флюорита на точность формы полируемой поверхности // ОМП. — 1982. — №4. — С. 27.
5.13. Методы испытания на микротвердость: Приборы. — М.: Наука, 1965. —
191 с.
5.14. Качалов Н. Технология шлифовки и полировки листового стекла. — М.; Л., 1958. — 382 с.
5.15. Широкшина 3. В., Коробкииа Н. Н„ Разнобрядцева Т. М. Межопера-ционные защитные полимерные покрытия оптических деталей // ОМП. —
1986. — № 3. — С. 25.
5.16. Выявление величины нарушенного слоя кристаллов КРС-5 и КРС-6 на разных стадиях механической обработки / Ф. Н. К о з л о в, Л. В. Ж у к о-ва, А. А. Пупышев и др. // ОМП. — 1980. — № 10. — С. 51.
661
5.17. Куклева 3. А., Кожухова В. Т. Механическая обработка крписталлов титаната стронция // ОМП. — 1979. — №6. — С. 33.
5.18. Влияние отжига на скорость испарения монокристаллов корунда / И. П. Б а б и й ч у к, В. С. К о н е в с к и й, Е. В. Кривоносов и др. // ОМП. — 1986. — №4. — С. 34-35.
5.19. Бабийчук И. П., Добровинская Е. Р., Литвинов Л. А. Влияние электризации поверхности на скорость механической обработки монокристаллов корунда // ОМП. — 1986. — №3. — С. 32-33.
5.20. Влияние химических сред на деформацию и структуру поверхности монокристаллов корунда / С. С. Лобанова, А. К. Стальнов, М. А. О к а т о в и др. // ОМП. — 1983. — № 10. — С. 56-62.
5.21. Stushen Н. W., Moody S. W. Polishing of Sapphire with Colloidal Silica // J. Electrochem. Soc. — 1979. — V. 125. — N 1. — P. 136.
5.22. Угай В. А., Киричеико И. В., Курбатов Н. Р. Строение разрушенного слоя в кристаллах Si, Ge и GaAs // Неорганические материалы. — 1972. — Т. VIII. — № 2. — С. 209-212.
5.23. Котосонов Н. В., Никольская И. П. Глубина нарушенного слоя и скорость травления механически полированного германия при различных кристаллографических ориентациях // Радиофизика и микроэлектроника. — Воронеж, 1970. — С. 56-59.
5.24. Крюк В. И., Минц Р. И. Экзоэлектронная эмиссия как метод неразрушающего контроля полупроводников // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством и стандартизация. — 1972. — Вып. 9. — С. 57-61.
5.25. Суходрева И. М., Аверьянова Э. Б. Рентгенодифракционное изучение нарушений германия, вызванных механической обработкой // Электронная техника. Сер. 14. Материалы. — 1968. — Вып. 4. — С. 52-57.
5.26. Фокин А. С., Кавьев Э. К. Определение глубины нарушенного слоя методом интегральных характеристик аномального прохождения рентгеновских лучей // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1973. — Вып. 6 (78). — С. 72.
5.27. Голиков В. И., Карбань В. И., Кипиис М. А. Качество поверхности кремния после алмазной обработки // Синтетические алмазы. — 1973. — Вып. 2. — С. 47-49.
5.28. Митрофанов В. В., Колпакова Л. И. Влияние качества поверхности при механической обработке на величину деформации пластинок германия и кремния // Электронное приборостроение. 1967. — Вып. 3. — С. 10-22.
5.29. Матвеева П. С., Зоншайн Е. М., Мардер Т. Е. Зависимость микротвердости поверхности некоторых кристаллов от способа обработки // ОМП. —
1977. — № 3. — С. 36.
5.30. Капустина Т. П., Порохова Т. Г., Тарновская Л. В. Строение поверхностного слоя шлифованных пластии кремния и германия // Изв. вузов: Приборостроение. — 1964. — Т. 7. — №4. — С. 9-15.
5.31. Жукова Л. А., Гуревич М. А. Интерпретация электронограмм, получаемых методом отражения // Науч. тр. Гиредмета. — 1969. — Т. 25. — С. 32-38.
5.32. Толмачев В. А. Адсорбционно-эллипсометрический метод исследования оптического профиля, толщины и пористости тонких пленов // Оптический журнал. — 1999. — № 7. — С. 20-34.
5.33. Романов О. В. Электрические свойства механически нарушенной поверхности германия // Ученые записки ЛГУ. — 1968. — 245 с.
5.34. Ефимов Е. А., Ерусалимчик И. Г., Захарова Т. С. Электрохимический метод измерения нарушенного слоя на германии и кремнии после механической обработки // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1966. — Вып. 1. — С. 34-38.
5.35. Рассеяние света в кристалле КН2Р04 при его высокотемпературном
фазовом превращении / О. А. Ш у с т и н, Т. С. В е л и ч к и и а, Л. Ф. М и-
х е е в а и др. // Письма в ЖЭТФ. — 1973. — Т. 18. — Вып. 10. — С. 632.
5.36. Кузнецов В. Д. Поверхностная энергия твердых тел. — М.: Гостехиз-дат, 1954. — 220 с.
662
5.37. Валов Ю. А. Способы осаждения селенида цинка из пара: Обзорная информация. Обзор №3099 // Аналитический обзор за 1958-1989 гг. — М.: ЦНИИ информации и технико-экон. исследований, 1982.
5.38. Cavenett В. С. The allowed and forbidden transition in the paramagnetic resonance of the manganese ion in cubic zinc selenide // Proc. of the Phys. Soc. —
1964. - V. 84. — P. 1.
5.39. Кузьмииов Ю. С. Ниобат и танталат лития // Материалы для нелинейной оптики. — М.: Наука, 1975. — С. 223.
5.40. Исследования реальной структуры монокристаллов галогенидов таллия КРС-5 и КРС-6 /JI. А. Жукова, Е. Т. Хохрина, Т. И. Дарвойд и др. // ОМП. — 1980. — № 7. — С. 28.
Предыдущая << 1 .. 253 254 255 256 257 258 < 259 > 260 261 262 263 264 265 .. 270 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed