Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Окатов М.А. -> "Справочник технолога-оптика" -> 229

Справочник технолога-оптика - Окатов М.А.

Окатов М.А. Справочник технолога-оптика — Спб.: Политехника, 2004. — 679 c.
ISBN 5-7325-0236-Х
Скачать (прямая ссылка): spravochniktehnologaoptika2004.djvu
Предыдущая << 1 .. 223 224 225 226 227 228 < 229 > 230 231 232 233 234 235 .. 270 >> Следующая

Предварительное давление в рабочей камере, Па.............. 6,7 ¦ 10 4 +
-s- 3 ¦ 10“3
Давление в камере при обработке деталей, Па................ 1 ¦ 10-2 +
-5- 3 ¦ 10-2
Максимальный диаметр обрабатываемой детали, мм............. 200
Число ионных источников типа «Кауфман»..................... 1
Диаметр ионного пучка, мм ................................. 200
Плотность ионного пучка, мА/см2............................ 1
Ускоряющее напряжение, В .................................. 200-2000
Рабочий газ ............................................... Аргон
Максимальная скорость съема материала, мкм/ч:
на металлах (медь)...................................... 6,3 ± 1,3
» диэлектриках (стекло) ................................ 2,7 ±0,6
Внутренние габаритные размеры камеры, мм .................. 0 450 х 560
Максимальная потребляемая мощность, кВт.................... 12
Общая площадь, занимаемая установкой, м2 .................. 4
Масса, кг ................................................. 1400
Вакуумная установка УВН-71 П-3 предназначена для серийного производства пленочных элементов микросхем методом ре-
590
зистивного испарения. Установку можно применять в оптическом производстве с доработкой системы фотометрического контроля. Технические характеристики вакуумной установки УВН-71 П-3
Время достижения давления 1,3 • 10_3 Па, мин, не более . . 10
Максимальное число подложек 0 40 мм на арматуре .... 50
Полезная площадь напыления, м2 .......................... 0,35
Частота вращения подколпачной арматуры, с-1 .......... 0,8-1,7
Диапазон температуры нагрева подложек, С ................ 100-400
Число резистивных испарителей............................ 3
Максимальная мощность РИ, кВт ........................... 2
Расход холодной воды при давлении (3 + 5) 105 Па и температуре 15-20 °С, л/с ...................................... 0,16
Расход горячей воды при давлении (3 + 5) 105 Па и температуре 80-90 °С, л/с ...................................... 0,06
Средний расход жидкого азота, м3/с ...................... (3 12) 10-7
Внутренние габаритные размеры камеры, мм ................ 0 500 х 640
Общая площадь, занимаемая установкой, м2................. 1,7
Максимальная потребляемая мощность, кВт.................. 12
Масса, кг ............................................... 1200
Вакуумная установка УВН-2М-2 предназначена для серийного производства многослойных пленочных микросхем методом термического испарения. Установку можно применять в оптическом производстве с доработкой системы фотометрического контроля. Технические характеристики вакуумной установки УВН-2М-2
Время достижения давления 1,3 • 10-4 Па, мин.............. 80
Максимальное число подложек 0 40 мм на арматуре .... 50
Полезная площадь напыления, м2 ........................... 0,35
Частота вращения подколпачной арматуры, с-1 .......... 0,8-1,7
Диапазон температуры нагрева подложек, С ................. 100-400
Число резистивных испарителей............................. 6
Максимальная мощность РИ, кВт ............................ 2
Число электронно-лучевых испарителей ..................... 1
Максимальная мощность ЭЛИ, кВт ........................... 1
1 Расход холодной воды при давлении (3 + 5) 105 Па и температуре 15-20 °С, л/с ....................................... 0,12
Расход горячей воды при давлении (3 + 5) 105 Па и температуре 80-90 °С, л/с ....................................... 0,03
‘ Сжатый воздух давлением, Па............................. (2-5-5) 105
Средний расход жидкого азота, м3/с ....................... (3-5-12) 10~7
Внутренние габаритные размеры камеры, мм ................. 0 500 х 800
Максимальная потребляемая мощность, кВт................... 9
Общая площадь, занимаемая установкой, м2 ................. 4
Масса, кг ................................................ 900
Вакуумная установка УРМЗ-279.011 предназначена для получения диэлектрических покрытий методом резистивного и электронно-лучевого испарения.
591
Технические характеристики вакуумной установки УРМЗ-279.011
Время достижения давления 6,5 • 10-5 Па, мин.............. 130
Максимальное число подложек 0 40 мм на арматуре .... 50
Полезная площадь напыления, м^ ........................... 0,35
Частота вращения подколпачной арматуры, с-1 .......... 0,2-1,7
Диапазон температуры нагрева, °С.......................... 100-400
Число резистивных испарителей............................. 3
Максимальная мощность РИ, кВт ............................ 2
Число электронно-лучевых испарителей ..................... 1
Максимальная мощность ЭЛИ, кВт ........................... 4,8
Расход холодной воды при давлении (3 + 5) 10® Па и температуре 15-20 °С, л/с ....................................... 0,12
Расход горячей воды при давлении (3 + 5) 105 Па и температуре 80-90 °С, л/с ....................................... 0,06
Сжатый воздух давлением, Па............................... (2 5) 105
Средний расход жидкого азота, м3/с ....................... (3-5-12) 10~7
Предыдущая << 1 .. 223 224 225 226 227 228 < 229 > 230 231 232 233 234 235 .. 270 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed