Справочник технолога-оптика - Окатов М.А.
ISBN 5-7325-0236-Х
Скачать (прямая ссылка):
Пленкообразующие материалы для термического испарения выпускаются в виде таблеток и гранул высокой химической чистоты. Таблетки и гранулы должны быть стехиометричны по составу и обладать достаточной плотностью. Подготовка промышленных материалов к нанесению предусматривает процессы прокаливания и обезгаживания. При использовании порошкообразных материалов операциям прокаливания и обезгаживания в ряде случаев предшествует процесс таблетирования.
Свойства тонких слоев зависят от качества обработки и подготовки поверхности подложки. Покрытия должны наноситься на поверхность с высоким качеством полирования {Rz - 0,5) и минимальным количеством дефектов: царапин, выколок, вскрытых пузырей, включений и т. п. (II-V классы чистоты). Подготовка поверхности перед нанесением покрытий состоит в ее чистке.
К основным компонентам, загрязняющим поверхность оптической детали, относятся воски, смолы, шеллаки, лаки, клеи оптические, масла, эмульсии и другие компоненты смазочно-охлаждаю-щих жидкостей, остатки шлифовальных и полировальных порошков, отпечатки пальцев, пыль и т. д.
Покрытия наносятся в помещениях, структура, запыленность и микроклимат которых должны удовлетворять требованиям, предъявляемым к специализированным участкам тонкопленочных покрытий.
Нормы расхода пленкообразующих материалов. Количество материала, необходимое для изготовления покрытия, зависит от ] числа и толщины слоев в покрытии, геометрии расположения ис- ' парителей и подложки, типа испарителей и физико-химических свойств испаряемого материала. Кроме того, имеют место потери
490
491
Таблица 8.7.
СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ [8.12, 8.13, 8.63]
Исходный материал Метод нанесения, ^пл^исп’0^ Состав слоя Область прозрачности, мкм (a < 103 см"1) Показатель преломления, длина волны (мкм) и температура подложки (подл, "С Механические и химические свойства слоя
Фториды
Фтористый натрий (NaF) и:^ NaF 0,20-14,0 1,3 (0,55) Мягкий, растворим в воде
Фтористый кальций (CaF2) И; ИЭ: 13_60 CaF2 0,15-12,0 1,23-1,46 (0,55) Достаточно твердый
Криолит (Na2AlF6) И;1000 ’ 860 NaF,NaqAlF„, NaAlF4 0,2-14,0 1,32-1,35 (0,55) (в зависимости от состава) Мягкий
Фтористый барий (BaF2) И;ИЭ:12^° BaF2 0,25-14,0 (16,0) 1,35 (5,0) *
Фтористый магний (MgF2) 1263 »М:Ш. MgF2 0,11-10,0 1,38-1,4 (0,55) (в зависимости от 'подл* Твердый при высо* ких значениях *подл» устойчив к возденет-вию влаги
Фтористый лантан (LaFg) LaF3 0,25-14,0 (17,0) 1,55 (0,55); 1,65 (0,55;« = = 300) Твердый при высоких значениях *подл
Фтористый неодим (NdF3) NdF3 0,25-14,0 1,61 (0,55; (подл = 300) То же
Фтористый церий (CeF3) CeF3 0,3-14,0 1,63 (0,55; tn = 300); Ь50 (5,0; 1поДЛ = 300) Твердый
Фтористый иттрий (YF3) И; ИЭ: 1136 YF3 0,3-14,0 1,60 (0,55; tn = 300); 1>50 (5,0-Лподл= 300) »
492
Продолжение табл. 8.7
Исходный материал Метод нанесения, шг исп’ Состав слоя Область прозрачности, мкм (a < 103 см-1) Показатель преломления, длина волны (мкм) и температура подложки (подл, "С Механические и химические свойства слоя
Фтористый свинец (PbF2) 855 И;ИЭ:^ PbF2 Халькоген 0,25-17,0 idbi и полупроводник 1,98 (0,30); 1,75 (0,55); 1,65 (5,0; гподл = 200) и Мягкий
Сернистый цинк (ZnS) 1850 И; ИЭ: W ZnS 0,4-17,0 2,3(0,55); 2,15 (5,0; (подл = 150) »
Селенистый цинк (ZnSe) 1526 ZnSe 0,6-17,0 2,57 (0,6); 2,35 (5,0; (подл= 150) »
Теллуристый кадмий (CdTe) 1042 и- 900 CdTe 0,9-17,0 2,6 (5,0) »
Сернистая сурьма (SbjSg) 550 И: 300 SbjSg 0,5-10,0 (13,0) 3,0 (0,55); 2,7 (5,0) »
Теллуристый свинец (РЪТе) 917 и- ’ 1100 PbTe 3,5-20,0 5,6 (5,0) Мягкий, токсичный
Кремний (Si) 1410 И; ИЭ: 1350 Si 1,0-9,0 3,4 (3,0) Твердый
Германий (Ge) 940 И;ИЭ:1400 Ge 2,0-23,0 Оксиды 4,0-4,4 (2,0) Достаточно твердый
Диоксид кремния (Si02) 1730 ИЭ; 1200 Si02 0,2-9,0 1,45-1,46 (0,55) Твердый
493
Оксид алюминия (А1203) ИЭ;^ 1800 А12о3 0,2-7,0 1,54 (0,55); 1,63 (0,55;(подл = = 300) »
Оксид магния (MgO) ИЭ;^ 1560 MgO 0,2-8,5 1,7 (0,55); 1,74 (0,55; tno = = 300)
Оксид скандия (Sc203) ИЭ;М>° SC2Og 0,35-12,0 1,9 (0,3-0,55); 1,86 (0,9; ( = = 300) Достаточно твердый
Оксид иттрия (Y2Og) ИЭ;^ 2400 Y2°3 0,32-12,0 (11,0) 1,89 (0,33); 1,87 (0,55; (подл = = 250) Твердый
Оксид неодима (Nd2Os) ИЭ;^ 1900 Nd2Os 0,24-12,0 1,79(0,55); 2,05 (0,55; t = = 260) »
Оксид гадолиния (Gd2Os) ИЭ;^° Gd2Os 0,32-15,0 (12,0) 1,8 (0,55) Достаточно твердый
Диоксид циркония (Zr02) ИЭ;^ 2000 Zr02 0,34-12,0 (11,0) 1,97 (0,55); 2,05 (0,55; t= = 200) Твердый
Диоксид гафния (Hf02) ИЭ — Hf02 0,22-12,0 (11,0) 2,15 (0,25); (подл= 250; 1,95 (0,55) Достаточно твердый
Монооксид кремния (SiO) и;Н2? 1080 SiO 0,7-9,0 2,0 (0,7) Твердый
Пятиоксид тантала (Та205) ИЭ; — Та 5 0,35-10,0 2,1 (0,55; (подл = 250) »
Диоксид церия (Се02) И; ИЭ; — С e02 0,4-12,0 (17,0) 2,2 (0,55) Достаточно твердый
Диоксид титана (ТШ2) ИЭ;^ тю2 0,4-12,0 1,9 (0,55) 2,3 (0,55; «подл = = 220); 2,55 (0,55; (подл= 260) » »
Монооксид титана(ТЮ) И;ИЭ;Н? 1800 Ti02 0,4-12,0 1.9 (0,55); 2,3 (0,55; t = 220); 2,55 (0,55; (подл = 260)
Примечание. И,ИЭ — резистивное и электронно-лучевое испарения.
