Справочник технолога-оптика - Окатов М.А.
ISBN 5-7325-0236-Х
Скачать (прямая ссылка):
Окончательное полирование монокорунда и граната с требованиями по форме N (0,1-4,0) и ЛN (0,1-0,4) и чистоте Р IV продолжают на полировальниках из дюралюминия или меди алмазом АСМ1/0; АСМО,5/0,1; АСМО,3/0 последовательно на станках типа ПД. При доводке поверхностей менее 1N снижают давление до 50 кПа и менее (особенно на блоках диаметром более 0,1 м).
Окончательное полирование граната, фианита и кварца с указанными точностями осуществляют на полировальниках из смол СП с наполнителями (оксидом хрома, полиритом и т. п.).
Окончательное полирование монокорунда без требований по отступлению от формы, но с повышенными требованиями по шероховатости (Rz < 0,01) и чистоте (Р III, без сетки царапин) продолжают алмазом АСМ1/0, АСМО,5/0,1 либо оксидом хрома на полировальнике из полировочных смол СП4-СП6 с наполнителями или без них (см. табл. 5.12). Полирование ОД с целью получения максимального пропускания в ВУФ- и УФ-областях спектра продолжают алмазом до АСМО,5/0,1 на полировальниках из дюралюминия и затем на искусственной замше, натянутой на тот же полировальник, субмикронными порошками а-А1203 зернистостью
0,5/0 с водой или этиловым спиртом [а. с. СССР 1663063, 1593307].
Полирование монокорунда для последующего просветляющего покрытия пленками Si02 продолжают на искусственной замше водной суспензией коллоидного кремнезема с а-А1203 зернистостью
294
0,5/0 в концентрации Т : Ж = 1 : 4. Считается, что полученная поверхность наиболее приготовлена для эпитаксиального покрытия [5.20, 5.21].
5.5. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРОЕНИЯ И ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ
Существующие методы, которые применяются для изучения нарушенного слоя, можно условно разделить на две группы: методы, с помощью которых непосредственно наблюдают макро- и микро-структурные изменения в поверхностном слое; методы, с помощью которых исследуют изменение физико-механических или химических свойств материала по мере удаления поверхностного слоя, возникшего в результате механической обработки. Методы 1-й и 2-й групп характеризуются различной сложностью постановки экспериментов, но каждый из них предусматривает последовательное изучение отдельных слоев, все более отстоящих от поверхности. Послойное удаление нарушенного слоя производят полированием или химическим травлением.
1. В методе, основанном на изменении скорости травления поверхности в зависимости от степени ее разрушения, самая высокая скорость отмечается при травлении наружного рельефного слоя. По мере удаления нарушенного слоя скорость травления уменьшается и приближается к скорости травления монокристалла. Толщина слоя, который нужно удалить до получения постоянной скорости травления, принимается за глубину поврежденного слоя. Однако результаты зависят от ряда факторов: типа травите-ля, температуры, скорости перемещения в объеме травителя, освещенности поверхности и т. д. [5.22, 5.23].
2. В методе экзоэлектронной эмиссии поток электронов возникает в запрещенной зоне кристалла с локальных энергетических уровней, соответствующих дефектам структуры. Регистрация экзоэлектронов может осуществляться на воздухе счетчиком типа Гейгера—Мюллера либо в вакууме вторично-электронными умножителями. Наиболее четко зависимость экзоэмиссии от глубины нарушенного слоя выражена в диапазоне 0,3-6,0 мкм [5.24].
3. Рентгеновский метод аномального прохождения рентгеновских лучей (АПРЛ) состоит в том, что совершенный кристалл в положении брэгговского отражения пропускает рентгеновские лучи, почти не поглощая их, в то время как в неотражающем положении сильно их поглощает. Поэтому реальные кристаллы, имеющие несовершенства кристаллической решетки, вызывают уменьшение АПРЛ. Таким же образом на АПРЛ влияют нарушения кристаллической решетки, возникающие в результате механической обработки. Эффект АПРЛ можно регистрировать по изме-
295
нению интегральной интенсивности или фотографическим путем (снятием топограмм) [5.25, 5.26].
Методика определения глубины нарушенного слоя по полуширине кривой качания приведена в работе [5.27]. Как известно, полуширина кривой качания зависит от внутризеренной структуры кристалла — размера блоков мозаики и их разориентации. Механическая обработка приводит к нарушению монокристаллического строения, в частности, к интенсивному дроблению кристалла на блоки и их разориентации. Появление разориентированных блоков приводит к уширению кривой качания ftfeZ-отражения по сравнению с кривой для кристалла без подобных разрушений. Между величиной нарушенного слоя и полушириной кривой качания существует линейная зависимость.
4. В методе, основанном на эффекте Тваймана [5.28], пластину, одинаково обработанную с обеих сторон, полируют с одной стороны и измеряют стрелу прогиба. По кривой, характеризующей зависимость стрелы прогиба от толщины слоя, удаленного с другой стороны пластины, определяют глубину поврежденного слоя.
5. В методе, основанном на зависимости микротвердости от глубины нагружения индентора, измерения производят на приборе ПМТ-3. С постепенным удалением нарушенного слоя значения микротвердости повышаются и достигают постоянного значения, не зависящего от нагружения индентора [5.29].
