Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Левинштейн М.Е. -> "Эффект Ганна " -> 2

Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.

Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна — М.: Советское радио, 1975. — 288 c.
Скачать (прямая ссылка): effektganna1975.djvu
Предыдущая << 1 < 2 > 3 4 5 6 7 8 .. 159 >> Следующая

необходимые для понимания работы генераторов Ганна. В книге P. J. Bul-
man, G. S. Hobson,В. С. Taylor "Transferred Electron Devices" (Acad.
Press. London and New York, 1972) также неполна освещена физическая
картина эффекта. Наконец, брошюра М. С. Шура "Эффект Ганна" ("Энергия",
1970) носит популярный характер.
Таким образом, предлагаемая вниманию читателей книга является первой
монографией, в которой весь круг физических и прикладных вопросов,
связанных с эффектом Ганна, рассмотрен с единой точки зрения. При этом
важно подчеркнуть, что авторами книги являются известные специалисты,
которые внесли свой собственный вклад в изучение физики эффекта Ганна и
горячих электронов в полупроводниках.
В первой главе книги довольно подробно описана физика эффекта Ганна.
Знакомства с нею, в принципе, достаточно для понимания материала,
изложенного в других главах. Поэтому читатель, интересующийся каким-либо
конкретным вопросом, связанным с эффектом Ганна, может после чтения
первой главы непосредственно обратиться к интересующему его разделу
монографии.
Книга содержит богатую библиографию, охватывающую период с 1963 г.
(экспериментальное открытие эффекта) по 1974 г.
Монография представляет интерес для инженеров, физиков и других научных
работников, специализирующихся в области физики полупроводников и
полупроводниковых приборов, а также для студентов старших курсов и
аспирантов полупроводниковых и радиотехнических специальностей.
С. М. РЫБКИН
ПРЕДИСЛОВИЕ
В данной книге мы попытались с единой точки зрения описать круг важнейших
проблем, связанных с эффектом Ганна. Мы надеемся, что книга будет полезна
как специалистам, работающим в области исследования эффекта Ганна, так и
тем, кто захочет просто познакомиться с этим эффектом или навести какую-
нибудь справку.
Основное внимание в книге уделено физике эффекта Ганна и принципам работы
приборов на его основе. Поэтому нам кажется, что знакомство с книгой даст
возможность свободно ориентироваться в новых оригинальных работах по
эффекту Ганна.
В последнее время наибольшее внимание при исследованиях эффекта Ганна
уделялось следующим вопросам: усовершенствованию численных методов
расчетов функции распределения горячих электронов, исследованию более
полных и сложных моделей, описывающих нелинейные характеристики
ганновских диодов, изучению эффекта Ганна в различных полупроводниковых
соединениях (особенно в фосфиде индия и некоторых тройных твердых
растворах). Большое число новых работ посвящено также теоретическому и
экспериментальному исследованию приборов на основе эффекта Ганна. Ссылки
на некоторые статьи, вышедшие после окончания работы над рукописью,
приведены в списке дополнительной литературы в каждой главе.
Считаем своим приятным долгом поблагодарить Б. JI. Гельмонта за помощь,
которую он оказал нам при работе над книгой.
АВТОРЫ
СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
Сл - дифференциальная емкость домена
Со - емкость диода в слабом поле
D - коэффициент диффузии d - ширина домена Е о - напряженность
постоянного электрического поля Ер - пороговое поле возникновения
осцилляций (поле формирования движущегося домена)
Et - поле максимума скорости на кривой v(E)
Ev-поле минимума скорости на кривой v(E)
Ег - поле вне домена Еа - пороговое поле исчезновения домена ¦ min -
минимальное тюле вне домена
-так - максимальная амплитуда поля в домене Jg - ширина запрещенной зоны
1/Го - пролетная частота L - длина образца r Dx - диффузионная длина по -
равновесная концентрация электронов tii - концентрация электронов в
нижней долине
"2 - концентрация электронов в
верхней долине Р -• давление Ro - сопротивление диода в слабом поле S -
площадь поперечного сечения диода Т - период ганновскнх колебаний
То - пролетное время домена от катода до анода Те - электронная
температура Ть - температура решетки Un = E0L - напряжение смещения
vg - дрейфовая скорость электронов
vt--максимальная скорость электронов vv - минимальная скорость электронов
Д - энергетический зазор между долинами е - диэлектрическая проницаемость
1'т - максвелловское время релаксации объемного заряда
т mi - дифференциальное максвелловское время релаксации объемного заряда
Тф - время формирования домена
Глава 1
ОСНОВНЫЕ ЧЕРТЫ ФИЗИЧЕСКОЙ КАРТИНЫ ЭФФЕКТА ГАННА
1.1. Введение
В 1963 г. Ганн обнаружил, что если приложить постоянное электрическое
поле Е0, большее некоторого порогового значения Ер, к арсениду галлия или
фосфиду индия n-типа, то наблюдаются спонтанные периодические колебания
тока, протекающего через образцы (рис. 1.1,а) [1]. Для GaAs напряженность
порогового поля Ev составляла около 3 кВ/см,, для InP - приблизительно 6
кВ/см. Период колебаний То приближенно равнялся времени пролета
электронов от катода к аноду:
T0^L!vg, (1.1)
где L - длина образца; - дрейфовая скорость электронов (около 107 см/с
при Eq-Ev).
Для использованных Ганном образцов с 2-10~3 см<?<2-10~2 см частота
колебаний лежала в СВЧ диапазоне. Год спустя Ганн опубликовал результаты
Предыдущая << 1 < 2 > 3 4 5 6 7 8 .. 159 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed