Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
analysis of three-level electron transfer.- In.: Proc. 10th Int. Conf.
on
Phys. Semicond., 1970, Cambridge, Mass., p. 45-51.
16. Marple D. T. F. Effective electron mass in CdTe. - "Phys. Rev.",
1963, v. 129, № 6, p. 2466-2470.
17. Matatagui E., Thompson A. G., Cardona M. Thermoreflectance in
semiconductors.- "Phys. Rev.", 1968, v. 176, № 3, p. 950-960.
18. Shay J. L., Spicer W. E., Herman G. Photoemission study of the
electronic structure of CdTe. - "Phys. Rev. Lett.", 1967, v. 18, № 16, p.
649-654.
19. Colliver D. J., Prew B. A., Rees H. D. InP three level transferred
electron devices.- In.: Proc. European Microwave conf., Sweden, 1971, p.
A 2/3.
Оглавление
Предисловие редактора ................... 3
Предисловие....................................5
Список основных обозначений .... 6
Глава 1. Основные черты физической картины эффекта Ганна ....... 7
1 Л. Введение.............................7
1.2. Домен сильного поля . . . .10
1.3. Нарастающие волны объемного заря-
да.......................................17
Глава 2. Эффекты переноса в арсениде
галлия в сильных электрических полях . 21
2.1. Введение............................21
2.2. Теоретические исследования эффектов
переноса в сильных электрических полях в арсениде галлия . . .
.22
2.3. Экспериментальные исследования эффектов переноса в арсениде галлия
в сильном электрическом иоле . . 34
Глава 3. Феноменологическая теория эффекта
Ганна...................................38
3.1. Введение.............................38
3.2. Основные уравнения...................39
3.3. Линейная теория......................40
3.4. Нелинейная теория стабильного домена 47
3.5. Динамика ганновских доменов . . 63
3.6. "Мощиостная" и температурная модели
................................77
Глава 4. Эффект Ганна в различных соединениях
.......................................83
4.1. Эффект Ганна в полупроводниках типа AIHBV,
AHBVI......................83
4.2. Эффект Ганна в твердых растворах GaAs-GaP, GaAs-AlAs и GaSb-InSb 88
4.3. Эффект Ганна в германии . . .90
4.4. Эффект Ганна в кремнии . . .95
Глава 5. Влияние на параметры эффекта
Ганна внешних физических условий . . 95
5.1. Влияние магнитного поля . . .95
5-2. Влияние давления.....................101
5.3. Влияние температуры..................102
5.4. Влияние освещения....................102
5.5. Влияние гамма-излучения . . . 105
5.6. Влияние на эффект Ганна захвата
электронов глубокими примесными центрами........................105
5.7. Особенности эффекта Ганна в тонких
образцах и образцах с диэлектрическим покрытием..................112
Глава 6. Влияние на эффект Ганна контактов и неоднородностей . .
. .117
6.1. Экспериментальные результаты . .117
6.2. Теоретические исследования влияния
контактов и неоднородностей . . .124
Глава 7. Основные физические явления,
связанные с эффектом Ганна . . . 137
7.1. Модуляция света диодом Ганна . . 137
7.2. Генерация ультразвука . . .139
7-3. Явления, возникающие при пробое
в домене сильного поля .... 142
7.4. Эффект Ганна в полупроводниках с двумя сортами носителей (в
присутствии дырок)...............................156
Глава 8. СВЧ генераторы Ганна (пролетные
режимы работы)...........................164
8.1. Классификация режимов работы СВЧ генераторов на основе эффекта
Ганна,164
8.2. Теория генераторов- СВЧ, работающих в ганновских модах колебаний
167
8.3. Технические характеристики ганновских генераторов СВЧ . . .
.180
8.4 Некоторые другие типы генераторов
Ганна................................193
Глава 9. Ганновские генераторы СВЧ, работающие в режиме ОНОЗ и гибридном
режиме......................................195
9.1. Введение.............................195
9.2. Принцип работы диода Ганна в режиме
ОНОЗ...........................196
9.3. Теория ганновских генераторов СВЧ,
работающих в режиме ОНОЗ . . 198
9.4. Технические характеристики диодов Ганна, работающих в режиме ОНОЗ
205
9.5. Гибридный режим работы генераторов
Ганна..................................209
Глава 10. Усилители СВЧ на основе эффекта Ганна .
......................212
10.1. Введение.............................212
10.2. Классификация усилителен на основе
эффекта Ганна..........................212
10.3. Стабильные усилители .... 216
10.4. Усилители Тима с бегущим доменом 222
10.5. Параметрические усилители с бегущим
доменом . ....... 223
10.6. Усилители ОНОЗ. Усилители, осно-
ванные на использовании падающего участка характеристики v(?)] .
. 226
10.7. Синхронизированные генераторы Ганна 227
10.8. Специальные типы усилителей . 229
Глава 11. Логические, функциональные и оптоэлектронные приборы на основе
эффекта Ганна..........................231
231
237
242
11.1. Логические приборы ....
11.2. Функциональные элементы на основе
диодов Ганна .....................
11.3. Оптоэлектронные приборы на основе
эффекта Ганна.....................
Глава 12. Основы технологии и конструиро вания ганновских приборов
