Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
38. Ваганов В. Н., Кузнецов В. М. Моделирование диода Ганна. -
"Известия вузов СССР. Радиоэлектроника", 1970, т. 13, № 3, с. 409-412.
39. Сапельников А. Н., Старосельский
В. М. Электронная модель диода Ганна. - "Известия вузов СССР.
Радиотехника", 1971, т. 14, № 1,
с. 105-106.
40. Mantena N. R., Wright М. L. Circuit model simulation of Gunn effect
devices. - "IEEE Trans.", 1969. v. MTT-17, № 7, p. 363-373.
41. Robrock R. B. Analysis and simula-
tion of domain propagation in non-uniformly doped bulk GaAs. - "IEEE
Trans,", 1969, v. ED-16, № 7,
p. 647-653.
42. Suga М., Sekido K. Effects of doping profile upon electrical
characteristics of Gunn diodes. - "IEEE Trans.",
1970, v. ED-17, № 4, p. 275-281.
43. Petzinger K. G., Hahn A. E., Matzel-
le A. CW three.-terminal GaAs
oscillator. - "IEEE Trans.", 1967,
v. ED-14, № 7, p. 403-404.
44. Caiifano F. P., Steele М. C. Three
terminal GaAs light emitter-modula-tor device. - "Elect. Lett.", 1968.
v. 4, № 19, p. 411-412.
45. Caiifano F. P. Frequency modulation
of three-terminal Gunn devices by optical means. - "IEEE Trans. >\
1969, v. ED-16, № i( p. 149-151.
46. Zuleeg R., Ranon V. Coupling of light emission and negative
resistance in a GaAs diode. - "Appl. Phys. Lett.", 1969, v. 15, № 6, p.
168-170.
СПИСОК ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Sterzer F. Information Processing
with transferred electron devices. - "RCA Rev.", 1973, v. 34, № 1,
p. 152-163.
2. Nakamura М., Kurono H., Toyabe Т., Hirao М., Kodera H. Switching
speed and power dissipation of planar-type Gunn diodes. - "Sol.-St.
Electron.",
1973, v. 16, № 1, p. 75-83.
3. Kuromada K-, Mizutani Т., Fujimo-to M. High-field layers in planar
Gunn diodes.- "J. Phys. D.", 197-1, v. 7, № 3, p. L49-L52.
К главе 12
1. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред.
285
[
Ф. П. Кесаманлы и Д. Н. Наследо-ва. М., "Наука", 1973.
2. Bulman P. I., Hobson G. S., Taylor В. С. Transferred Electron
Devices", London - New York, Acad. Press 1972
3. Lawley K. L., Sobers R. G., Knight S., Klein D. L. Af-type GaAs for
CW microwave devices. - "IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № I, p. 201-202.
4. Colen Rene. Properties of GaAs for Gunn-diodes. - "Electron.
Design", 1966, v. 14, К" 14, p. 21-22.
5. Riro N., Yasuhiro K-, Takashi H., Yamada T. Bulk GaAs microwave
oscillators. - "Rev. Electr. Comm. Lab.", 1969, v. 17, p. 58-69.
6. Гольдберг Ю. А., Наследов Д. H., Царенков Б. В. Методика
изготовления поверхностно-барьерных структур химическим осаждением
металлов на поверхность полупроводника. - "ПТЭ", 1971, № 3, с. 207-209.
7. Sah С. Т., Forbes L., Rosier L. L., Tasch A. F., Jr. Thermal and
optical emission and capture rates and cross sections of electrons and
holes at imperfection centers in semiconductors from photo and dark
junction current and capacitance experiments.- "Sol. St. Electron.",
1970, v. 13, № 6, p. 759-788.
8. Van der Pauw L. J. A method of measuring specific resistivity and
Hall effect of discs of arbitrary shape.- "Philips Res. Repts.", 1958, v.
13, № 1-3, p. 1-9.
9. Van der Pauw L. J. A method of measuring the resistivity and Hall
coefficient on the lamellae of arbitrary shape. - "Phil. Techn. Rev.",
1958/59, v. 20, № 8, p. 220-224.
10. Levinshtein М. E., Lvova Т. V., Nas-iedov D. N., Shur M. S.
Magnetic field influence on the Gunn effect (II). -"Phys. Stat. Solidi
(a), 1970, v. 1, № 1, p. 177-187.
11. Jervis T. R., Johnson E. F. Geometrical magnetoresistance and Hall
mobility in Gunn effect devices. - "Sol.-Stat. Electron.", 1970, v. 13, №
2, p. 181-189.
12. Denker S. P. Rational design of Gunn- and LSA-diode electrodes. -
"Electron. Lett,", 1968, v. 4, № 14, p. 294-296.
13. Кэррол Дж. СВЧ генераторы на горячих электронах. Пер. с англ. М.,
"Мир", 1972.
14. Bott 1. В., Hilsum G., Smith К. С. Н. Construction and performance
of epitaxial transferred electron oscillators. - "So!.-St. Electron.",
1967, v. 10, № 2, p. 137-144.
15. Contacts for Gunn diodes. - "Com-
mun. News.", 1966, v. 3, № 9,
p. 27-29.
16. Brady D. P., Knight S., Lawley K. L., Uenohara M. Recent results
with epitaxial GaAs Gunn effect oscillators. - "Proc. IEEE", 1966, v. 54,
№ 10, p. 1497-1498.
17. Bass J. C., Edridge A. L., Knight J. R. Gunn effect oscillators
with vapor-grown contact layers. - "Electron. Lett.", 1967, v. 3, № 1, p.
24.
18. Braslau N., Gunn J. B., Staples J. L. Metal-semiconductor contacts
for GaAs bulk-effect devices. - "Sol.-St. Electron.", v. 10, № 5, p. 381-
383.
19. Cox R. H., Strack H. Ohmic contacts for GaAs devices. - "Sol.-St.
Electron.", 1967, v. 10, № 12, p. 1213- 1218.
20. Чигогидзе 3. H., Хучуа H. П., Гут-
ник JI. М. и др. О механизме отказа диодов Ганна. - "ФТП", 1972, т. 6, №
9, с. 1670-1676.
21. Jarbrough D. W. Status of diffusion data in binary compound
semiconductors.- "Sol. St. Techn.", 1968, № 11, p. 23-31.
22. Zn and Те implantations into GaAs.- "J. Appl. Phvs.", 1967, v. 38,
№ 4, p. 1975-1976.
