Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
Luminescence", 1970, v. 3, № 1, p. 13-25.
7. Heinrich H., Jantsch W. Experimen-
tal determination of the electron temperature from Burstein-Shift
experiments in gallium antimonide. - "Phys. Rev.", 1971, v. 4, № 8,
p. 2504.
8. Grinberg A. A., Kastalskii A. A.,
The ultrasound generation under
the Gunn effect in a piezoelectric
material.-"Phys. Stat. Solidi", 1968,
v. 26, № 1, p. 219-224.
9. Кастальский А. А. Генерация ультразвука при эффекте Ганна,- "ФТП",
1968, т. 2, № 8, с. 1187- 1189.
10. Гущина Н. А., Шур М. С. Генерация ультразвука в диодах Ганна.-
"ФТП", 1970, т. 4, № 6, с. 1086- 1092.
11. Hayakawa Н., Ishiguro Т., Mikoshi-ba N., Kikuchi М. Generation of
coherent ultrasonic waves with GaAs Gunn oscillator. - "Appl. Phys.
Lett.", 1969, v. 14, № 1, p. 9-10.
12. Hayakawa H., Ishiguro Т., Mikoshi-ba N., Kikuchi M. Generation of
high frequency ultrasonic waves by Gunn effect. - "J. Appl. Phys.", 1970,
v. 41, № 12, p. 4755-4766.
13. Lee R. E.? White R. M. Elastic wave generation by a Gunn effect
oscillator coupled to a piezoelectric. - "Appl. Phys. Lett.", 1970, v.
16, № 9, p. 343-346.
14. Казаков А. А., Шур М. С. Возможность модуляции ганновской генерации
ультразвуковой волной.- "ФТП", 1969, т. 3, № 8, с. 1250- 1253.
15. Heeks J. S. Some properties of the moving high-field domain in Gunn
effect devices. - "IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № 1, p. 68-70.
16. Chynoweth A. G., Feldmann W. L., McCumbeT D. E. iMechanism of the
Gunn effect. Proc. Intern. Conf. Phys. Semicond., Kyoto, 1966.-"J. Phys.
Soc. Japan.", v. 21, Suppl., p. 514- 521.
17. Southgate P. D. Recombination processes following impact ionization
by high-field domains in gallium arsenide.-"J. Appl. Phys.", 1967, v. 38,
№ 12, p. 4589-4595.
18. Owens J., Kino G. S. Experimental studies of Gunn domains and
avalanching.-"J. Appl. Phys.", 1971, v. 42, № 12, p. 5019-5028.
59. Chang К- K, Liu S. G., Prager H. J. Infrared radiation from bulk
GaAs.- "Appl. Phys. Lett.", 1966, v. 8, April 15, p. 196-198.
20. Liu S. G. Inirared and microwave radialions associated with a
current controlled in GaAs. - "Appl. Phys.
Lett.", 1966, v. 9, № 2, July 15, p. 79-81.
21. Copeland J. A. Switching and low-field break-down in п-GaAs bulk
diodes.-"Appl. Phys. Lett.", 1966, v. 9, № 4, August 15, p. 140-142.
22. Oliver M. R., McWhorter A. L.,
Foyt A. G. Current runaway and avalanche effects in CdTe. - "Appl. Phys.
Lett.", 1967, v. 11, № 4,
p. 111-113.
23. Southgate P. D. Stimulated emission from bulk field-ionized GaAs.-
"IEEE J. Quantum Electron.", 1968, v. QE-4, № 4, p. 179-185.
24. Southgate P. D., Mazzochi R. T. Stimulated emission in field-
ionized bulk InP.-"Phys. Lett.", 1968, v. 28A, № 3, p. 216-217.
25. Southgate P. D. Laser action in field-ionized bulk GaAs.-"Appl.
Phys. Lett.", 1968, v. 12, № 3, p. 61-63.
26. Гельмонт Б. JI., Шур М. С. S-образная вольт-амперная характеристика
и шнурование тока в диодах Ганна. - "Письма в ЖЭТФ", 1970, т. 11, № 7, с.
350-353.
27. Kennedy W. К-, Eastman L. F., Gil-
bert R. J. LSA operation of large volume bulk GaAs samples.-"IEEE
Trans.", 1967, v. ED-14, № 9,
p. 500-504.
28. Гельмонт Б. JI., Шур М. С. Шнурование тока в высоколегированных
диодах Ганна. - "ФТП", 1970, т. 4, № 9, с. 1650-1655.
29. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. Движение токового шнура в магнитном поле
в условиях эффекта Ганна.- "ФТП", 1970, т. 4, № 9, с. 1795- 1797.
30. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. Движение токовых шнуров в поперечных
электрических и магнитных полях.- "ФТП", 1973, т. 7, № 10, с. 1965-
1971.
31. Рыбкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.,
Физматгиз, 1963.
.32. Чигогидзе 3. Н., Хучуа Н. П., Гут-ник Л. М., Харати Р. Г., Компа-нец
Г. И. Исследование причин выхода из строя планарных генераторов на
эффекте Ганна. - "Сообщения АН Грузинской ССР", 1970, т. 60, № 1, с. 69-
72.
32а. Чигогидзе 3. Н., Хучуа Н. П.,
Гутник Л. М., Харати Р. Г., Варламов И. В., Бекирев У. А.
Тютюн А. А. О механизме отказа дио-
дов Ганна. - "ФТП", 1972, т. 6, № 9, с. 1670-1675.
33. Сулейманов Ш. Г. Влияние магнитного поля на неустойчивость
тока
в арсениде галлия. - "ФТП", 1972, т. 6, № 1, с. 181-183.
275
34. Gelmont В. L" Shur M. S. S-type current/voltage characteristics and
recombination emission in Gunn diodes. "Electron Lett.", 1970, v. 6, №
16, p. 531-532.
35. Hall R., Leek J. H. Avalanche breakdown of gallium arsenide p-n
junctions.-"Int. J. Electron.", 1968, v. 25, № 6, p. 529-537.
36. Гельмонт Б. JIШур М. С. Характерное время нарушения когерентности
ганновских колебаний в условиях ударной ионизации.-"ФТП",
1973, т. 7, № 3, с. 453.
37. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. S-образная вольтамнерная характеристика в
диодах Ганна с глубокими центрами. Теория - "ФТП", 1973, т. 7, № 1, с.
76-87.
38. Heeks J. S., Woode A. D. Localized
temporary increase in material conductivity following impact ionization
in a Gunn-effect domain. - "IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 9,
