Эффект Ганна - Левинштейн М.Е.
Скачать (прямая ссылка):
1967, v. 55, № 7, p. 1228-1229.
18. Myers F. A., McStay J., Taylor В. C. Variable-length Gunn
oscillator. - "Electron. Lett.", 1968, v. 4, № 18, p. 386-387.
19. Adams R. F., Schulte H. J. Optically triggerable domains in GaAs
Gunn diodes. - "Appl. Phys. Lett.", 1969, v. 15, № 8, p. 265-267.
20. I go Т., Ohwado K, Noguchi J. Regenerative light pulse detection
using the Gunn effect. - "Japan. J. Appl. Phys.", 1970, v. 9, № 10, 1283-
1285.
21. Riesz R. P. Optical interaction with high-field domain nucleation
in GaAs. - "IEEE Trans.", 1970, v. ED-17, № 1, p. 81-83.
22. Левинштейн М. E. Влияние освещения на параметры диодов Ганна.-
"ФТП", 1973, т. 7, № 7, с. 1332- 1337.
23. Brehm G. Е., Pearson G. L. Effects of gamma radiation on Gunn
diodes.-"IEEE Tran.", 1970, v. ED-17, № 6, p. 475-479.
24. Heeks J. S., Wood A. D. Localized
temporary increase in material conductivity following impact ionization
in a Gunn-effect domain. - "IEEE Trans.", 1967, v. ED-14, № 9,
p. 512-517.
25. Стафеев В. H. Канд. дисс. Л. ФТИ, 1958.
26. Ridley В. К., Pratt R. G. Hot electrons and negative resistance at
20°K in я-type germanium containing Au-centres. - "J. Phys. Chem. Sol.",
1965, v. 26, № 1, p. 21-31.
27. Barraud A. Semiconductors-the behavior of high resistivity gallium
arsenide when subjected to high electric fields. - "Compt. Rend.", 1963,
v. 256, № 17, p. 3632-3635.
28. Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная
электрическая неустойчивость в полупроводниках. М., "Наука", 1972.
29. Багаев В. С., Берозашвили Ю. Н., Вул Б. М. Подвижные электрические
домены в полу изолирующем арсениде галлия. - "ФТП", 1968, т. 2, № 6, с.
843,-849.
30. Tokuiuaru Y., Kikuchi М. Current oscillation and light probe
measurement of high-field domain velocity in photo-excited high-
resistivity GaAs.- "Japan J. Appl. Phys.", 1968, v. 7, № 1, p. 95-97.
31. Heeks J. S. Some properties of the moving high-field domain in Gunn
effect devices. - "IEEE Trans.", 1966, v. ED-13, № 1, p. 68-79.
271
32. Guentin P. Contribution to the experimental study of the Gunn
effect in long GaAs samples. - IEEE Trans.",
1967, v. ED-14, № 9, p. 552-562.
33. Шур М. С. Влияние зависящего от поля захвата носителей на эффект
Ганна. - "ФТП", 1970, т. 4, № 6, с. 1202-1204.
34. Shur М. S. The influence of the field-depended trapping on the Gunn
effect.- In.: 8th Int. Conf. on Microwave and Optical Generation and
Amplification (MOGA). Amsterdam,
1970, paper 9.4.
35. Бородовский П. А., Токарев A. C. Аномальные осцилляции тока диода
Ганна при низкой температуре.- "ФТП", 1973, т. 7, № 10, с. 2033- 2036.
36. Казарянов Р. Ф., Сурис Р. А. Эф-
фект Ганна в компенсированных полупроводниках. - "ФТТ", 1971,
т. 13, № 9, с. 2664-2674.
37. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. Аналитическая теория рекомбинационных
доменов. - "ФТП", 1971, т. 5, № 11, с. 2116-2126.
38. Gelmont В. L., Shur М. S. Analytical theory of the high-field
domain in the presence of trapping. - "Phys. Lett.", 1972, v. 38A, № 7,
p. 503-504.
39. Гельмонт Б. JI. Шур М. С. Рекомбинационные домены сильного поля в
полупроводниках с двумя сортами носителей. - "ЖЭТФ", 1971, т. 61, № 6, с.
2419-2428.
40. Волков А. Ф., Коган Ш. М. Физические явления в полупроводниках с
отрицательной дифференциальной проводимостью. "УФН", 1968, т. 96 № 4, с.
633-672.
41. Tokumaru Y. Current oscillations and
high-field domains in photoexcited high-resistivity GaAs. - "Japan J.
Appl. Phys.", 1969, v. 8, № 1;
p. 76-81.
42. Ridley В. K-, Crisp J. J., Shishiya-
nu F. Slow domains and negative resistance via the enhanced capture of
transferred electrons in "-type GaAs. - "J. Phys. C.: Sol.-St. Phys.",
1972, v. 5, № 2, p. 187-198.
43. Tokumaru Y., Mikoshiba N. Low-frequency current oscillation in
high-resistivity n-InP. - "Sol.-St. Comm.",
1972, v. 10, № 3, p. 261-263.
44. Engelmann R. Simplified model for the domain dinamics in Gunn
effect semiconductors covered with dielectric sheets. - "Electron.
Lett.", 1968, v. 4, № 24, p. 546-547.
45. Kino G. S., Robson P. N. The effect of small transverse dimensions
on the operation of Gunn devices. - "Proc. IEEE", 1968, v. 56, № 11, p.
2056-2057.
46. Hartnagel H. L. Gunn instabilities with surface loading. -
"Electron Lett.", 1969, v. 5, № 14, p. 303-304.
47. Gueret P. Limits of validity of the 1-dimensional approach in
space-charge-wave and Gunn-effect theories.- "Electron. Lett.", 1970, v.
6, № 7, p. 197-198.
48. Gueret P. Stabilization of Gunn oscillations in layered
semiconductor structures. - "Electron. Lett.", 1970. v. 6, № 20, p. 637-
638.
49. Masuda М., Chang N. S., Matsuo Y. Suppression of Gunn-effect domain
formation by ferrimagnetic mete-rials. - "Electron. Lett.", 1970, v. 6, №
19, p. 605-606.
50. Hartnagel H. L. Magnetic surface loading of Gunn oscillators and
resulting new devices. - "Sol.-St. Electron.", 1970, v. 13, № 7, p. 931-
936.
51. Suga M. Field distribution in a Gunn diode with a distributed
